Modelo Del Gas de Electrones
Modelo Del Gas de Electrones
Modelo Del Gas de Electrones
Elementos metlicos
Conductividad en materiales
En todos los materiales la conduccin de carga se realiza mediante "portadores de carga".
En los metales, los portadores son electrones En lquidos suele haber transporte de carga por iones de ambos signos En algunos slidos tambin se produce transporte de carga por iones. Este proceso es generalmente de tipo intersticial como ocurre con iones Na+ y K+ en SiO2 y de oxgeno en ZrO2.
Conductividad elctrica
Modelo de Drude
Interpretacin clsica del fenmeno de transporte de carga en un slido
Drude desarroll su modelo en 1900 de la conductividad elctrica y trmica aplicando la teora cintica de los gases
Conductividad elctrica
El flujo de carga elctrica en un material es el producto de:
n nmero de portadores de carga por unidad de volumen (densidad) q carga elctrica de cada uno movilidad de los portadores de carga
j = nq
densidad electrnica? velocidad de los portadores?
Densidad de electrones n
Z nmero de electrones de valencia m densidad A masa atmica
Nmero de Avogadro (tomos/mol) * (m/A)* nmero de electrones que aporta cada tomo
1 2 3 mv = k BT 2 2
y obedece a la distribucin
3 r E (v ) k BT
m r dn = f MB (v ) = N 2k T dv B
e
2
Camino libre medio: distancia media recorrida entre colisiones. Tiempo de relajacin: Tiempo promedio entre colisiones velocidad media de los electrones Valores estimados
Ver simulacin
El movimiento es al azar lo que determina que no hay un desplazamiento efectivo en alguna direccin. La velocidad media de los electrones es nula, <v >= 0.
En este caso hay un desplazamiento efectivo en la direccin opuesta al campo elctrico, experimentado por cada electrn. La velocidad media de los electrones en este caso es la velocidad de arrastre, generando un trasporte efectivo de carga El efecto global por las colisiones con la red es similar al roce viscoso
d 2x v eE + = 2 dt m
Ley de Ohm
A V
r r E = j
Ejercicio
Estimar la conductividad tpica de un metal a 295 K suponiendo un camino libre medio de alrededor de 1 nm y un nmero de electrones de valencia de alrededor de 1029 m-3 Respuesta:
1 3 2 mvD = k BT 2 2
vD = 1.16 X 10 m s
5
15
v=
= 8.62 X 10
2
ne 7 1 1 = ne = = 2.42 X 10 m m
= (H )
hilo metlico
r E
jx = 0 E
r H
r E
= 0 = 1 / 0 !
r er r e r FL = v H = vHu y c c
r H
r r Fy = eE y u y
++++++++++r ++ ++++++++++ + Fy
Ey
________________________
r FL
Ex
r r FL + Fy = 0
jx = 0 Ex
( H ) = 0
r H
++++++++++r ++ ++++++++++ + Fy
Ey
________________________
r FL
Ex
r r FL + Fy = 0
e eE y = vH c
Coeficiente Hall
H Ey = jx nec
Ey
VH
Acceso a la carga y concentracin de portadores !!!
1 = RH = H = jx H nec
1 RH = H HJ x nec Ey
RH independiente de H para campos grandes (c >>1)
eH c = mc
Modelo de Sommerfield
Es la versin cuntica del gas de electrones libres que incorpora el principio de exclusin de Pauli, dando lugar al gas de electrones degenerado tal y como se realiz en el tomo. La funcin de distribucin clsica de Maxwell Boltzmann del modelo de Drude se reemplaza por la distribucin de Fermi-Dirac en el modelo cuntico que introduce la energa de Fermi como la escala nueva de energa que domina las propiedades electronicas incluso a temperatura ambiente ya que es mucho mas pequea que la temperatura de Fermi. Esto hace que el camino libre medio de los electrones del gas cuntico sea dos rdenes de magnitud ms grande que el parmetro de red, en contra de las predicciones del modelo de Drude. A pesar de ello, este modelo todava segua sin explicar dos observaciones importantes. Por un lado, la existencia de aislantes y por otro el signo positivo del coefficiente Hall observado en muchos metales.
Condiciones peridicas
Densidad de estados
Para un cristal con dimensiones macroscpicas el espacio k se llena densamente, esto es:
Como
V 2mE N= 2 2 3 h
dN V 2m 1 2 D( E ) = E 2 2 dE 2 h
ET =
EF
E D ( E )dE
3 = nK B T F 5
ET
3 = nE 5
La presin es:
3 E F 3 2 dE = n P EF = n 5 V 5 3V dV
2E P= 3V
Nanoestructuras
200 Hilo cuntico 200
Pozo cuntico
(a)
(b)
Punto cuntico
200
(c)
Puntos cunticos
Micrografa electrnica de barrido de un arreglo de puntos cunticos en una estructura de InSb.
n 1013cm2
Heterouniones semiconductoras
n 1011 cm 2
n 109 cm 2
5000 A
Silicon MOSFET
n 1011 1013 cm 2
conduction band energy gap
oooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooooo
valence band
p-Si F
Al
situacin de equilibrio
gate
eVG p-Si
Al