386 TRANSISTORES DE 6.

7 MOSFET TIPO EMPOBRECIMIENTO

EFECTO DE CAMPO 
Como observamos en la introducción, hay tres tipos de FE: JFET, MOSFET y MESFET. Los
MOSFET se dividen aún más en tipo empobrecimiento y tipo enriquecimiento. Los términos
empobrecimiento y enriquecimiento definen su modo básico de operación; el nombre MOS-
FET significa transistor de efecto de campo semiconductor de oxido metálico. Como hay dife-
rencias en las características y operación de los diferentes tipos de MOSFET, se abordan en
secciones distintas. En ésta examinamos el MOSFET tipo empobrecimiento, cuyas caracterís-
ticas son parecidas a las de un JFET entre las condiciones de corte y saturación con IDSS y tam-
bién adicionalmente tiene las características que se extienden hasta la región de polaridad
opuesta de VGS.

Construcción básica
La construcción básica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n aparece en la figura
6.27. Se forma una placa de material tipo p a partir de una base de silicio y se conoce como sus-
trato. Es la base sobre la cual se construye el dispositivo. En algunos casos, el sustrato se co-
necta internamente a la terminal de fuente. Sin embargo, muchos dispositivos individuales
cuentan con una terminal adicional etiquetada SS, lo que produce un dispositivo de cuatro ter-
minales, como el de la figura 6.27. La fuente y el drenaje están conectados mediante contactos
metálicos a regiones tipo n dopadas vinculadas a un canal n como se muestran en la figura. Tam-
bién la compuerta está conectada a una superficie de contacto metálica aunque permanece ais-
lada del canal n por una capa de bióxido de silicio (SiO 2) muy delgada. El SiO 2 es un tipo de
aislante conocido como dieléctrico, el cual establece campos eléctricos opuestos (como lo in-
dica el prefijo di) dentro del dieléctrico cuando se expone a un campo externamente aplicado.
El hecho de que la capa de SiO 2 sea una capa aislante significa que:
No hay una conexión eléctrica entre la terminal de compuerta y el canal de un MOSFET.

(Drenaje)
D
canal n

Contactos
metálicos
(Compuerta) Substrato
G Substrato SS
p

(Fuente) Regiones n
dopadas

FIG. 6.27
MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

Además:
La capa aislante de SiO2 en la construcción de un MOSFET es la responsable de la muy
deseable alta impedancia de entrada del dispositivo.
En realidad, por lo común la resistencia de entrada de un MOSFET es más que la de un JFET
típico, aun cuando la impedancia de entrada de la mayoría de los JFET es suficientemente alta
en la mayoría de las aplicaciones. Debido a la muy alta impedancia de entrada, la corriente de
compuerta IG es en esencia de 0 A para configuraciones polarizadas de cd.
La razón de la etiqueta de FET semiconductor de óxido metálico ahora es bastante obvia:
metal por las conexiones del drenaje, fuente, y condiciones de compuerta a la superficie apro-
piada; en particular a la terminal de compuerta y al control que debe ofrecido el área de la
superficie de contacto; óxido por la capa aislante de bióxido de silicio, y semiconductor por
la estructura básica sobre la cual se difunden las regiones tipo n y p. La capa aislante entre la MOSFET TIPO 387
compuerta y el canal dio origen a otro nombre para el dispositivo FET: compuerta aislada, o EMPOBRECIMIENTO
IGFET, aunque esta designación cada vez se utiliza menos en la literatura.

Operación y características básicas

En la figura 6.28 el voltaje de la compuerta a la fuente se ajusta a 0 V por la conexión directa
de una terminal a la otra y se aplica un voltaje VDS del drenaje a la fuente. El resultado es la atrac-
ción del potencial positivo en el drenaje por los electrones libres del canal n y la corriente se-
mejante a la que se establece a través del canal del JFET. De hecho, la corriente resultante con
VGS = 0 V se sigue etiquetando IDSS, como se muestra en la figura 6.29.

VDD

VGS = 0 V

ID = IS = IDSS

FIG. 6.28
MOSFET tipo empobrecimiento de canal n con V GS = 0 V y
voltaje aplicado V DD.

