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1GIG Elektronik 2022-05-31
1GIG Elektronik 2022-05-31
PhotoProRo/Shutterstock.com
Elektronik
1GIG
Version : 06/2022
Wichtige Bemerkungen:
Verschiedene Teile des folgenden Kurses sind mit einem farbigen Balken auf der linken Seite
gekennzeichnet. Diese Teile sind als nicht obligatorische Zusatzinformationen zu betrachten und sind
nicht im offiziellen Programm aufgeführt.
IMPRESSUM
Éditeur :
SCRIPT, Service de Coordination de la Recherche
et de l’Innovation pédagogiques et technologiques
33 Rives de Clausen
L-2165 Luxembourg
[email protected]
Réalisation / Conception : SCRIPT
1 Einführung
Unter dem Begriff „Elektronik“ versteht man das Gebiet der Elektrotechnik, das sich mit der
Herstellung und Anwendung der Bauteile befasst, die zum Aufbau und zur Steuerung
elektronischer Geräte wie Computer, Smartphones, Fernseher, Roboter, Elektroautos, LED-
Beleuchtung, Elektromotoren, automatisierten Anlagen usw. benötigt werden. Viele
elektronische Geräte sind programmierbar und können mit dem Internet verbunden werden.
Mikroprozessoren werden immer leistungsfähiger und befinden sich heute fast in jedem
elektronischen Gerät. Die Entwicklung ist rasant und die Geräte werden immer „intelligenter“.
-1-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
2 Die Halbleiter
2.1 Begriffserklärung
Der Begriff Halbleiter bezieht sich auf den spezifischen Widerstand reiner Materialien. Ein
Halbleiter leitet den Strom besser als ein Isolator, aber schlechter als ein metallischer Leiter.
Zur Gruppe der Halbleiter gehören die Elemente Silizium und Germanium, aber auch die
Verbindungen wie Gallium-Arsenid (GaAs), Indium-Phosphid (InP).
Werkstoffmangel wird bei Silizium und Germanium nicht auftreten. Silizium ist in sehr vielen
Steinen und Sandarten enthalten. Germanium ist zwar nicht in so großer Menge vorhanden
wie Silizium, aber trotzdem überaus reichlich.
Für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wird hauptsächlich Silizium (Si) verwendet.
Silizium ist ein chemisches Element, das in der IV. Gruppe des periodischen Systems steht.
Siliziumkristall
https://www.leifiphysi
k.de/elektronik/einfue
hrung-die-
elektronik/ausblick/sil
izium-kristall
In einem Si-Halbleiter besitzt jedes Si-Atom vier Valenzelektronen und bildet im festen
Zustand ein Kristallgitter. Jedes Si-Atom hat vier gleichweit entfernte Nachbaratome, an die
es durch Elektronenpaarbrücken gebunden ist. Jedes Valenzelektron umkreist somit zugleich
den eigenen Atomrumpf und einen benachbarten Atomrumpf.
-2-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Video Halbleiter
(Simple Club)
https://www.youtube
.com/watch?v=xq1Lk
N5Hi34
Rohsilizium
Video Si-Wafer
Herstellung
https://www.youtube
.com/watch?v=13-
JmHpCmNA
-3-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Eigenleitung im
Siliziumkristall
https://www.leifiphysik.d
e/elektronik/einfuehrung
-die-
elektronik/grundwissen/
eigenleitung-im-
siliziumkristall
Beträgt die Temperatur T = 0K (Kelvin) = absoluter Nullpunkt befinden sich die Atome im
Ruhezustand und die Valenzelektronen sind fest im Kristallaufbau gebunden. Für einen Strom
stehen also keine Ladungsträger zur Verfügung. Der Halbleiter verhält sich wie ein Isolator und
sein elektrischer Widerstand ist unendlich groß.
Erhöht sich die Temperatur T > 0K (Kelvin), so werden aufgrund der Wärmeschwingungen
Elektronen von ihren Atomrümpfen losgelöst und damit beweglich. Man bezeichnet sie dann
als freie Elektronen.
Verlässt ein Elektron eine Paarbindung, so fehlt an dieser Stelle eine negative Ladung und es
entsteht eine Elektronenlücke, auch Defektelektron oder Loch genannt. Da dieses Loch eine
fehlende negative Ladung in einer Gitterbindung ist, kann es als positiv geladenes Teilchen
angesehen werden.
Mit zunehmender Temperatur entstehen jeweils paarweise Elektronen und Löcher. Dieser
Prozess wird als Paarerzeugung bezeichnet. Trifft ein freies Elektron bei seiner Bewegung auf
ein Loch, so kann es in das Loch hineinfallen. Danach ist es wieder gebunden und kann nicht
mehr zur Leitung des Stromes beitragen. Dieses „Hineinfallen in ein Loch“ wird als
Rekombination bezeichnet.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Legt man bei T > 0K (Kelvin) eine elektrische Spannung an einen Si-Kristall, so kann man einen
Stromfluss feststellen. Dieser besteht aus zwei Teilen:
Störstellenleitung
Werden dem reinen vierwertigen Silizium geringe Mengen von 3- oder 5-wertigen
Fremdatomen zugesetzt, so erhält man außer der Eigenleitung auch die sogenannte
Störstellenleitung.
Die Fremdatome werden dabei auf die regulären Gitterplätze des Siliziumkristalls eingebaut.
Dieses Einbauen von Fremdatomen bezeichnet man als Dotieren.
Die Dotierung ist ein komplexer Prozess und wird mit spezialisierten Verfahren durchgeführt
(Diffusion, Implantation).
Dotierte
Halbleiter
https://www.leifiphysik.
de/elektronik/einfuehru
ng-die-
elektronik/grundwissen
/dotierte-halbleiter
Technik der
Dotieren von Si-Wafer in einem Diffusionsofen Dotierung
https://www.leifiphysik.
de/elektronik/einfuehru
ng-die-
elektronik/grundwissen/t
echnik-der-dotierung
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
N-Halbleiter
Wenn man einen reinen Si-Kristall gezielt mit 5-wertigen Atomen (zum Beispiel: P (Phosphor),
As (Arsen), Sb (Antimon)) dotiert (verunreinigt), dann erhält man N-Silizium. Diese Atome sind
Elemente der V. Hauptgruppe und werden als Donatoren (lat. donare = geben) bezeichnet.
Man kann also sagen, dass jedes Donator-Atom dem Si-Kristall ein freies Elektron „schenkt“.
P-Halbleiter
Wenn man einen reinen Si-Kristall gezielt mit 3-wertigen
Atomen (z. B.: B (Bor), Al (Aluminium), Ga (Gallium), In
(Indium)) dotiert, dann erhält man P-Silizium. Diese
Atome sind Elemente der III. Hauptgruppe und werden
als Akzeptoren (lat. accipere = annehmen) bezeichnet.
