Leccion II - Aplicaciones Practicas

LECCION 2 – Curso Reparación de Ecus
CURSO DE REPARACION DE COMPUTADORAS AUTOMOTRICES

Manual del Alumno – Primer Nivel
Lección 1: Aplicaciones practicas:
Limitación de Tensión y Corriente en Sistemas de Ignición
1-Limitación de la Tensión:
Para poder limitar la tensión durante el pico de extratensión del primario, con el objetivo de
no dañar el transistor tanto por exceder el voltaje máximo VCE o VDS, se suele recurrir a la
aplicación de diodos zener.
Caso 1: Zener entre Colector – Emisor . Aplicación con Darlington
Cise Electrónica – Jose M. Bustillo 3243 – ( 1406 ) Capital Federal – Buenos Aires – Argentina 5411 4637-8381
Cise Electronics Corp. 12920 SW 128th street – Suite 4 – Miami – Florida 33186 – USA ( 786 ) 293-1094
http://www.cise.com
1
Cuando el pico de tensión producido por la auto inductancia de la bobina aparece, el zener
limita la tensión al valor zener, cortando el pico en ese máximo de tensión.
El zener protege así al transistor.
Por ejemplo si el transistor tuviera un VCE = 250 voltios, el Zener de 150 voltios limitaría la
tensión y de esta forma no se alcanzaría un valor de tensión que destruya al transistor.
Caso 2: Zener entre Drain y Source . Aplicación con Mosfet
Similar al caso anterior el Zener se coloca entre Drain y Source
Caso 3: Zener entre Colector y Base . Aplicación con Darlington.
Cise Electronics Corp. 12920sw 128 th street – Suite 4 – ( 33186 ) – Miami – Florida – USA ( 786 ) 293-1094
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Cuando la tensión en el colector llega a 150V pone al zener en conducción y se re-excita la

base. De esta forma el transistor quiere volver a conducir y se corta el pico de extratensión.
Esta aplicación es mas confiable dado que se maneja una corriente mucho menor por el
zener, por estar de por medio el transistor con su ganancia correspondiente.
Caso 4: Zener entre Gate y Drain. Aplicación con Mosfet.
Similar al caso anterior el zener esta colocado entre Gate y Drain.
En el caso de transistores IGBT la limitación de tensión se realiza colocando el zener

entre Colector y Emisor , entre Colector y Base del transistor final o entre Colector y
Gate.
2- LIMITACION DE LA CORRIENTE:
A los efectos de limitar la corriente y también la tensión aparecen diseños especiales que
incluyen todos los componentes bajo una misma capsula.
Estos dispositivos son Drivers para Encendido y son muy usuales en las ECUS Automotrices.
Por ejemplo el VB024 es un caso, aplicable en la excitación e un sola bobina al igual que el
VB029, podemos verlo en las figuras siguientes con diferentes montajes.
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Driver para encendido VB024
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LIMITACION DE CORRIIENTE: Cuando el transistor conduce cae tensión en la resitencia

RLim ubicada al pie del Emisor. Esa tensión es aplicada a un comparador por medio del cual
es posible disminuir la excitación el la base del dispositivo de potencia.
Según las especificaciones la corriente esta fijada en IC= 8Amps.
LIMITACION DE TENSION: Se realiza por medio de un diodo Zener colocado entre Colector
y Base del dispositivo de salida.
Según las especificaciones la tensión de colector este fijada o limitada a un máximo

de VCL =400 V
En los datasheet se puede ver le VB029, muy similar en su funcionamiento.
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3- Reguladores de tensión:
TLE4260
El regulador TLE 4260 es un regulador de 5 terminales, sumamente utilizado en ECUS

automotrices.
Incorpora un terminal de RESET y uno de DELAY. Usualmente la posibilidad de reset se
realiza con un pulso a masa en el terminal 2.
El terminal 4 de DELAY se conecta con un condensador a masa, para que cuando se
enciende el regulador alimentándolo por el pin 1, la tensión regulada se eleva con una
pequeña demora o DELAY. Esto proporciona cierta seguridad en el funcionamiento de otros
componentes conectados al regulador.
Otro regulador semejante que reemplaza perfectamente al TLE 4260 es el L78MR05, muy
fácil de localizar en el comercio.
También podemos reemplazar este regulador con el L4947
TLE4471
Este regulador TLE 44 71 tiene 3 salidas. Una principal de 5 voltios por Q1 y dos adicionales
en Q2 y Q3.
La entrada de tensión de 12 voltios la tiene en los pines 2 y 3, correspondientes a E1 y I.
Por lo general la salida Q1 se utiliza para alimentar en forma principal los componentes
internos de la ECU, tales como procesador, memorias, y circuitos principales.
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La otras salidas auxiliares Q2 y Q3 se destinan a alimentar sensores periféricos del sistema