ID (mA) ID

10.9 VGS = + 1 V
Modo de
empobrecimiento Modo de
enriquecimiento
8 IDSS VGS = 0 V

VGS = –1 V
IDSS
4
2 VGS = – 2 V
IDSS VGS = V P = – 3 V
2 2
4 –4 V
– 5V
–6 –5 –4 –3 –2 –1 0 1 VGS 0 VDS
VP VP
0.3VP VGS = V P = – 6 V
2

FIG. 6.29
Características de drenaje y transferencia de un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

En la figura 6.30, VGS aparece ajustado a un voltaje negativo de —1 V. El potencial negativo

en la compuerta tenderá a ejercer presión en los electrones hacia el sustrato tipo p (las cargas
semejantes se repelen) y a atraer los huecos del sustrato tipo p (las cargas opuestas se atraen)
como se muestra en la figura 6.30. Dependiendo de la magnitud de la polarización negativa
establecida por VGS, ocurrirá un nivel de recombinación entre los electrones y huecos que reducirá
388 TRANSISTORES DE Capa de SiO2 canal n
EFECTO DE CAMPO

Proceso de
recombinación

Sustrato de
G
material p

Huecos atraídos
hacia el potencial
Contacto negativo de
metálico la compuerta

Electrones repelidos
por el potencial
negativo de la compuerta

FIG. 6.30
Reducción de los portadores libres en un canal debido
a un potencial negativo en la terminal de compuerta.

el número de electrones libres en el canal n disponibles para conducción. Cuanto más negativa
sea la polarización, más alta será la tasa de recombinación. Por consiguiente, el nivel de la co-
rriente de drenaje resultante se reduce con la polarización cada vez más negativa de VGS como se
muestra en la figura 6.29 para VGS = —1 V, —2 V, etc., al nivel de estrangulamiento de —6 V. Los
niveles resultantes de la corriente de drenaje y el trazo de la curva de transferencia prosiguen
exactamente como se describió para el JFET.
Para valores positivos de VGS, la compuerta positiva atraerá más electrones (portadores libres)
del sustrato tipo p debido a la corriente de fuga inversa y establecerá nuevos portadores a cau-
sa de las colisiones que ocurren entre las partículas de aceleración. A medida que el voltaje de
la compuerta a la fuente continúa incrementándose en la dirección positiva, la figura 6.29 re-
vela que la corriente de drenaje se incrementará con rapidez por las razones anteriormente ex-
puestas. La separación vertical entre las curvas VGS = 0 V y VGS = +1 V de la figura 6.29 es una
clara indicación de cuánto se incrementó la corriente con el cambio de 1 V de VGS. Debido al rá-
pido incremento, el usuario debe tener en cuenta el valor de la corriente de drenaje máximo pues-
to que podría excederse con un voltaje positivo en la compuerta. Es decir, para el dispositivo de
la figura 6.29, la aplicación de un voltaje VGS = +4 V produciría una corriente de 22.2 mA, la
que posiblemente excedería el valor máximo (de corriente o potencia) para el dispositivo.
Como previamente se reveló, la aplicación de un voltaje positivo de la compuerta a la fuente
“mejoró” el nivel de portadores libres presentes en el canal en comparación con el encontrado
con VGS = 0 V. Por esta razón, a la región de voltajes de compuerta positivos en las caracterís-
ticas de drenaje o transferencia a menudo se le conoce como región de enriquecimiento, y a la
región entre los niveles de corte y saturación de IDSS como región de empobrecimiento.
Es particularmente interesante y conveniente que la ecuación de Shockley continúe siendo
aplicable en el caso de las características de los MOSFET tipo empobrecimiento tanto en la
región de empobrecimiento como en la de enriquecimiento. Para ambas regiones, sólo se requie-
re incluir el signo apropiado con VGS en la ecuación y que el signo se monitoree con cuidado en
las operaciones matemáticas.

EJEMPLO 6.3 Trace las características para un MOSFET tipo empobrecimiento de canal n
con IDSS = 10 mA y Vp = —4 V.
Solución:
En VGS = 0 V, ID = IDSS = 10 mA
VGS = VP = - 4 V, ID = 0 mA
VP -4 V IDSS 10 mA
V = = = - 2 V, I= = = 2.5 mA
GS D
2 2 4 4
 IDSS MOSFET TIPO 389
y en I = ,

GS P - 4 V2 = - 1.2 V
todos los cuales aparecen en la figura 6.31.