Das eingebaute Fremdatom hat 3 Valenzelektronen. Es
kann sich daher an 3 Si-Atome binden. Eine Bindung an
einem Si-Atom bleibt offen. Diese offene Bindung stellt
Si-Kristall mit Bor-Atom
ein Loch oder Defektelektron dar. Dieses Loch kann mit
geringem Energieaufwand von einem Elektron eines benachbarten Atoms besetzt werden.
Dadurch entsteht eine Bewegung des Loches, die Löcherbewegung, die der
Elektronenbewegung entgegengesetzt ist.
Die Löcher verhalten sich deshalb innerhalb des Si-Kristalls wie freie positive Ladungsträger.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Video Mikrochip
Herstellung
(Infineon)
https://www.youtube.co
m/watch?v=_Kj58yQ67KI
Im Grenzgebiet können viele freie Elektronen (zum Beispiel der Phosphoratome) in den P-
Halbleiter eindringen und hier die Löcher (zum Beispiel der Bor-Atome) auffüllen.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Beiderseits der Grenzschicht entsteht eine Raumladungszone und somit auch ein elektrisches
Feld. Zwischen der positiven und negativen Raumladung in der Sperrschicht wird so eine
elektrische Spannung aufgebaut.
Diese Spannung wird als Diffusionsspannung UD bezeichnet und beträgt bei Si 0,6 V … 0,8V.
PN-Übergang in Sperrrichtung
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Durchlassrichtung
Legt man den Pluspol der Spannungsquelle an den P-Halbleiter, den Minuspol an den N-
Halbleiter, so fließen neue Ladungsträger von der äußeren Quelle auf die Sperrschicht zu und
rekombinieren hier fortwährend. Die bisher ladungsträgerfreie Sperrschicht wird zunehmend
abgebaut. Es flieβt dann der Durchlassstrom. Diese Richtung nennt man deshalb
Durchlassrichtung.
Die zum Abbau der Sperrschicht benötigte Spannung ist gleich der Diffusionsspannung.
PN-Übergang
(Diode)
https://www.leifiphysik.de/
elektronik/halbleiterdiode/
grundwissen/p-n-
uebergang-halbleiterdiode
PN-Übergang in Durchlassrichtung
Ein PN-Übergang lässt den Strom somit nur in eine Richtung durch (abhängig von der Polarität
der angelegten Spannung) und hat die Funktion eines elektronischen „Ventils“. Das „Ventil“
öffnet, sobald die angelegte Spannung den Wert der Diffusionsspannung UD erreicht. Solch
ein Bauelement wird auch „Halbleiterdiode“ oder einfach „Diode“ genannt.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
3 Die Halbleiterdiode
Dioden sind wichtige Bauelemente der Elektronik. Sie werden meistens aus den
Halbleiterwerkstoffen Silizium und Germanium hergestellt.
Eine Diode besteht aus einem Gehäuse (Glas, Keramik, Metall), welches mit zwei Kontakten
versehen ist. Auf dem Gehäuse ist die jeweilige Bezeichnung der Diode angebracht.
3.1 Aufbau
Die Halbleiterdiode besteht aus zwei fest miteinander verbundenen Halbleiterkristall-
schichten, einer P-Schicht und einer N-Schicht.
3.2 Schaltzeichen
Das Dreieck im Schaltzeichen symbolisiert den P-Kristall und der Strich
den N-Kristall. Der P-Kristallanschluss wird als Anode und der N-
Kristallanschluss wird als Katode bezeichnet.
Die Richtung des Pfeils zeigt die Durchlassrichtung der Diode an.
3.3 Wirkungsweise
Wegen des PN-Übergangs besitzt die Diode eine Ventilwirkung:
➢ Liegt der positive Pol einer Spannungsquelle an der Anode und der
negative Pol an der Katode, so wird der PN-Übergang niederohmig.
Es fließt ein Strom. Der PN-Übergang ist in Durchlassrichtung gepolt.
Video Diode
➢ Liegt der negative Pol einer Spannungsquelle an der Anode und der (Simple Club)
https://www.youtube.c
om/watch?v=MSncOma
positive Pol an der Katode, so wird der PN-Übergang hochohmig. Es cDJ0
Die Halbleiterdiode lässt den Strom in einer Richtung durch und sperrt ihn in der
anderen Richtung (Ventilwirkung).
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
3.4 Diodenkennlinie
Die Kennlinie beschreibt die Zusammenhänge zwischen Strom und Spannung an einer Diode.
Der Verlauf der Kennlinie ist im Sperr- und Durchlassbereich sehr unterschiedlich.
Im Durchlassbereich tragen die Achsen die Bezeichnungen UF und IF. Der Index "F" kommt aus
dem Englischen (Forward direction = Vorwärtsrichtung = Durchlassrichtung). Im Sperrbereich
wird der Index "R" (Reverse direction = Rückwärtsrichtung = Sperrrichtung) verwendet.
Video
Diodenkennlinie -
Anwendungen
https://www.youtube.c
om/watch?v=h7Yg2oO6
qHc
Kennlinienauswertung
➢ In Durchlassrichtung beginnt die Diode den Strom zu leiten, wenn die äußere Spannung
den Wert der Diffusionsspannung am PN-Übergang erreicht hat. Diese Spannung wird als
Schleusenspannung US (Schwellspannung, Durchlassspannung) bezeichnet.
➢ Der Durchlassstrom darf einen bestimmten Wert (IFMax) nicht überschreiten, da die Diode
sonst zerstört werden kann.
➢ Die Si-Diode hat eine steilere Durchlasskennlinie als die Ge-Diode. Bei der Si-Diode tritt
nach Überschreiten der Schleusenspannung schlagartig ein großer Stromfluss ein. Bei der
Ge-Diode erfolgt der Übergang vom kleinen zum großen Stromfluss allmählich.
➢ In Sperrrichtung fließt fast kein Strom. Ab einer bestimmten Sperrspannung
(Spitzensperrspannung URMax) kommt es zu Durchbrüchen, welche normalerweise die
Diode zerstören.
➢ Si-Dioden haben ein besseres Sperrverhalten als Ge-Dioden.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Zur Vereinfachung wird die nichtlineare Kennlinie der Diode (Si-Diode) durch eine idealisierte
Kennlinie nachgebildet.
𝟏 ∆𝐈
Steigung 𝐚 = 𝐫 = ∆𝐔𝐅
𝐅 𝐅
Hierbei nimmt man an, dass IF = 0A, solange UF ≤ US . Wird UF > US , entspricht die
𝟏 ∆𝐈
Kennlinie einer Geraden mit der Steigung 𝐚 = 𝐫 = ∆𝐔𝐅 .