conectado al cableado en el vehículo. Por ejemplo TPS, MAP. De esta forma un corto a
masa de una alimentación de estos sensores, no perjudica los 5 voltios principales de Q1. Se
genera la posibilidad de almacenar un DTC aún en esta condición de corto a masa.
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TLE 4262
El TLE4262 es un regulador SMD de 5 V y unos 200ma. Se puede encontrar en

encapsulado de 20 y 14 terminales.
Aplicación típica:
De todos estos componentes se pueden localizar fácilmente sus datasheets en la Internet.
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Reguladores de tensión construidos alrededor de un transistor
En algunas ECUS automotrices se pueden encontrar reguladores de tensión construidos en

torno de un transistor. Es justamente ese mismo transistor el que efectúa la regulación
interactuando con otros componentes adicionales.
Se identificara este transistor, porque generalmente va montado en un disipador, tiene los

componentes de fuente en la inmediaciones y se medirá que en un terminal entran los 12
Voltios y por otro salen los 5V.
El montaje suele realizarse sobre un transistor del tipo NPN o sobre un PNP.
Se verán ambos casos.
A-Regulador construido con un transistor NPN:
El transistor NPN realiza la regulación, dado que la diferencia de tensión entre la base y el
emisor es de 0,7 voltios aproximadamente, se regula la base con un Zener y una resistencia
a una tensión estable de 5,6 volts.
Se obtiene en el Emisor una tensión estabilizada de 5 volts aprox.
Este regulador puede estar construido en torno de un transistor de mediana potencia en

capsula TO220, tipo TIP 31 o equivalente ( IC =3A VCE=80V hfe= 50 ).
Este tipo de reguladores es apto para corrientes de menos de 500ma.
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B-Regulador construido con un transistor PNP:
Algunas ECUS sobre todo de marcas japonesas, suelen tener un transistor PNP efectuando
la tarea de regulación de tensión.
Este transistor para poder funcionar necesita ser trabajado en su base desde un conjunto de
componentes adicionales. Suele haber previo al transistor un circuito integrado que contiene
estos componentes.
El esquema se puede presentar de la siguiente manera:
El Transistor Q1 sele ser un TBJ capsula TO220 tipo TIP32 ( IC 3A VCE=80V ) , montado
sbre disipador de calor. Los 12 voltios están sobre el emisor y la tensión regulada de 5 volts
sale por el colector del transistor.
El circuito integrado IC esta constituido por un comprador de tensión que comanda el
transistor Q1, y compara la tensión presente en el colector con una de referencia fijada por
un circuito de tensión regulada conformado por un zener y una resistencia.
El esquema siguiente muestra un ejemplo del circuito de control construido sobre un

amplificador operacional trabajando como comparador.
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El comparador esta construido en torno de un amplificador operacional. La entrada no

inversora ( + ) del mismo esta anclada a una tensión regulada de 5 v.
La entrada inversora (-) esta conectada a la salida de tensión del conjunto regulador, es decir
al emisor del transistor Q1 - PNP .
La salida del comparador trabaja sobre la base de Q2 y luego este excita a Q1. En este
ejemplo Q2 actúa a modo de inversor. Cuando la base de Q2 es disparada conduce
colocando su colector a masa y permitiendo que Q1 conduzca. Pero en cuanto Q1 conduce y
la tensión en la salida ( Colector de Q1) aumenta, esta es comparada con la de referencia en
el operacional. Entonces se suspende la excitación de Q2 y así se va efectuando la
regulación.
4- Comando de inyectores con Transistores TBJ
Un transistor del tipo TBJ tiene presenta en condición de saturación una tensión entre su
base y emisor cercana a los 0.7 voltios.
Suponiendo que un transistor TBJ este siendo utilizado para disparar un inyector, se tendría
un esquema como el siguiente:
En los transistores TBJ simples, se encontrará en la base pulsos de excitación de aprox. 0.7
voltios. Se debe recordar que entre base y emisor es como si hubiera un diodo, que en este
caso esta en directa. La resistencia de base R1 limita la corriente sobre la base a los efectos
de proteger la juntura.
En el colector se encuentra conectado el inyector, la tensión Vce tiene picos de tensión de
aprox. 60 Voltios, por lo tanto el transistor debe poder soportar esa tensión entre emisor y
colector.
Suponiendo un inyector de una resistencia en su bobina de 12 ohms, la corriente máxima

