Vés al contingut

Circuit integrat: diferència entre les revisions

De la Viquipèdia, l'enciclopèdia lliure
Contingut suprimit Contingut afegit
VP:10.000 +ampliació de la introducció
Abús de «realitzar»
Línia 1: Línia 1:
[[Fitxer:Three IC circuit chips.JPG|miniatura|Tres xips]]
[[Fitxer:Three IC circuit chips.JPG|miniatura|Tres xips]]
[[Fitxer:EPROM Microchip SuperMacro.jpg|miniatura|Circuit integrat d'un microxip de memòria [[EPROM]] que mostra els blocs de memòria, els circuits de suport i els cables fins que connecten el [[Dau (circuit integrat)|dau]] del circuit integrat al suport.]]
[[Fitxer:EPROM Microchip SuperMacro.jpg|miniatura|Circuit integrat d'un microxip de memòria [[EPROM]] que mostra els blocs de memòria, els circuits de suport i els cables fins que connecten el [[Dau (circuit integrat)|dau]] del circuit integrat al suport.]]
Un '''circuit integrat''' (també conegut com a '''xip''' o '''microxip''') és una pastilla o xip on es troben tots els components electrònics necessaris per realitzar una funció. Aquests components estan formats, principalment, per [[Condensador|condensadors]], [[Díode|díodes]], [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] i [[Transistor|transistors]].<ref name="GEC">{{GEC}}</ref> La grandària dels circuits integrats és semblant a la d’un transistor corrent, de manera que llur descobriment ha permès una miniaturització dels circuits electrònics i ha donat lloc a la [[microelectrònica]].<ref name="GEC"/>
Un '''circuit integrat''' (també conegut com a '''xip''' o '''microxip''') és una pastilla o xip on es troben tots els components electrònics necessaris per complir una funció. Aquests components estan formats, principalment, per [[Condensador|condensadors]], [[Díode|díodes]], [[Resistència elèctrica (component)|resistències]] i [[Transistor|transistors]].<ref name="GEC">{{GEC}}</ref> La grandària dels circuits integrats és semblant a la d’un transistor corrent, de manera que llur descobriment ha permès una miniaturització dels circuits electrònics i ha donat lloc a la [[microelectrònica]].<ref name="GEC"/>


Els circuits integrats (CI) es van fer possibles gràcies a descobriments experimentals que mostraven que artefactes semiconductors podien realitzar les funcions dels [[Tub termoiònic|tubs de buit]], així com als avanços científics de la fabricació de [[Semiconductor|semiconductors]] a mitjan {{Segle|XX||s}} . La integració de grans quantitats de petits [[Transistor|transistors]] dins d'un petit espai va ser un gran avanç en l'elaboració manual de circuits utilitzant [[Component electrònic|components electrònics]] discrets. La capacitat de producció massiva dels circuits integrats, així com la fiabilitat i acostament a la construcció d'un diagrama a blocs en circuits, assegurava la ràpida adopció dels circuits integrats estandarditzats en lloc de dissenys utilitzant transistors discrets.
Els circuits integrats (CI) es van fer possibles gràcies a descobriments experimentals que mostraven que artefactes semiconductors podien desenvolupar les funcions dels [[Tub termoiònic|tubs de buit]], així com als avanços científics de la fabricació de [[Semiconductor|semiconductors]] a mitjan {{segle|XX}} . La integració de grans quantitats de petits [[Transistor|transistors]] dins d'un petit espai va ser un gran avanç en l'elaboració manual de circuits utilitzant [[Component electrònic|components electrònics]] discrets. La capacitat de producció massiva dels circuits integrats, així com la fiabilitat i acostament a la construcció d'un diagrama a blocs en circuits, assegurava la ràpida adopció dels circuits integrats estandarditzats en lloc de dissenys utilitzant transistors discrets.