𝐅 𝐅
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
𝟏
Die Gleichung dieser Geraden hat die Form 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱 + 𝐛 oder 𝐈𝐅 = 𝐫 ∙ 𝐔𝐅 + 𝐛, wobei b dem
𝐅
Schnittpunkt mit der y-Achse oder IF -Achse entspricht. (UF = 0V, ordonnée à l′origine)
𝟏 𝟏
⟺ 𝐈𝐅 = ∙ (𝐔𝐅 − 𝐔𝐒 ) 𝐛=− ∙𝐔
𝐫𝐅 𝐫𝐅 𝐒
⟺ 𝐔𝐅 = 𝐔𝐒 + 𝐫𝐅 ∙ 𝐈𝐅
Anhand dieser Gleichung kann man folgende Ersatzschaltung der Diode zeichnen:
𝐔𝐅 = 𝐔𝐒 + 𝐫𝐅 ∙ 𝐈𝐅
Die Ersatzschaltung besteht aus einer Spannungsquelle, einem Widerstand und dem
Stromrichtungssymbol.
• Die Spannungsquelle besagt, dass nur nach dem Überwinden der Schleusenspannung U s
ein Strom fließt.
• Der differentielle Widerstand ist jetzt konstant und entspricht dem Kehrwert der
Kennliniensteigung.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
3.5 Grenzwerte
Grenzwerte sind Werte, die der Anwender nicht überschreiten darf, ohne eine sofortige
Zerstörung des Bauelementes zu riskieren.
(Verlustleistung 𝐏𝐕 = 𝐔𝐅 ∙ 𝐈𝐅 )
Bei der Reihenschaltung fließt der gleiche Strom IF durch die Diode und den Widerstand R1.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Für den Widerstand R1 kann der Strom IF in Abhängigkeit von UF und UB angegeben werden:
𝐔𝐑𝟏 𝐔𝐁 − 𝐔𝐅 𝐔𝐅 𝐔𝐁 𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐅 = = =− + =− ∙ 𝐔𝐅 +
𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝐑𝟏
𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐅 = − ∙ 𝐔𝐅 +
𝐑𝟏 𝐑𝟏
𝟏 𝐔
Dies entspricht einer Geraden der Form 𝐟(𝐱) = 𝐚 ∙ 𝐱 + 𝐛 𝐦𝐢𝐭 𝐚 = − 𝐑 𝐮𝐧𝐝 𝐛 = 𝐑𝐁 und
𝟏 𝟏
U
Die Arbeitsgerade kann durch Berechnung von 2 Punkten (0; RB ) und (UB ; 0) in das Diagramm
1
Der Schnittpunkt der Diodenkennlinie mit der Arbeitsgeraden ergibt den Arbeitspunkt A1 der
Reihenschaltung. Nur in diesem Punkt ist der Strom durch die Diode und den Widerstand
gleich groß.
Auch die Spannungen UF an der Diode sowie UR1 am Widerstand können aus dem Diagramm
abgelesen werden (siehe hierzu auch die Zusatzbemerkungen zur grafischen
Arbeitspunktbestimmung).
𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 )
𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐅 = − ∙𝐔 +
𝐑𝟏 𝐅 𝐑𝟏
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Berechnung:
𝐔𝐠 𝟏𝟎𝐕
𝐈= = = 𝟎, 𝟎𝟒𝐀
𝐑 𝟏 + 𝐑 𝟐 𝟏𝟓𝟎 + 𝟏𝟎𝟎
𝐔𝟏 = 𝐑 𝟏 ∙ 𝐈 = 𝟏𝟓𝟎 ∙ 𝟎, 𝟎𝟒𝐀 = 𝟔𝐕
𝐔𝟐 = 𝐑 𝟐 ∙ 𝐈 = 𝟏𝟎𝟎 ∙ 𝟎, 𝟎𝟒𝐀 = 𝟒𝐕
Grafische Methode:
Auch eine Reihenschaltung von zwei ohmschen Widerständen kann mit der grafischen
Methode gelöst werden.
Bei einer Reihenschaltung kann man zur Berechnung des Stromes I als Funktion von U1
𝐼 = 𝑓(𝑈1 ) folgende Gleichungen aufstellen:
(Vergleiche die Schreibweisen mit einer Funktion 𝑦 = 𝑓(𝑥) in der Mathematik!)
𝐔𝟏 𝟏
𝟏) 𝐈 = = ⋅𝐔 ⇒ 𝐖𝐢𝐝𝐞𝐫𝐬𝐭𝐚𝐧𝐝𝐬𝐠𝐞𝐫𝐚𝐝𝐞 𝐯𝐨𝐧 𝐑 𝟏 𝐝𝐞𝐫 𝐅𝐨𝐫𝐦: 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱
𝐑𝟏 𝐑𝟏 𝟏
𝐔𝟐 𝐔𝐠 − 𝐔𝟏 𝐔𝐠 𝐔𝟏 𝐔𝟏 𝐔𝐠
𝟐) 𝐈 = = = − = − +
𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝟏 𝐔𝐠
𝐈=− ⋅ 𝐔𝟏 + ⇒ 𝐆𝐞𝐫𝐚𝐝𝐞𝐧𝐠𝐥𝐞𝐢𝐜𝐡𝐮𝐧𝐠 𝐝𝐞𝐫 𝐅𝐨𝐫𝐦: 𝐲 = 𝐚 ∙ 𝐱 + 𝐛
𝐑𝟐 𝐑𝟐
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Die Arbeitsgerade von R2 kann man durch die Berechnung von zwei Punkten in das Diagramm
eintragen. Hierzu werden üblicherweise folgende Punkte genommen:
𝐔𝐠 𝐔𝐠
𝐔𝟏 = 𝟎 ⇒ 𝐈= ⇒ 𝐏𝐮𝐧𝐤𝐭 (𝟎 ; )
Gesetzt: 𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝟏 𝐔𝐠
𝐈=− ⋅ 𝐔𝟏 +
𝐑𝟐 𝐑𝟐
𝟏
𝐈= ⋅𝐔
𝐑𝟏 𝟏
Der Schnittpunkt (Arbeitspunkt A) ergibt die Stromstärke I für die gegebene Reihenschaltung.
Auch die Spannungen U1 und U2 können im Diagramm ermittelt werden.
Im Vergleich mit der Reihenschaltung einer Diode mit Vorwiderstand entspricht hier R1 der
Diode und R2 dem Vorwiderstand.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-1
Gegeben sei die abgebildete Diodenkennlinie: 𝐈𝐅 = 𝐟(𝐔𝐅 )
a) Die Diode liegt in Reihe mit einem Widerstand R = 26 an einer Spannung UB = 2,6V. Trage
die Arbeitsgerade in das Diagramm ein und bestimme grafisch den Arbeitspunkt A 1 der
Reihenschaltung. Ermittle die Stromstärke sowie die Teilspannungen an Diode und
Widerstand.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
b) Wie verändert sich die Lage des Arbeitspunktes, wenn die Betriebsspannung auf U B = 2V
verringert wird (R ändert nicht)?
Trage die neue Arbeitsgerade ein und ermittle die zugehörigen Werte im neuen
Arbeitspunkt A2.
c) Wie verändert sich die Lage des Arbeitspunktes, wenn bei UB = 2V der Wert des
Widerstandes auf R = 50Ω verändert wird?