que podrá pasar por el mismo ser[a de I=V/R = 12/12 = 1 Amp.
Por ejemplo, un transistor para esta aplicación deberá tener un VCE = 100 V IC= 4 Amp.
Ejemplo: TIP 41C
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5- Comando de Inyectores con Transistores Darlington:
Si un transistor Darlington estuviera excitando un inyector se tendrían dos junturas en serie

que atravesar desde la base del primer transistor.
Los pulsos de excitación en la base del Darlington son de aprox. 1.4 voltios.
Para este caso VCE = 100V IC=4Amp.
Ejemplo:TIP 122
6- Comando de inyectores con Transistores Mosfet:
Siguiendo con el ejemplo utilizado, los transistores Mosfet también pueden usarse para
excitar inyectores. Mucas ECUS utilizan Mosfet para el comando de inyectores.
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Los pulsos de excitación en la base del Mosfet por o general mayores de 4 V.
En los transistores Mosfet siempre debe haber una resistencia entre Gate y Source a los
efectos de aterrizar el Gate cuando no es excitado.
Para este caso VDS = 100V ID=4Amp. Rds< 0.25 Ohms.
Ejemplo: BUZ72
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Limitación de Tensión y Corriente en Sistemas de Ignición

Caso 1: Zener entre Colector – Emisor . Aplicación con Darlington

El zener protege así al transistor.

Caso 2: Zener entre Drain y Source . Aplicación con Mosfet

Similar al caso anterior el Zener se coloca entre Drain y Source

Caso 3: Zener entre Colector y Base . Aplicación con Darlington.

Cuando la tensión en el colector llega a 150V pone al zener en conducción y se re-excita la

Caso 4: Zener entre Gate y Drain. Aplicación con Mosfet.

Similar al caso anterior el zener esta colocado entre Gate y Drain.

En el caso de transistores IGBT la limitación de tensión se realiza colocando el zener

Driver para encendido VB024

LIMITACION DE CORRIIENTE: Cuando el transistor conduce cae tensión en la resitencia

Según las especificaciones la corriente esta fijada en IC= 8Amps.

Según las especificaciones la tensión de colector este fijada o limitada a un máximo

En los datasheet se puede ver le VB029, muy similar en su funcionamiento.

El regulador TLE 4260 es un regulador de 5 terminales, sumamente utilizado en ECUS

También podemos reemplazar este regulador con el L4947

La entrada de tensión de 12 voltios la tiene en los pines 2 y 3, correspondientes a E1 y I.

La otras salidas auxiliares Q2 y Q3 se destinan a alimentar sensores periféricos del sistema

El TLE4262 es un regulador SMD de 5 V y unos 200ma. Se puede encontrar en

De todos estos componentes se pueden localizar fácilmente sus datasheets en la Internet.

Reguladores de tensión construidos alrededor de un transistor

En algunas ECUS automotrices se pueden encontrar reguladores de tensión construidos en

Se identificara este transistor, porque generalmente va montado en un disipador, tiene los

Se verán ambos casos.

A-Regulador construido con un transistor NPN:

Se obtiene en el Emisor una tensión estabilizada de 5 volts aprox.

Este regulador puede estar construido en torno de un transistor de mediana potencia en

Este tipo de reguladores es apto para corrientes de menos de 500ma.

B-Regulador construido con un transistor PNP:

El esquema siguiente muestra un ejemplo del circuito de control construido sobre un

El comparador esta construido en torno de un amplificador operacional. La entrada no

4- Comando de inyectores con Transistores TBJ

Suponiendo un inyector de una resistencia en su bobina de 12 ohms, la corriente máxima

Ejemplo: TIP 41C

5- Comando de Inyectores con Transistores Darlington:

Si un transistor Darlington estuviera excitando un inyector se tendrían dos junturas en serie

6- Comando de inyectores con Transistores Mosfet:

Los pulsos de excitación en la base del Mosfet por o general mayores de 4 V.

Para este caso VDS = 100V ID=4Amp. Rds< 0.25 Ohms.

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