FIG. 6.31
Características de transferencia para un MOSFET tipo em-
pobrecimiento de canal n con I DSS = 10 mA y Vp = —4 V.

Antes de trazar la curva de la región positiva de VGS tenga en cuenta que ID se incrementa muy
rápido con los valores crecientes positivos de VGS. En otras palabras, sea conservador al seleccio-
nar los valores a sustituir en la ecuación de Shockley. En este caso, probamos +1 V como sigue:
2
ID = IDSS a 1 - VVGS
b
P
P

10 mA2 a1 - b = 110 mA2 11 + 0.252 = 110 mA2 11.56252

-4 V
÷ 15.63 mA
el cual es lo suficientemente grande para finalizar el trazado.

MOSFET tipo empobrecimiento de canal p

La construcción de un MOSFET tipo empobrecimiento de canal p es exactamente a la inversa
de la que aparece en la figura 6.27. Es decir, ahora el sustrato es tipo n y el canal tipo p, como
se muestra en la figura 6.32a. Las terminales no cambian, pero las polaridades del voltaje y
las direcciones de corriente se invierten, como se muestra en la misma figura. Las característi-
cas de drenaje aparecerían exactamente como en la figura 6.29, pero VDS con valores negativos,
e ID valores positivos como se indica (puesto que ahora la dirección definida está invertida), y
VGS con las polaridades opuestas como se muestra en la figura 6.32c. La inversión en VGS dará
una imagen de espejo (con respecto al eje ID) para las características de transferencia como se
 ID (mA) ID (mA)

9 9
VGS = –1 V
8 8
D
7 7
ID VGS = 0 V
6 IDSS 6

p 5 5
VGS = +1 V
4 4

G p n SS 3 3 VGS = +2 V
+
2 2 VGS = +3 V
p 1 1 VGS = +4 V
VGS VGS = +5 V
–1 0 12345 6 VGS 0 VDS
– VP VGS = VP= +6 V
S
(a) (b) (c)

FIG. 6.32
MOSFET tipo empobrecimiento de canal p con I DSS = 6 mA y V p = 16 V.

muestra en la figura 6.32b. En otras palabras, la corriente de drenaje se incrementará desde el

valor de corte con VGS = Vp en la región positiva de VGS hasta IDSS y luego continuará incremen-
tándose con los valores negativos crecientes de VGS. La ecuación de Shockley sigue siendo
aplicable y sólo requiere que se coloque el signo correcto tanto para VGS como para Vp en la
ecuación.

Símbolos, hojas de especificaciones y construcción de la cápsula

Los símbolos gráficos para un MOSFET tipo empobrecimiento de canales n y p se proporcio-
nan en la figura 6.33. Observe que los símbolos seleccionados tratan de reflejar la construcción
real del dispositivo. La falta de una conexión directa (debido al aislamiento de la compuerta)
entre la compuerta y el canal está representada por un espacio entre la compuerta y las demás
terminales del símbolo. La línea vertical que representa el canal está conectada entre el drenaje
y la fuente y esta “soportada” por el sustrato. Por cada tipo de canal se proporcionan dos símbo-
los para reflejar el hecho de que en algunos casos el sustrato está disponible de manera externa,
en tanto que en otros no. Para la mayoría de los análisis en el capítulo 7, el substrato y la fuente
estarán conectados y se emplearán los siguientes símbolos.

canal n canal p

390

FIG. 6.33
Símbolos gráficos para (a) MOSFET tipo
empobrecimiento de canal n y (b) MOSFET tipo
empobrecimiento de canal p.
392 TRANSISTORES DE 6.8 MOSFET TIPO ENRIQUECIMIENTO
EFECTO DE CAMPO 
Si bien existen algunas semejanzas en la construcción y modo de operación entre los MOSFET
tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento, las características del MOSFET tipo enrique-
cimiento son muy diferentes de cualesquiera otras obtenidas hasta ahora. La curva de transfe-
rencia no está definida por la ecuación de Shockley y la corriente de drenaje ahora es la de corte
hasta que el voltaje de la compuerta a la fuente alcance una magnitud específica. En particular, el
control de corriente en un dispositivo de canal n ahora se ve afectado por un voltaje positivo
de la compuerta a la fuente en lugar de por los voltajes negativos encontrados en los JFET de
canal n y en los MOSFET tipo empobrecimiento de canal n.