Trage die neue Arbeitsgerade ein und ermittle die zugehörigen Werte im neuen
Arbeitspunkt A3.
d) Wie verändert sich die Lage des Arbeitspunktes, wenn bei UB = 20V der Wert des
Widerstandes auf R = 200Ω verändert wird?
Trage die neue Arbeitsgerade ein und ermittle die zugehörigen Werte im neuen
Arbeitspunkt A4.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-2
Ermittle rechnerisch die Stromstärke und die Teilspannungen am Widerstand und an der
Diode.
R1 = 20Ω
rF = 2,5Ω
US = 0,6V
U = 1,5V
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-3
An die Reihenschaltung einer Diode mit einem Widerstand R = 33Ω wird eine
Gleichspannungsquelle angeschlossen. Die Spannungsquelle hat eine Leerlaufspannung
U0 = 1,6V und einen Kurzschlussstrom IK = 80mA.
Wie groß ist der Strom, der durch die Schaltung fließt?
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-4
Eine Si-Diode wird in Reihe mit einem Widerstand R an der
Betriebsspannung UB betrieben. Dabei ergibt sich der in der
abgebildeten Kennlinie eingezeichnete Arbeitspunkt AP.
Bestimme die Betriebsspannung UB, den Wert von R so wie die
Spannung UR.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-5
a) Zeichne die idealisierte Durchlasskennlinie einer Diode mit der Schleusenspannung
US = 0,6V und dem differentiellen Ersatzwiderstand rF = 2Ω. Die Achseneinteilung soll von
0 .... 1V und von 0 .... 100mA reichen.
b) Diese Diode wird in Durchlassrichtung über einen Vorwiderstand RV = 150Ω an eine
Betriebsspannung UB = 12V angeschlossen. Bestimme zeichnerisch (oder rechnerisch) den
sich einstellenden Strom IF durch die Diode sowie die Spannung UF an der Diode.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Leuchtdioden wandeln den elektrischen Strom innerhalb des PN- Überganges in Licht um
(Umkehrung des Fotoeffektes, bei dem Licht in Strom umgewandelt wird). Sie bestehen aus
Mischkristallen wie z.B. Galliumarsenid (GaAs), Galliumarsenidphosphid (GaAsP),
Galliumphosphid (GaP) oder Galliumnitrid (GaN).
Leuchtdioden betreibt man üblicherweise mit einem Strom IF von 10 bis 20mA. Dabei beträgt
die Spannung UF etwa 1,6 V bis 2,7V, je nach LED-Farbe. Der maximale Strom IFmax darf je nach
Diodentyp etwa 50mA nicht überschreiten. Deshalb ist zur Strombegrenzung immer ein
Vorwiderstand erforderlich.
Sollen Leuchtdioden mit Wechselspannung betrieben werden, so ist darauf zu achten, dass
die maximale LED-Sperrspannung (meist 5V) nicht überschritten wird.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Die klassischen Farben sind rot, grün, gelb und orange. Es gibt aber auch noch blaue und weiße
LED. Je nach Farbe besteht der Halbleiterkristall einer Leuchtdiode aus unterschiedlichen
Materialien. Die Farbe des Lichts d.h. die Wellenlänge des Lichts wird vom Halbleiterkristall
und von der Dotierung bestimmt. Der Kristall besteht aus einer n- und einer p-Schicht. Von
daher unterscheidet er sich kaum von einer normalen Halbleiterdiode.
LED unterscheiden sich nicht nur in ihrer Farbe, sondern auch in ihren elektrischen
Eigenschaften. Die verschiedenen Farben haben auch verschiedene Durchlassspannungen US.
Die Forschung verspricht für die Zukunft sehr interessante Ergebnisse im Bereich der
Beleuchtungstechnik. Im Vergleich zu anderen Leuchtmitteln ist der Wirkungsgrad einer LED
sehr hoch, so dass der grösste Teil der elektrischen Energie in Licht umgewandelt wird.
Der Physik-Nobelpreis 2014 wurde an ein japanisches Forscherteam verliehen, dessen
Arbeiten die Herstellung von blauen und weißen LED ermöglichten.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-6
In einem Netzgerät für UB = 12V (Gleichspannung) dient eine LED CQX 35 als Betriebskontroll-
Leuchte. Es soll ein Strom IF von 40mA fließen. Bestimme den erforderlichen Vorwiderstand.
Video LED im
Stromkreis
https://www.youtube.c
om/watch?v=d0z0K-
fZcg8
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 3-7
Eine blaue Leuchtdiode soll mit einem Strom von IF = 10mA an einer Reihenschaltung von 1,5V
Batterie-Zellen betrieben werden.
a) Wähle die notwendige Anzahl der 1,5V Batterien und berechne den erforderlichen
Vorwiderstand.
b) Eine rote LED soll in Reihe zur blauen LED geschaltet werden. Bestimme die
Batteriespannung, den Vorwiderstand und die Anzahl der notwendigen 1,5V Batterien,
damit weiterhin ein Strom von 10mA fließt.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Blinkende LED
Der Ausgang des Arduino liefert eine Spannung von
5V. Die LED muss deshalb zum Schutz über einen
geeigneten Vorwiderstand angeschlossen werden.
Video Arduino-
Tutorial 2
(Blinklicht)
Arduino-Schaltung mit Software https://www.youtub
e.com/watch?v=BKm
Code für eine blinkende LED 1QFZS0m4
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Lauflicht
Auf ähnliche Weise kann man ein programmierbares Lauflicht aufbauen.
Video Arduino
Lauflicht
https://www.youtube.co
m/watch?v=Z_MvWpcwW
ao
Über den Software-Code kann man die verschiedenen LED’s in beliebiger Reihenfolge ein- und
ausschalten.
Liest man über einen analogen Eingang des Arduino die Ausgangsspannung eines
Potentiometers ein, so kann man sogar die Blinkfrequenz verstellen.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
4 Gleichrichterschaltungen
Mit Dioden kann man Wechselspannung in Gleichspannung
umwandeln. Solch eine Schaltung nennt man Gleichrichter.
Ein Gleichrichter befindet sich in jedem elektronischen Gerät,
das an die Netzspannung (sinusförmige Wechselspannung)
angeschlossen wird, und wo Gleichspannung benötigt wird.
Ladesäule für E-Auto
(Ladeadapter für Akkus, Computer, Elektroautos,
Unterhaltungselektronik usw.).
UN U1 UL RL
Prinzipschaltbild von einem Ladegerät: Der Lastwiderstand RL symbolisiert das angeschlossene Gerät
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
4.1 Einweg-Gleichrichter
Die folgenden Diagramme zeigen die zeitlichen Verläufe von Eingangsspannung U1,
Ausgangsspannung UL, Strom IL und Diodenspannung UF. Die Diode wird dabei als ideal
angenommen, d.h. die Schleusenspannung US wird vernachlässigt (US = 0V). Somit ist UF = 0V
wenn die Diode leitet.