Els CI tenen dos principals avantatges sobre els circuits discrets: cost i rendiment. El baix cost és gràcies als xips; ja que posseeix tots els seus components impresos en una unitat de [[Fotolitografia (electrònica)|fotolitografia]] en lloc de ser construïts un transistor alhora. A més a més, els CI empaquetats usen molt menys material que els circuits discrets. El rendiment és alt ja que els components dels CI canvien ràpidament i consumeixen poca potència (comparat les seves contraparts discretes) com a resultat de la seva petita grandària i proximitat de tots els seus components. Des de 2012, l'interval d'àrea de xips típics és des d'uns pocs mil·límetres quadrats a al voltant de 450  mm², amb fins a 9 milions de transistors per mm².
Els CI tenen dos principals avantatges sobre els circuits discrets: cost i rendiment. El baix cost és gràcies als xips; ja que posseeix tots els seus components impresos en una unitat de [[Fotolitografia (electrònica)|fotolitografia]] en lloc de ser construïts un transistor alhora. A més a més, els CI empaquetats usen molt menys material que els circuits discrets. El rendiment és alt ja que els components dels CI canvien ràpidament i consumeixen poca potència (comparat les seves contraparts discretes) com a resultat de la seva petita grandària i proximitat de tots els seus components. Des de 2012, l'interval d'àrea de xips típics és des d'uns pocs mil·límetres quadrats a al voltant de 450  mm², amb fins a 9 milions de transistors per mm².
Línia 10: Línia 10:
El primer circuit integrat es va desenvolupar l'any 1958, el va crear [[Jack Kilby]] quan treballava per [[Texas Instruments]],<ref name="TI">{{ref-web|títol=Jack Kilby|url=http://www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/jackstclair.shtml|editor=TI|consulta=16 juny de 2014|llengua=anglès}}</ref> que el va patentar el [[6 de febrer]] de [[1959]].<ref>{{ref-publicació|cognom=Kilby |nom=Jack S. |títol=Miniaturized Electronic Circuits |publicació=US Patent 3,138,743 |data=23/6/1964 |editorial=United States Patent Office}}</ref> Aquest circuit estava format només per sis transistors. L'any 2000 va rebre el [[Premi Nobel de Física]] per aquest invent.<ref>{{ref-web|url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2000/index.html|consulta=16 juny 2014|títol=The Nobel Prize in Physics 2000|llengua=anglès}}</ref>
El primer circuit integrat es va desenvolupar l'any 1958, el va crear [[Jack Kilby]] quan treballava per [[Texas Instruments]],<ref name="TI">{{ref-web|títol=Jack Kilby|url=http://www.ti.com/corp/docs/kilbyctr/jackstclair.shtml|editor=TI|consulta=16 juny de 2014|llengua=anglès}}</ref> que el va patentar el [[6 de febrer]] de [[1959]].<ref>{{ref-publicació|cognom=Kilby |nom=Jack S. |títol=Miniaturized Electronic Circuits |publicació=US Patent 3,138,743 |data=23/6/1964 |editorial=United States Patent Office}}</ref> Aquest circuit estava format només per sis transistors. L'any 2000 va rebre el [[Premi Nobel de Física]] per aquest invent.<ref>{{ref-web|url=http://nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2000/index.html|consulta=16 juny 2014|títol=The Nobel Prize in Physics 2000|llengua=anglès}}</ref>


== Introducció ==
== Vista general ==
[[Fitxer:Intel 8742 153056995.jpg|miniatura|El [[dau (circuit integrat)|dau]] d'un Intel 8742, un [[microcontrolador]] [[Lògica nMOS|NMOS]] de 8 bits que inclou una [[Unitat central de processament|CPU]] que funciona a 12 MHz, 128 bytes de RAM, 2048 bytes d'[[EPROM]] i E/S al mateix xip.]]
[[Fitxer:Intel 8742 153056995.jpg|miniatura|El [[dau (circuit integrat)|dau]] d'un Intel 8742, un [[microcontrolador]] [[Lògica nMOS|NMOS]] de 8 bits que inclou una [[Unitat central de processament|CPU]] que funciona a 12 MHz, 128 bytes de RAM, 2048 bytes d'[[EPROM]] i E/S al mateix xip.]]
Els circuits integrats foren possibles gràcies a descobriments experimentals que demostraren que els [[semiconductors]] poden realitzar les funcions dels [[tub de buit|tubs de buit]]. La integració de grans quantitats de diminuts [[transistor]]s en petits xips va esdevenir un enorme avanç sobre l'assamblatge manual dels tubs de buit (vàlvules) i circuits usant components discrets. La capacitat de producció massiva de circuits integrats, confiabilitat i facilitat d'afegir-hi complexitat, va imposar l'estandardització dels CIs en lloc dels dissenys utilitzant transistors, que aviat van deixar obsolets a les vàlvules o tubs de buit.
Els circuits integrats foren possibles gràcies a descobriments experimentals que demostraren que els [[semiconductors]] poden complir les funcions dels [[tub de buit|tubs de buit]]. La integració de grans quantitats de diminuts [[transistor]]s en petits xips va esdevenir un enorme avanç sobre l'assamblatge manual dels tubs de buit (vàlvules) i circuits usant components discrets. La capacitat de producció massiva de circuits integrats, confiabilitat i facilitat d'afegir-hi complexitat, va imposar l'estandardització dels CIs en lloc dels dissenys utilitzant transistors, que aviat van deixar obsolets a les vàlvules o tubs de buit.