Construcción básica
La construcción básica del MOSFET tipo empobrecimiento de canal n se da en la figura 6.35.
Se forma una losa de material p con una base de silicio y de nuevo se conoce como sustrato.
Como con el MOSFET tipo empobrecimiento, el sustrato en ocasiones se conecta internamen-
te a la terminal fuente, en tanto que en otros casos se pone a la disposición una curva terminal
para el control externo de su nivel de potencial. La fuente y el drenaje se conectan de nuevo
mediante contactos metálicos a regiones tipo n dopadas, pero observe que en la figura 6.35 no
hay un canal entre las dos regiones tipo n dopadas. Ésta es la diferencia principal entre la cons-
trucción de los MOSFET tipo empobrecimiento y los tipo enriquecimiento: la ausencia de un
canal como componente construido del dispositivo. La capa de SiO2 sigue presente para aislar
la plataforma metálica de la compuerta de la región entre el drenaje y la fuente pero, ahora, sim-
plemente está separada de una sección del material tipo p. En suma, por consiguiente, la cons-
trucción de un MOSFET tipo enriquecimiento es muy parecida a la del MOSFET tipo empo-
brecimiento excepto porque no hay un canal entre el drenaje y la fuente.

SiO2
Región tipo
n dopada

sin canal

Contactos
metálicos

Sustrato Substrato
tipo p SS

Región tipo
n dopada

FIG. 6.35
MOSFET tipo enriquecimiento de canal n.

Operación y características básicas

Si VGS se ajusta a 0 V y se aplica un voltaje entre el drenaje y la fuente del dispositivo de la fi-
gura 6.35, la ausencia de un canal n (con su generoso número de portadores libres) producirá
una corriente de efectivamente 0 A; muy diferente del MOSFET tipo empobrecimiento y el
JFET, donde ID = IDSS. No es suficiente contar con una gran acumulación de portadores (elec-
trones) en el drenaje y la fuente (debido a las regiones tipo n dopadas) si una trayectoria deja
de existir entre los dos. Con un cierto voltaje positivo de VDS, VGS de 0 V y la terminal SS direc-
tamente conectada a la fuente, existen en realidad dos uniones p-n polarizadas en inversa entre
las regiones tipo n dopadas el sustrato que se oponen a cualquier flujo significativo entre el dre-
naje y la fuente.
En la figura 6.36 tanto VDS como VGS se ajustaron a un determinado voltaje positivo de más
de 0 V, para establecer el drenaje y la compuerta a un potencial positivo con respecto a la
fuente. El potencial positivo en la compuerta ejercerá presión en los huecos (puesto que las
 Electrones atraídos a la compuerta MOSFET TIPO 393
positiva (canal n inducido) ENRIQUECIMIENTO
Región sin portadores
tipo p (huecos)

ID

D n
e
++ ee +
I = 0A +
G + e + SS
G e
+ p VDS
+ e
+
VGS + e
+
e +
S n

IS = I D

Capa aislante Huecos repelidos por

la compuerta positiva.

FIG. 6.36
Formación de un canal en un MOSFET tipo enriqueci-
miento de canal n.

cargas semejantes se repelen) en el sustrato p a lo largo del borde de la capa de SiO 3 para que
abandonen el área y lleguen a regiones más profundas del sustrato p, como se muestra en la
figura. El resultado es una región de empobrecimiento cerca de la capa aislante de SiO 2 libre
de huecos. Sin embargo, los electrones en el sustrato tipo p (los portadores minoritarios del
material) serán atraídos a la compuerta positiva y se acumularán en la región cercana a la su-
perficie de la capa de SiO 2. Ésta y sus propiedades aislantes impedirán que los portadores ne-
gativos sean absorbidos en la compuerta. Conforme VGS se incrementa, la concentración de
electrones cerca de la superficie de SiO 3 se incrementa y con el tiempo la región tipo n indu-
cida puede soportar un flujo mensurable entra el drenaje y la fuente. El nivel de VGS que pro-
duce el incremento significativo de la corriente de drenaje se llama voltaje de umbral y está
dado por el símbolo VT. En las hojas de especificaciones se conoce como VGS(Th), aun cuando
VT es más difícil de manejar se utilizará en el análisis siguiente. Como el canal no existe con
VGS = 0 V y está “mejorado” por la aplicación de un voltaje positivo de la compuerta a la
fuente, este tipo de MOSFET se llama MOSFET tipo enriquecimiento. Los MOSFET tipo
empobrecimiento –y enriquecimiento– tienen regiones tipo enriquecimiento, pero la etique-
ta se aplicó al segundo, puesto que es el único modo de operación.
Conforme VGS se incrementa más allá del nivel de umbral, la densidad de los electrones libres
en el canal inducido aumentará y el resultado es el nivel incrementado de la corriente de drenaje.
Sin embargo, si mantenemos VGS constante y aumentamos el nivel de VDS, la corriente de drenaje
con el tiempo alcanzará un nivel de saturación como ocurrió para el JFET y el MOSFET tipo
empobrecimiento. La nivelación de ID se debe a un proceso de estrangulamiento ilustrado por el
canal más angosto en el extremo de drenaje del canal inducido como se muestra en la figura 6.37.
Al aplicar la ley de voltajes de Kirchhoff a los voltajes en las terminales del MOSFET de la
figura 6.37, encontramos que