Nachteil: Pro Periode wird nur eine Halbwelle ausgenutzt und somit nur 50% der
möglichen Energie übertragen. Einweg-Gleichrichter werden deshalb nur für
kleine Leistungen gebaut.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
4.2 Zweiweg-Gleichrichter
Der Zweiweg-Gleichrichter (Brückengleichrichter) besteht aus 4 Dioden:
• Während der positiven Halbwelle
von U1 sind die Dioden V1 und V4 in
Durchlassrichtung geschaltet. Es
fließt ein Strom I1.
• I1 und I2 durchfließen den Lastwiderstand in gleicher Richtung. Sie bilden zusammen den
Strom IL. Die Spannung UL hat den gleichen zeitlichen Verlauf wie der Strom IL (bei
ohmscher Belastung).
Gleichrichtermodule mit 4
Dioden
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Video
Wechselspannung
und Gleichrichter
https://www.youtu
be.com/watch?v=S
FeRbLnz8NI
Der Kondensator CL stellt einen Energiespeicher dar, der sich auf den Maximalwert der
Ausgangsspannung auflädt. CL muss deshalb auf den Scheitelwert der Ausgangsspannung
ausgelegt sein.
In der darauffolgenden Pause gibt der Kondensator einen Teil seiner Energie an den
Lastwiderstand ab. Bei genügend großer Kapazität von CL erhält man eine konstante
Gleichspannung.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
4.3 Gleichrichtwert
Der Gleichrichtwert ist der arithmetische Mittelwert einer gleichgerichteten Spannung.
Gleichrichtwert und Effektivwert sind die beiden wichtigsten Mittelwerte von periodischen
Wechsel- und Mischgrößen. Sie können bei beliebigen periodischen Schwingungen durch
Integration berechnet werden. Gleichrichtwerte werden durch „Überstreichen“
gekennzeichnet, Effektivwerte dagegen durch Großbuchstaben.
Zum Beispiel ist bei einem Gleichstrommotor das Drehmoment proportional zum
Gleichrichtwert des Motorstroms.
Definition: Der arithmetische Mittelwert ist der Durchschnittswert den Strom bzw.
Spannung während einer Periode annehmen.
𝐓 𝐓
𝟏
𝐮 = ⋅ ∫ 𝐮(𝐭) 𝐝𝐭 𝐛𝐳𝐰. 𝐮 ⋅ 𝐓 = ∫ 𝐮(𝐭) 𝐝𝐭
𝐓 𝟎 𝟎
Video
Arithmetischer
Mittelwert
https://www.youtube.co
m/watch?v=RlyfmqA1Nos
T
Die grüne Fläche unter der periodischen Schwingung während einer Periode (∫0 u(t) ⋅ dt)
entspricht der roten Rechteckfläche (u ⋅ T)
Durch Integration erhält man:
T 1ms 3ms
1 1
u= ⋅ ∫ u(t) ⋅ dt = ⋅ [∫ 6V ⋅ dt + ∫ 0V ⋅ dt]
T 0 3ms 0 1ms
1 1
u= ⋅ [6V ⋅ t]1ms
0 = ⋅ [6V ⋅ 1ms − 6V ⋅ 0] = 2V
3ms 3ms
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 4-1
Berechne mit Hilfe der Integration den arithmetischen Mittelwert (Gleichrichtwert) der
Ausgangsspannung, wenn am Eingang eine sinusförmige Wechselspannung mit der Amplitude
û anliegt.
Die Dioden sollen als ideal betrachtet werden, so dass gilt: ûL = û
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 4-2
Katrin ist der Meinung, dass bei ihrer Geburtstagsparty
keine Stimmung aufkommen wird, weil die Lichterkette
zu hell leuchtet. Sie hat die Idee, mit Hilfe einer Diode,
die Leuchtkraft zu reduzieren. Bei der Lichterkette
handelt es sich um 30 Glühbirnen von 40W/230V in
Parallelschaltung.
Lichterkette
a) Zeichne die Schaltung der Lichterkette mit Diode und erkläre die Funktionsweise.
b) Um wieviel Prozent wird die Leuchtkraft reduziert? Begründe deine Aussage!
c) Wähle eine passende Diode aus. Welche elektrischen Größen müssen hierzu beachtet
werden? (Datenblätter von Dioden findest du im Internet - z.B. Dioden-Typen: 1N4997,
1N5408, BY550, SB540)
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 4-3
Während Katrin sich schick macht für die Party, liest sie auf
ihrem Föhn die Aufschrift 1600W/230V und fragt sich wie so
ein Föhn wohl genau funktioniert?
Im Internet findet sie den Schaltplan und die folgenden
Angaben:
Katrin mit ihrem Föhn
Motor: Gleichstrom-Motor für 50V
Heizdrahtwiderstand: R = 35Ω.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
5 Der Transistor
Der Transistor ist eine der wichtigsten Erfindungen
des 20. Jahrhunderts. Der erste funktionierende
Bipolar-Transistor wurde 1947 in den Bell
Laboratories (USA) entwickelt. Das amerikanische
Forscherteam (Bardeen, Shockley, Brattain) bekam
hierfür 1956 den Physik Nobelpreis.
Video Transistor
K-H Meier
https://www.youtube.co
m/watch?v=6KDafv1SZ9U
Ein Transistor kann als einzelnes Bauelement verwendet werden oder in einer integrierten
Schaltung, wo sich mehrere Milliarden von
einzelnen Transistoren auf einer unvorstellbar
winzigen Fläche auf einem Silizium-Wafer
befinden können.
-40-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
• Kollektor-Emitterspannung UCE
• Basis-Emitterspannung UBE
• Kollektorstrom IC
• Basisstrom IB
• Emitterstrom IE
Video Transistor
(werde Ingenieur)
https://www.youtube.co
m/watch?v=5wIRJN3DN_8
5.2 Wirkungsweise
Im NPN-Transistor befinden sich zwei PN-Übergänge. Es entstehen also zwei Sperrschichten
in welchen sich keine freien Ladungsträger befinden.
Ist die Basis-Emitter-Spannung UBE = 0V oder kleiner als die Schleusenspannung US ≈ 0,7V der
Basis-Emitter-Strecke, so sperrt der Transistor und es fließt kein Strom (IB = 0, IC = 0).
-41-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Wird die Basis-Emitter-Spannung UBE größer als die Schleusenspannung US ≈ 0,7V der Basis-
Emitter-Strecke, so beginnt der Transistor zu leiten. Es fließt ein großer Strom IC vom
Kollektor zum Emitter (und ein sehr kleiner Strom IB).
Die Emitterzone ist beim Bipolartransistor stark dotiert, die Kollektorzone etwas weniger. Die
außerordentlich dünne Basisschicht enthält nur eine geringe Anzahl Fremdatome. Fließt ein
Basisstrom IB, überfluten vom Emitter her viele Elektronen die dünne Basisschicht.