Existeixen dos avantatges principals dels CIs sobre els circuits convencionals: [[cost]] i rendiment. El baix cost és a causa del fet que els xips, amb tots els seus components, són gravats en una sola peça per [[Fotolitografia (electrònica)|fotolitografia]] i no construint els transistors un a un.<ref name="GEC"/>
Existeixen dos avantatges principals dels CIs sobre els circuits convencionals: [[cost]] i rendiment. El baix cost és a causa del fet que els xips, amb tots els seus components, són gravats en una sola peça per [[Fotolitografia (electrònica)|fotolitografia]] i no construint els transistors un a un.<ref name="GEC"/>

Revisió del 21:19, 31 oct 2022

Tres xips
Circuit integrat d'un microxip de memòria EPROM que mostra els blocs de memòria, els circuits de suport i els cables fins que connecten el dau del circuit integrat al suport.

Un circuit integrat (també conegut com a xip o microxip) és una pastilla o xip on es troben tots els components electrònics necessaris per complir una funció. Aquests components estan formats, principalment, per condensadors, díodes, resistències i transistors.[1] La grandària dels circuits integrats és semblant a la d’un transistor corrent, de manera que llur descobriment ha permès una miniaturització dels circuits electrònics i ha donat lloc a la microelectrònica.[1]

Els circuits integrats (CI) es van fer possibles gràcies a descobriments experimentals que mostraven que artefactes semiconductors podien desenvolupar les funcions dels tubs de buit, així com als avanços científics de la fabricació de semiconductors a mitjan segle xx . La integració de grans quantitats de petits transistors dins d'un petit espai va ser un gran avanç en l'elaboració manual de circuits utilitzant components electrònics discrets. La capacitat de producció massiva dels circuits integrats, així com la fiabilitat i acostament a la construcció d'un diagrama a blocs en circuits, assegurava la ràpida adopció dels circuits integrats estandarditzats en lloc de dissenys utilitzant transistors discrets.

Els CI tenen dos principals avantatges sobre els circuits discrets: cost i rendiment. El baix cost és gràcies als xips; ja que posseeix tots els seus components impresos en una unitat de fotolitografia en lloc de ser construïts un transistor alhora. A més a més, els CI empaquetats usen molt menys material que els circuits discrets. El rendiment és alt ja que els components dels CI canvien ràpidament i consumeixen poca potència (comparat les seves contraparts discretes) com a resultat de la seva petita grandària i proximitat de tots els seus components. Des de 2012, l'interval d'àrea de xips típics és des d'uns pocs mil·límetres quadrats a al voltant de 450  mm², amb fins a 9 milions de transistors per mm².

Els circuits integrats són usats en pràcticament tots els equips electrònics avui dia, i han revolucionat el món de l'electrònica. Ordinadors, telèfons mòbils, i altres dispositius electrònics que són part indispensable de les societats modernes, són possibles gràcies als baixos costos dels circuits integrats. El primer circuit integrat es va desenvolupar l'any 1958, el va crear Jack Kilby quan treballava per Texas Instruments,[2] que el va patentar el 6 de febrer de 1959.[3] Aquest circuit estava format només per sis transistors. L'any 2000 va rebre el Premi Nobel de Física per aquest invent.[4]

Vista general

El dau d'un Intel 8742, un microcontrolador NMOS de 8 bits que inclou una CPU que funciona a 12 MHz, 128 bytes de RAM, 2048 bytes d'EPROM i E/S al mateix xip.