VDG = VDS - VGS (6.13)

Si VGS se mantiene fijo a algún valor como 8 V y VDS se incrementa de 2 V a 5 V, el voltaje

VDG [de acuerdo con la ec. (6.31)] se reducirá de —6 V a —3 V y la compuerta se volverá cada
vez más negativa con respecto al drenaje. Esta reducción del voltaje de la compuerta al drenaje,
a su vez, reducirá las fuerzas de atracción para los portadores libres (electrones) en esta región del
canal inducido, provocando una reducción en el ancho efectivo del canal. A la larga, el canal se
reducirá hasta el punto de estrangulamiento y se establecerá una condición de saturación como
394 TRANSISTORES DE Estrangulamiento (inicio)
EFECTO DE CAMPO Región de empobrecimiento

Sustrato
tipo p

FIG. 6.37
Cambio del canal y región de empobrecimiento con
el nivel creciente de V DS con un valor fijo de V GS.

se describió antes para el JFET y el MOSFET tipo empobrecimiento. Dicho de otro modo, cual-
quier incremento adicional de VDS con el valor fijo de VGS no afectará el nivel de saturación de ID
hasta que se presentan las condiciones de ruptura.
Las características de drenaje de la figura 6.38 revelan que para el dispositivo de la figu-
ra 6.37 con VGS = 8 V, la saturación ocurre a un nivel de VDS = —6 V. En realidad, el nivel de
saturación está relacionado con el nivel de VGS aplicado por

VDSsat = VGS - VT (6.14)

Obviamente, por tanto, para un valor fijo de VT, cuanto más alto sea el nivel de VGS, mayor será
el nivel de saturación para VDS, como se muestra en la figura 6.37 mediante lugar geométrico de
los niveles de saturación.

ID (mA)
Lugar geométrico de VDSsat

11
10 VGS = +8 V

9
8
7 VGS = +7 V

6
5
VGS = +6 V
4
3 VGS = +5 V
2
VGS = +4 V
1
VGS = +3 V
0 5V 10 V 15 V 20 V 25 V VDS
VGS = V T= 2 V
6V

FIG. 6.38
Características de drenaje de un MOSFET tipo enriquecimiento
de canal n con VT = 2 V y k = 0.278 × 10—3 A/V2.
 Para las características de la figura 6.37, el nivel de VT es de 2 V, como lo revela el hecho de MOSFET TIPO 395
que la corriente de drenaje se redujo a 0 mA. En general, por consiguiente: ENRIQUECIMIENTO
Para valores de VGS menores que el nivel de umbral, la corriente de drenaje de un MOSFET
tipo enriquecimiento es de 0 mA.
La figura 6.38 revela con claridad que a medida que el nivel de VGS se incrementa de VT
a 8 V, el nivel de saturación resultante de ID también se incrementa desde un nivel de 0 mA
hasta 10 mA. Además, es muy notable que la separación entre los niveles de VGS se incrementa
a medida que la magnitud de VGS lo hace, y el resultado son incrementos cada vez mayores de
la corriente de drenaje.
Para niveles de VGS > VT, la corriente de drenaje está relacionada con el voltaje de la com-
puerta a la fuente aplicado por la siguiente relación no line al:

ID= k 1VGS - V T2 2 (6.15)

De nueva cuenta, el término al cua drado es el que produce la relación no lineal (curva) entre ID
y VGS. El término k es una constante que es una función de la construcción del dispositivo. El
valor de k se determina a partir de la siguiente ecuación [derivada de la ec. (6.15)], donde
ID(encenido) y VGS(encendido) son los valores de cada uno en un punto particular de las características
del dispositivo.