Da diese Schicht nur schwach dotiert ist, können nur wenige Elektronen mit Löchern
rekombinieren. Es fließt nur ein schwacher Basisstrom. Die meisten Ladungsträger gelangen
durch das starke elektrische Feld der Basis-Kollektor-Sperrschicht zum Kollektor, wodurch ein
hoher Kollektorstrom entsteht. Er kann um den Faktor 10 bis 500 mal größer sein als der
Basisstrom.
Wird UBE > 0,7V, so wird der Transistor leitend (Strom IC fließt vom Kollektor zum Emitter)
Mit einem kleinen Basisstrom IB kann somit ein großer Kollektorstrom IC gesteuert werden.
Dies erklärt die Verstärkungswirkung des Transistors. Um den kleinen Basisstrom IB in einen
großen Kollektorstrom IC zu verstärken, muss natürlich eine externe Energiequelle zur
Verfügung stehen, die den größeren Kollektorstrom auch liefern kann. Diese externe
Energiequelle ist die Versorgungsspannung UB (Batterie) der Transistorschaltung.
-42-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Der Transistor
(Leifiphysik)
https://www.leifiphysik.d
e/elektronik/transistor/gr
Mechanisches Wassermodell eines Transistors undwissen/der-transistor-
effekt
Man kann einen Transistor auch als einen mit dem Basisstrom gesteuerten Widerstand
betrachten.
-43-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Eingangskennlinie
Der Zusammenhang zwischen dem Basisstrom IB und der Basis-Emitterspannung UBE) wird als
Eingangskennlinie eines Transistors bezeichnet. Weil es sich hierbei um einen PN-Übergang
handelt ist die Kennlinie identisch mit einer Diodenkennlinie.
Video Transistor
Eingangskennlinie
https://www.youtu
be.com/watch?v=j6
BEg50hY2w
Die Eingangskennlinie hat den Verlauf einer in Durchlassrichtung betriebenen Diode. Für
Siliziumtransistoren ergibt sich eine Schleusenspannung von ca. 0,65V. Erst nach
Überschreiten der Schleusenspannung kann ein Basisstrom fließen.
Stromsteuerkennlinie (Stromverstärkungskennlinie)
Die Stromsteuerkennlinie gibt den Zusammenhang zwischen Kollektorstrom IC und
Basisstrom IB an.
Stromverstärkungskennlinie: IC = f(IB) bei UCE = konst.
Video Transistor
Stromsteuerkennlinie
https://www.youtube.com/w
atch?v=4TDdlGQ4k7Y
-44-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Ausgangskennlinien
Die Ausgangskennlinie gibt den Zusammenhang zwischen IC und UCE bei einem konstanten
Basistrom IB an. Weil dieser Zusammenhang für jeden Basisstrom ändert, gibt es für jeden
Basisstrom eine eigene Kennlinie. Man erhält somit ein Ausgangskennlinienfeld.
Video Transistor
Ausgangskennlinien
https://www.youtube.co
m/watch?v=Jz2BB9GcmTE
5.4 Grenzwerte
Jeder Transistor hat natürlich auch Grenzwerte die nicht überschritten werden dürfen,
ansonsten wird der Transistor zerstört.
-45-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Vierquadranten-Kennlinienfeld
Werden die 3 Kennlinien zu einem so genannten Vierquadranten-Kennlinienfeld
zusammengefügt, so erkennt man die Verstärkungswirkung. Legt man eine konstante
Spannung UCE (Betriebsspannung – z.B. UCE = 5V) an den Transistor und verändert die
Eingangsspannung UBE zwischen 0,6V – 0,8V, so ergeben sich verschiedene Basisströme IB.
Für jeden Basisstrom IB erhält man einen verstärkten Kollektorstrom IC und einen
entsprechenden Arbeitspunkt A auf einer Ausgangskennlinie.
-46-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Transistor als Schalter Transistor, kann somit wie mit einem elektronisch
betätigten Schalter ein- und ausgeschaltet werden. Der
Verbraucher wird oft als Kollektorwiderstand RC dargestellt.
Video Transistor
als Schalter
https://www.youtu
be.com/watch?v=t
6W9VwONJys
Transistor als Schalter
Ein Vorwiderstand RV sorgt dafür, dass der maximal zulässige Wert des Basisstroms IBmax nicht
überschritten wird. Der Wert von RV hängt auch vom maximalen Wert der Steuerspannung USt
ab: 𝐔𝐒𝐭 − 𝐔𝐁𝐄
𝐑𝐕 =
𝐈𝐁𝐦𝐚𝐱
Weil der Kollektorwiderstand RC (Verbraucher) in Reihe mit dem Transistor geschaltet ist kann
man, wie bei einer Diode, eine Arbeitsgerade in das Kennlinienfeld einzeichnen.
Weil bei dieser Schaltung der Emitter des Transistors an Masse angeschlossen ist wird sie oft
als Emitterschaltung bezeichnet.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Sobald UBE die Schwellenspannung US (= 0,7V) übersteigt, wird der Transistor leitend (Schalter
geschlossen) und der Arbeitspunkt befindet sich auf der IC-Achse. Ist UBE kleiner als US, so
sperrt der Transistor (Schalter offen) und der Arbeitspunkt befindet sich auf der UCE-Achse.
Die hier gezeigten Arbeitspunkte gelten für einen idealen Transistor in leitendem resp.
gesperrten Zustand. In der Praxis gibt es jedoch keinen idealen Transistor, so dass sich in
Wirklichkeit der Arbeitspunkt des Transistors in leitendem Zustand etwas nach rechts (UCE
sehr klein und IC etwas kleiner als ICmax) bzw. in gesperrten Zustand etwas nach links (UCE etwas
kleiner als UB und IC sehr klein) auf der Arbeitsgerade verschiebt.
-48-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Video Berührungs-
Taster
https://www.youtube.com/w
atch?v=39ujTQrMfP8
Berührungstaster
Treppenhausbeleuchtung (Ausschaltverzögerung)
Eine Lampe soll nach kurzer Betätigung eines Tasters T für eine gewisse Zeit leuchten.
Während der Taster geschlossen ist, lädt der Kondensator sich auf, der Transistor wird leitend
und die Lampe leuchtet. Bei geöffnetem Taster entlädt der Kondensator sich über die Basis
des Transistors. Der Basisstrom IB ist für eine kurze Zeit groß genug um den Transistor leitend
zu halten. Ist der Kondensator entladen, sperrt der Transistor und die Lampe geht wieder aus.
Will man die Leuchtdauer der Lampe verändern, so muss man den Kondensator wechseln!
