3.2 Polarizacion Del Jfet
3.2 Polarizacion Del Jfet
2. Consultar sobre:
Figure 1.
Resultado de la prueba: Si se obtiene una medida de 513mv o similar (Los resultados varían
según el tipo de FET), se debe a la conexión con Source, por el contrario,
Si se realiza la medición con el otro terminal, se debe presentar que:
Figura 2.
Resultado de la prueba: No se debe obtener lectura alguna, el FET está en circuito abierto, es
decir estamos en la terminal Gate(canal)
Figura 4.
Los puntos incluidos en la curva (figura 5) representan la corriente ID y la tensión VGS en la zona
de saturación, mientras que los puntos del área bajo la curva representan la zona óhmica. Si |VGS| >
|Vp| (zona de corte) la corriente de drenaje es cero (ID=0).
Figura 5.
2.7 Circuito y procedimiento necesario para obtener en el laboratorio los parámetros Vgsoff,
Idss, del JFET.
Con 𝑉𝐺𝑆 = 0[𝑉], medir el valor del voltaje VRD a través de la resistencia del Drain. Usar
𝑉
la ecuación 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 𝑅𝑅𝐷
𝐷
Lentamente aumentar VGS (más negativamente) hasta que VRD =0 [v]. este el punto ID =0
[A]. El valor de VGS donde ID =0[A] es VP
2.8 Circuitos de polarización del transistor JFET.
Figura 6. Configuraciones del JFET
(Boylestad & Nashelsky, 1997)
Bibliografía
Boylestad, R. L., & Nashelsky, L. (1997). Teoria de Circuitos. Mexico: Carol Hinklin
Robison.
FLOYD, T. L. (2008). Dispositivos electrónicos. Mexico: PEARSON EDUCACIÓN,.
Fundación Wikimedia, Inc. (3 de mayo de 2019). Wikipedia. Obtenido de JFET:
https://es.wikipedia.org/wiki/JFET#Ecuaciones_del_transistor_J-FET