ID 1encendido2
k= (6.16)
1VGS1encendido2 - V T2 2

Sustituyendo ID(encendido) = 10 m A cuando VGS(encendido) = 8 V to mado de las características de la

figura 6.38 resulta
10 mA 10 mA 10 mA
k = 2 = =
18 V - 2 V2 16 V22 36 V2
= 0.278 : 10-3 A/V2
y una ecuación general para ID con las características de la figura 6.38 da como resultado
ID = 0.278 * 10 -31 VGS - 2 V22
Sustituyendo VGS = 4 V, encontramos que
ID= 0.278 * 10 1 -3 4 V - 2 V22 = 0.278 * 10 -31222
= 0.278 * 10-31 42= 1.11 mA
comprobado por la figura 6.38. Con VGS = VT, el término al cuadrado es 0, e ID = 0 mA.
Para el análisis de los MOSFET tipo enriquecimiento que aparecerá en el capítulo 7, las carac-
terísticas de transferencia de nuevo serán las características que se emplearán en la solución gráfi-
ca. En la figura 6.39, las características de drenaje y transferencia se pusieron una al lado de otra

ID (mA) ID (mA)

10 10 VGS = +8 V

9 9
8 8
7 7 VGS = +7 V

6 6
5 5
VGS = +6 V
4 4
3 3
VGS = +5 V
2 2
1 1 VGS = +4 V
VGS = +3 V
0 1 2 3 4 5 6 7 8 VGS 0 5 10 15 20 25 VDS
VT
VGS = VT = 2 V

FIG. 6.39
Trazo de las características de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n a partir de las características de drenaje.
396 TRANSISTORES DE para describir el proceso de transferencia de una a otra. En esencia, se procede como se describió
EFECTO DE CAMPO antes para el JFET y los MOSFET tipo empobrecimiento. En este caso, sin embargo, debemos re-
cordar que la corriente de drenaje es de 0 mA para VGS Š VT . En este momento se producirá una
corriente ID medible y se incrementará como lo define la ecuación (6.15). Observe que al definir
los puntos en las características de transferencia a partir de las características de drenaje, se em-
plean sólo los niveles de saturación, con lo cual se limita la región de operación a niveles de VDS
mayores que los niveles de saturación como lo define la ecuación (6.14).
La curva de transferencia de la figura 6.39 es de hecho muy diferente a las obtenidas antes.
Para un dispositivo de canal n (inducido), ahora se encuentra por completo en la región positiva
de VGS y no se eleva hasta que VGS = VT. Ahora surge la pregunta sobre cómo graficar las carac-
terísticas de transferencia dados los niveles de k y VT incluidos a continuación para un MOSFET
particular.
ID = 0.5 * 10-31VGS - 4 V22
En primer lugar, se traza un línea horizontal por ID = 0 mA desde VGS = 0 V hasta VGS = 4 V
como se muestra en la figura 6.40a. A continuación se selecciona un nivel de VGS mayor que VT,
como 5 V, y se sustituye en la ecuación (6.15) para determinar el nivel resultante de ID como sigue:
I = 0.5 * 10-31
2
= 0.5 * 10-3 51 VV - -4 4VV2
2D -3 2
2= 0.5 * 10 1 1 2
GS
= 0.5 mA
y se obtiene un punto en la gráfica como se muestra en la figura 6.40b. Por último, se selec-
cionan niveles adicionales de VGS y se obtienen los niveles de ID resultantes. En particular, con
VGS = 6.7 y 8 V, el nivel de ID es de 2, 4.5 y 8 mA, respectivamente, como se muestra en la
gráfica resultante de la figura 6.40c.

FIG. 6.40
Graficación de las características de transferencia de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n con k = 0.5 × 10—1 A/V2 y VT = 4 V.

MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

La construcción de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p es exactamente a la inversa de
la que aparece en la figura 6.35, como se muestra en la figura 6.41a. Es decir, ahora hay un sus-
trato tipo n y regiones tipo n dopadas bajo las conexiones del drenaje y la fuente. Las terminales
no cambian, pero todas las polaridades del voltaje y las direcciones de la corriente se invierten.
Las características de drenaje aparecerán como se muestra en la figura 6.41c, con niveles crecien-
tes de corriente a consecuencia de los valores cada vez más negativos de VGS. Las características
de transferencia serán la imagen de espejo (con respecto al eje ID) de la curva de transferencia de
la figura 6.39, con ID incrementándose a una con los valores cada vez más negativos de VGS más
allá de VT, como se muestra en la figura 6.41c. Las ecuaciones (6.13) a (6.16) son igualmente apli-
cables a dispositivos de canal p.

Símbolos, hojas de especificaciones y construcción de la cápsula

Los símbolos gráficos de los MOSFET tipo enriquecimiento de canales n y p se dan en la figura
6.42. De nuevo, observe cómo los símbolos tratan de reflejar la construcción real del dispositivo.
 ID (mA) ID (mA)

8 8 VGS = – 6 V

D 7 7
ID 6 6

p 5 5
VGS = –5 V
4 4

G n SS 3 3
– VGS = –4 V
2 2
p 1 1 VGS = –3 V

+ –6 –5 – 4 –3 –2 –1 0 VGS 0 VDS
D
VT VGS = VT = —2 V

(a) (b) (c)

FIG. 6.41
MOSFET tipo enriquecimiento de canal p con V T = 2 V y k = 0.5 × 10—1 A/V2.

canal n canal p

(b)

FIG. 6.42
Símbolos de (a) MOSFET tipo enriqueci-
miento de canal n, y (b) MOSFET tipo enri-
quecimiento de canal p.

La línea punteada entre el drenaje (D) y la fuente (S) se selecciona para reflejar el hecho de que
no existe un canal entre los dos en condiciones sin polarización. En realidad, es la única diferen-
cia entre los símbolos para los MOSFET tipo enriquecimiento y tipo empobrecimiento.
En la figura 6.43 se da la hoja de especificaciones de un MOSFET Motorola tipo enriqueci-
miento de canal n. La construcción de la cápsula y la identificación de las terminales aparecen
junto a los valores máximos, los que ahora incluyen una corriente de drenaje máxima de 30 mA
de cd. La hoja de especificaciones da el nivel de IDSS en condiciones de “apagado”, el cual aho-
ra es de tan sólo 10 nA de cd (en VDS = 10 V y VGS = 0 V), comparado con el intervalo de mi-
liamperes para el JFET y el MOSFET tipo empobrecimiento. El voltaje de umbral se especifica
como VGS(Th) y su intervalo de variación es de 1 a 5 V de cd, dependiendo de la unidad emplea-
da. En lugar de proporcionar un intervalo de k en la ecuación (6.15), se especifica a un nivel tí-
pico de ID(encendido) (3 mA en este caso) a un nivel particular de VGS(encendido) (10 V para el nivel de ID
especificado). En otras palabras, cuando VGS = 10 V, ID = 3 mA. Los niveles dados de VGS(Th),
ID(encendido) y VGS(encendido) permiten determinar a k a partir de la ecuación (6.16) y escribir la ecua-
ción general para las características de transferencia. Los requisitos de manejo de los MOSFET
se verán en la sección 6.9.
397
 TABLA 6.2
Transistores de efecto de campo

Símbolo y Resistencia y
Tipo relaciones básicas Curva de Transferencia capacitancia de entrada

JFT
(canal n)

Ri 7 100 MÆ
Ci : 11 - 102 pF

MOSFET
tipo empobrecimiento
(canal n)

Ri 7 1010 Æ
Ci : 11 - 102 pF

MOSFET
tipo enriquecimiento
(canal n)

(encendido)
(encendido)
Ri 7 1010 Æ
(encendido)
Ci : 11 - 102 pF

(encendido)

(encendido) — VGS (Th))2

(encendido)

MESFET
tipo empobrecimiento
(canal n)

Ri 7 1012 Æ
Ci : 11 - 52 pF

MESFET
tipo enriquecimiento
(canal n)

(encendido) Ri 7 1012 Æ
Ci: 11 - 52 pF

(encendido)

(encendido) — VGS (Th))

2

(encendido)