Video
Ausschaltverzögerung
https://www.youtube.com/wat
ch?v=hWMUMEhtKVw
Ausschaltverzögerung
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Funduino Taster
einlesen
https://funduino.de/n
r-5-taster-am-
arduino#Sketch_Nr6_
Eine_LED_per_Tasten
druck_aktivieren
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Dämmerungsschalter
Mit einem lichtabhängigen
Widerstand (LDR = Light Dependant
Resistor) und einem Transistor kann
man eine Schaltung bauen, die das
Licht bei Dämmerung automatisch
einschaltet. Je dunkler es wird, desto
größer wird der Widerstand eines
LDR. Ersetzt man in einem Kennlinie von einem LDR
Video
Dämmerungssch
alter
https://www.youtube
.com/watch?v=-
VmZ2sxXYvY
Dämmerungsschalter
Um die Widerstände zu dimensionieren muss der LDR zunächst mit einem Ohm-Meter
ausgemessen werden und seine Widerstandswerte für „hell“ und „dunkel“ ermittelt werden.
Danach muss der Spannungsteiler so eingestellt werden, dass für den Widerstandswert
„dunkel“ die Spannung am LDR bei der gewählten Betriebsspannung groß genug ist, damit der
Transistor durchschaltet. (wiederhole hierzu das Kapitel Spannungsteiler vom letzten Jahr
oder informiere dich im Internet)
-51-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Bei einem modernen Dämmerungsschalter wird die Spannung am LDR von einem analogen
Eingang eines Mikrocontrollers eingelesen, und je nach dessen Wert die Lampe eingeschaltet
oder nicht. Durch die Programmierung ist man flexibler und kann die Schaltung einfach und
genau einstellen.
Arduino.cc
Analoge
Spannung
einlesen
https://www.arduino.
cc/en/Tutorial/Analog
Input
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Bei der Pulsweitenmodulation (PWM) wird ein Verbraucher mit einem Rechtecksignal
konstanter Amplitude UB mit hoher Frequenz f = 1/T (kHz Bereich) während der Zeit Tein
eingeschaltet und während der Zeit Taus ausgeschaltet (Tein + Taus = T). Das Tastverhältnis Tein/T
̅ 𝒎 der anliegenden Spannung. Durch die „Trägheit“
(Duty Cycle) bestimmt den Mittelwert 𝑼
des Verbrauchers scheint es, als ob eine Gleichspannung mit dem Mittelwert des PWM-Signals
anliegt. Weil ein Transistor nur während der sehr kurzen Schalt-Übergänge Verlustleistung
aufnimmt, kann man mit diesem Verfahren die Leistung eines Verbrauchers ohne
nennenswerte Verluste (Elektrische Energie, die durch Wärme verloren geht) steuern.
Weil in einem Elektromotor Spulen (Induktivitäten) enthalten sind, entstehen beim Ein- und
Ausschalten hohe Selbstinduktionsspannungen. Um den Transistor gegen diese
Spannungsspitzen zu schützen, schaltet man eine Diode parallel. (Freilaufdiode).
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Mikrocontroller haben spezielle PWM-Ausgänge und Befehle, mit denen sich eine PWM-
Steuerung sehr einfach programmieren lässt. Die verwendeten PWM-Frequenzen können
einige kHz betragen.
𝟏
𝐔𝐦 = ∙𝐔
𝟒 𝐁
𝟐 𝟏
𝐔𝐦 = ⋅ 𝐔𝐁 = ⋅ 𝐔𝐁
𝟒 𝟐
𝟑
𝐔𝐦 = ⋅𝐔
𝟒 𝐁
𝐓𝐞𝐢𝐧
̅𝐦 =
𝐌𝐢𝐭𝐭𝐞𝐥𝐰𝐞𝐫𝐭 𝐔 ⋅ 𝐔𝐁
𝐓
Mit dem PWM-Verfahren kann man nicht nur Gleichstrom-Motoren mit variabler Drehzahl
ansteuern, sondern auch die Helligkeit von Lampen oder die Leistung einer Heizung verändern
(Dimmer).
Video
PWM
https://www.youtube
.com/watch?v=B_Ysd
v1xRbA
-54-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Zum Schutz der Transistoren gegen Selbstinduktionsspannungen, die beim Schalten der
Motorströme entstehen, müssen Freilaufdioden parallel zu den Transistoren geschaltet
werden.
Eine solche Schaltung bezeichnet man als H-Brücke. Sie wird sehr häufig in der Elektronik
angewendet. Es gibt H-Brücken als integrierte Schaltungen für unterschiedliche Ströme und
Leistungen für kleine und große Motoren.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Das folgende Bild zeigt einen Ausschnitt aus dem Datenblatt einer integrierten H-Brücke zur
Ansteuerung von Gleichstrommotoren (L293D).
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Hifiverstärker
modernen Musik- oder Gitarrenverstärker.
Kleine Ströme und Spannungen können
soweit verstärkt werden, dass sie hoch genug sind, um große Lautsprecherboxen mit hoher
Leistung zu betreiben.
Auch in der Mess- und Sensortechnik müssen oft sehr kleine Spannungen und Ströme mit
Transistoren verstärkt werden.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Auf diese Weise können sowohl die „oberen“ Anteile (grösser als der Mittelwert) wie auch
„unteren“ Anteile (kleiner als der Mittelwert) der Eingangswechselspannung UBE
gleichermaßen verstärkt werden.
Die Ausgangsspannung UCE wechselt somit auch zwischen 0V und der maximalen Spannung
UB hin und her.
Eingangsspannung = UBE
Ausgangsspannung = UCE
Arbeitspunkte:
Am Eingang: APE (UBE = 0,7V; IB = 0,2mA)
Am Ausgang: APA (UCE = 6V; IC=10mA)
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Nach Ablesen von UBE und IB (Arbeitspunkt am Eingang) können die Werte von R1 und R2
berechnet werden:
𝐔𝟏 𝐔𝐁 − 𝐔𝐁𝐄 𝐔𝐁𝐄 𝐈𝐪
𝐑𝟏 = = 𝐑𝟐 = 𝐦𝐢𝐭 𝐪 =
𝐈𝟏 𝐈𝐁 + 𝐈𝐪 𝐈𝐪 𝐈𝐁
Der Schnittpunkt des Kollektorstroms IC von der Stromsteuerkennlinie und der dem Strom IB
entsprechenden Ausgangskennlinie ergibt die Spannung UCE für den Arbeitspunkt am Ausgang
des Transistors.
𝐔𝐑𝐂 𝐔𝐁 − 𝐔𝐂𝐄
𝐑𝐂 = =
𝐈𝐂 𝐈𝐂
-59-
1GIG Elektrotechnik Elektronik
Video Transistor
Kennlinien +
Verstärker
https://www.youtube
.com/watch?v=b4OpU
qBI9WU
𝟏 𝐔𝐁
𝐈𝐂 = − ⋅ 𝐔𝐂𝐄 +
𝐑𝐂 𝐑𝐂
Die Spannungsänderung ΔUBE wird über die Eingangskennlinie in eine Stromänderung ΔIB
umgewandelt. Diese Stromänderung ΔIB erzeugt gemäß der Stromverstärkungskennlinie auch
auf der Ausgangsseite des Transistors eine Stromänderung ΔIC.
Am Kollektorwiderstand RC erzeugt die Stromänderung ΔIC eine Spannungsänderung ΔURC und
folglich auch ΔUCE.