Els circuits integrats foren possibles gràcies a descobriments experimentals que demostraren que els semiconductors poden complir les funcions dels tubs de buit. La integració de grans quantitats de diminuts transistors en petits xips va esdevenir un enorme avanç sobre l'assamblatge manual dels tubs de buit (vàlvules) i circuits usant components discrets. La capacitat de producció massiva de circuits integrats, confiabilitat i facilitat d'afegir-hi complexitat, va imposar l'estandardització dels CIs en lloc dels dissenys utilitzant transistors, que aviat van deixar obsolets a les vàlvules o tubs de buit.

Existeixen dos avantatges principals dels CIs sobre els circuits convencionals: cost i rendiment. El baix cost és a causa del fet que els xips, amb tots els seus components, són gravats en una sola peça per fotolitografia i no construint els transistors un a un.[1]

Estructura esquemàtica d'un xip CMOS, tal com es va construir a principis dels anys 2000. El gràfic mostra els LDD-MISFET en un substrat SOI amb cinc capes de metal·lització i un cop de soldadura per a la unió del xip.

Avanços en els circuits integrats

Entre els circuits integrats més recents hi ha els microprocessadors, que controlen des de computadors fins a telèfons mòbils i forns microones. Els xips de memòria digitals són una altra família de circuits integrats que són d'importància crucial per a la moderna societat de la informació. Mentre que el cost de dissenyar i desenvolupar un circuit integrat complex és força alt, quan es reparteix entre milions d'unitats de producció, el cost individual de cada CI es redueix al mínim. L'eficiència dels CIs és alta a causa del fet que la petita mida dels xips permet connexions curtes que possibilita l'ús de lògica de baix consum (com és el cas del CMOS en altes velocitats de commutació.

Amb el transcurs dels anys, els CIs estan constantment migrant a mides més petites i amb millors característiques, permetent que hi hagi més circuits empaquetats a cada xip (vegeu la llei de Moore). Al mateix temps que la mida es redueix, pràcticament tot millora (el cost i el consum d'energia disminueix i la velocitat augmenta).

Popularitat dels CI

Només ha transcorregut mig segle des que es va iniciar el seu desenvolupament i els circuits integrats s'han tornat gairebé omnipresents. Ordinadors, telèfons mòbils i altres aplicacions digitals són ara parts importantíssimes de les societats modernes. La informàtica, les comunicacions, la manufactura i els sistemes de transport, incloent Internet, tots depenen de l'existència dels circuits integrats. De fet, molts estudiosos pensen que la revolució digital causada pels circuits integrats és un dels esdeveniments més significatius de la història de la humanitat.

Classificació

Convertidor analògic-digital en un DIP

Segons el nombre d'elements

  • SSI (Small Scale Integration) petita escala: inferior a 12
  • MSI (Medium Scale Integration) circuit integrat a escala mitjana:[5] 12 a 99
  • LSI (Large Scale Integration) circuit integrat a gran escala:[6] 100 a 9.999
  • VLSI (Very Large Scale Integration) circuit integrat a molt gran escala:[7] 10.000 a 99.999
  • ULSI (Ultra Large Scale Integration) ultra gran escala: igual o superior a 100.000

Els processadors evidentment s'escapen d'aquesta escala, car actualment estan formats per centenars de milions de transistors.

Segons les funcions integrades

Es classifiquen en tres grans grups:

  • Circuits integrats híbrids[8] (de tecnologia mixta analògic-digital). Cada vegada més els circuits analògics incorporen funcionalitats digitals.

Encapsulats

Quant a la interfície externa existeixen multitud d'encapsulats:

  • Tecnologia convencional de soldadora amb forats passants
  • Tecnologia d'encapsulats de soldadura superficial

Referències

  1. 1,0 1,1 1,2 1,3 «Circuit integrat». Gran Enciclopèdia Catalana. Barcelona: Grup Enciclopèdia Catalana.
  2. «Jack Kilby» (en anglès). TI. [Consulta: 16 juny 2014].
  3. Kilby, Jack S. «Miniaturized Electronic Circuits». US Patent 3,138,743. United States Patent Office, 23-06-1964.
  4. «The Nobel Prize in Physics 2000» (en anglès). [Consulta: 16 juny 2014].
  5. «Circuit integrat». Cercaterm. TERMCAT, Centre de Terminologia.
  6. «Circuit integrat». Cercaterm. TERMCAT, Centre de Terminologia.
  7. «Circuit integrat». Cercaterm. TERMCAT, Centre de Terminologia.
  8. «Circuit integrat». Cercaterm. TERMCAT, Centre de Terminologia.

Vegeu també