Man erkennt, dass die verstärkte Ausgangswechselspannung UCE gegenüber der
Eingangswechselspannung UBE um 180° phasenverschoben ist.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Man unterscheidet beim Transistor als Verstärker zwischen der Spannungsverstärkung Vu,
Stromverstärkung Vi, und Leistungsverstärkung Vp. Diese werden folgendermaßen berechnet
(die verschiedenen Differenzwerte werden aus den Kennlinien herausgelesen; die
Verstärkungen sind Zahlenwerte ohne Einheit):
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Wenn IB und IC durch die Erwärmung größer werden, vergrößert sich auch der Emitterstrom IE
und somit auch die Spannung 𝑈𝑅𝐸 = 𝑅𝐸 ∙ 𝐼𝐸 am Widerstand RE. UR2 bleibt jedoch konstant
wegen dem fest eingestellten Spannungsteiler und der konstanten Betriebsspannung U B.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Es gilt:
𝐔𝐑𝟐 = 𝐔𝐁𝐄 + 𝐔𝐑𝐄 ⟺ 𝐔𝐁𝐄 = 𝐔𝐑𝟐 − 𝐔𝐑𝐄
Wenn URE größer wird dann wird UBE kleiner und IB und IC verringern sich wieder. Die
Arbeitspunkte „wandern“ wieder zurück auf die ursprünglichen Positionen.
Wirkungskette:
Dieses Prinzip wird Stromgegenkopplung genannt, weil ein steigender Strom IE einer
Vergrößerung von IB und IC entgegenwirkt.
Weil durch den Emitterwiderstand RE die Verstärkung herabgesetzt wird (IE wird kleiner),
schaltet man in der Praxis einen Kondensator CE parallel zu RE. Somit können Wechselströme
ungehindert über CE fließen und die Verstärkung wird nicht beeinflusst.
𝐔𝟏 𝐔𝐁 − 𝐔𝐁𝐄
𝐑𝟏 = =
𝐈𝐁 𝐈𝐁
Für R1 kann zum Beispiel ein Stellwiderstand (Potentiometer) verwendet werden, der dann
auf den genauen Widerstandswert eingestellt wird.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Der Kondensator C (Koppelkondensator) verhindert, dass Gleichstrom von der Basis des
Transistors (und von UB) in die Signalquelle (Smartphone) hineinfließt und dass Gleichstrom
vom Smartphone in die Basis des Transistors fließt und so den Transistor permanent in den
leitenden Zustand versetzt (Arbeitspunktverschiebung). In diesem Fall wäre keine
Stromänderung von IC mehr möglich und der Verstärker wäre übersteuert.
Video Transistor
Verstärker mit
Lautsprecher
https://www.youtube
.com/watch?v=0Mzwi
EnAUKU
Einfache Verstärkerschaltung zum Verstärken eines Musiksignals
Achtung:
Weil ein normaler Lautsprecher einen relativ kleinen Gleichstromwiderstand (4-8Ω) besitzt,
kann der Strom IC durch den Lautsprecher ziemlich groß werden (abhängig von der
Betriebsspannung UB und des eingespeisten Basisstroms IB). Der hier verwendete
Kleinsignaltransistor könnte so überhitzen. Diese Schaltung eignet sich deshalb nicht für
Dauerbetrieb. Man kann damit jedoch die Stromverstärkung des Transistors anschaulich
demonstrieren.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Beim Betrieb dieser Schaltung sollte man deshalb die Stromaufnahme überwachen
(Amperemeter an der Betriebsspannungsquelle). Der Kollektorstrom darf längerfristig nicht
größer als der im Datenblatt vom verwendeten Transistor angegebene Wert ICmax sein (z.B.
1,5A beim BC140 – siehe Datenblatt). Durch Berühren des Transistorgehäuses mit dem Finger
kann man auch leicht überprüfen, ob der Transistor überhitzt.
Im Folgenden ist die erste Seite vom Datenblatt des Transistors BC140 mit seinen Grenzwerten
gezeigt. Im Internet findet man die vollständigen Datenblätter aller elektronischen Bauteile.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Die nachfolgende Schaltung vermittelt einen Eindruck von der Komplexität einer solchen
Verstärkerschaltung.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 5-2
Ein Transistor mit nachfolgenden Ausgangskennlinien wird als Verstärker in Emitterschaltung
betrieben. Die Basis-Emitter-Vorspannung UBE wird mit einem Basisspannungsteiler erzeugt.
Bekannt sind folgende Größen:
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 5-3
Ein Transistor BD 130 wird mit einem Arbeitswiderstand von 1,25Ω an eine Spannung von 10V
angeschlossen.
a) Ermittle den ausgangs- und den eingangsseitigen Arbeitspunkt (IB = 0,2A).
b) Die Basisvorspannung UBE wird durch einen Basisvorwiderstand R1 erzeugt. Berechne den
Wert von R1.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 5-4
Ein Transistor BC237 wird in Emitterschaltung an einer Betriebsspannung UB = 15V betrieben
und der Kollektorstrom soll 20mA betragen. Die Gleichstromverstärkung des Transistors ist
mit 340 angegeben, die Basisvorspannung mit UBE = 0,625V.
a) Berechne die Widerstände R1 und R2, wenn die Basisvorspannung mit einem
Spannungsteiler erzeugt wird (q = 6).
b) Berechne den Widerstand R1, wenn die Basisvorspannung mit einem Vorwiderstand
erzeugt wird.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Aufgabe 5-5
Folgende Kennlinien eines Kleinsignaltransistors sind gegeben. Die Betriebsspannung soll 30V
betragen und der Kollektorwiderstand wird mit 300 angegeben.
Bestimme VI, VU und VP des Transistors. Die Änderung der Eingangsspannung ist mit ΔUBE
vorgegeben.
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Bildverzeichnis
Alle hier nicht aufgeführten Bilder wurden von den Autoren selbst gezeichnet bzw.
fotografiert.
Deckblatt Elektronische Komponenten: PhotoProRo / shutterstock.com
Europa Lehrmittel
Seite 2
Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Description: w:Transistor die, wedge w:wire bonding * Author, date of creation: selfmade by Shaddack, 5
December 2005 * Source: self-made * Copyright: Public Domain (PD) * Comments: KSY34 transistor d
Seite 40
(https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Transistor-die-KSY34.jpg), „Transistor-die-KSY34“, als gemeinfrei
gekennzeichnet, Details auf Wikimedia Commons: https://commons.wikimedia.org/wiki/Template:PD-self
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1GIG Elektrotechnik Elektronik
Europa Lehrmittel
Seite 43 Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Bild 203-2 Messschaltung zur Kennlinienaufnahme eines NPN-Transistors
Europa Lehrmittel
Seite 48 Fachkunde Elektrotechnik 29. Auflage, Bilder-CD
Bild 208-2 Schaltzustände des Transistors bei Widerstandslast
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