Amplificador Optico Semiconducor

Amplificador Óptico de Semiconductor
Introducción
En las últimas décadas, las telecomunicaciones han realizado progresos y desarrollos

considerables, lo que requiere un desarrollo tecnológico bastante extenso para hacer que la
red de comunicaciones sea cada vez más robusta y brinde mayores beneficios. A medida que
pasa el tiempo, la transmisión de información se vuelve muy importante, por lo tanto, se
necesita un medio que pueda soportar el crecimiento exponencial del flujo de información.
Cuando buscamos un sistema de comunicación que brinde soluciones de compatibilidad,
robustez y mayor capacidad de información, elegimos la tecnología óptica porque el equipo
desarrollado nos permite aprovechar parte de la capacidad de ancho de banda de las fibras
ópticas. La tecnología óptica y la tecnología mejorada pueden transmitir grandes cantidades de
información a largas distancias.
Esta tecnología ha permitido superar los límites para la transmisión de información en la

transición de señales eléctricas y enviar señales electromagnéticas basadas en el movimiento
de los fotones a señales electromagnéticas. Un medio como la fibra puede enviar señales
fotónicas a una velocidad mucho más alta que cualquier otro sistema que haya avanzado el
diseño y la fabricación de dispositivos ópticos como transmisores, receptores, amplificadores e
interruptores, entre otros. Dado que el amplificador óptico es una de las partes básicas de un
sistema de comunicación de fibra óptica, se han desarrollado dos dispositivos con diferentes
tecnologías para este fin, el amplificador óptico de semiconductores (Semiconductor Optical
Amplifier, SOA por sus siglas en inglés) y el amplificador óptico de fibra (Optical Fiber Amplifier,
OFA por sus siglas en inglés), el OFA es actualmente la solución usada para la implementación
de redes ópticas debido a que cumple muy bien su papel como amplificador pero el estudio y
desarrollo del SOA no se ha hecho menos importante debido a que con el SOA se podrían
tener funcionalidades más allá de la amplificación tales como la conversión de longitud de
onda, la compensación de dispersión, el filtrado sintonizable, y la conmutación óptica, entre
otros, esto permite suponer que el SOA además de ser un dispositivo amplificador podría ser
usado en dispositivos de procesamiento de señal en el dominio óptico y esto haría posible dar
el siguiente paso en la evolución de las comunicaciones ópticas.
2.Marco Teórico
2.1 Fibra Óptica
La fibra óptica ha sido el medio de transmisión de las señales fotónicas desarrollado

ampliamente, es sumamente delgada del orden de micrómetros, ligera, fuerte y flexible lo que
ha permitido un fácil manejo a la hora de su despliegue, la fibra está formada por un núcleo
central delgado de vidrio con alto índice de refracción, este tiene un revestimiento también
hecho de vidrio pero con un menor índice de refracción lo cual protege al núcleo de
contaminación y provoca el fenómeno de reflexión interna, el cambio también puede ser
gradual entre estas dos capas según el tipo de fibra, la última protección es una cubierta que
se compone de varias capas para poder proteger a la fibra de la humedad, provee
amortiguamiento, resistencia al esfuerzo de tensión, protección aislante, entre otros, esto le
da características como resistencia a ambientes hostiles con alto ruido
El desarrollo de la fibra ha venido de la mano con el desarrollo de las comunicaciones ópticas

por ello es importante hablar de los dos como conjunto y así entender de forma contextual el
desarrollo que ha tenido. Los conocimientos sobre la función de este medio se irán explorando
en las siguientes secciones y así se logrará un entendimiento más fácil de su importancia y la
necesidad de un amplificador óptico como dispositivo dentro de un sistema óptico.
Amplificador Óptico
La fibra óptica tiene dos limitantes principales la atenuación y la dispersión. La atenuación
lleva a la pérdida de potencia de la señal fotónica y esto limita en gran medida la distancia de
transmisión que puede lograr la señal. La dispersión causa el ensanchamiento del pulso óptico,
con esto provoca la interferencia inter-símbolo y así se incrementa la tasa de error de bit (Bit
Error Ratio, BER por sus siglas en inglés) y esto en esencia limita el ancho de banda de la fibra,
además de que la fibra como todo medio es un filtro pasa bajos por lo cual la señal se deforma
en el recorrido.
atenuación típica de una fibra monomodo de silicio convencional de bajas pérdidas }
dispersión total típica de una fibra monomodo de silicio convencional
observando estas características de la fibra óptica se hace más entendible la selección de las
ventanas en la región de 1330nm y la región de 1550nm, ya que estás comprenden una
relación de atenuación y dispersión que permiten lograr la transmisión de la señal de un punto
a otro más fácilmente por la fibra, la ventana de 820nm sigue siendo usada en enlaces cortos y
una tasa de bit moderada y por ello en esta longitud de onda no se necesita usualmente el
amplificador óptico
Debido a que la atenuación y la dispersión de la señal aumentan cuando la fibra es de mayor

longitud se llega a un punto en el que la señal debe ser regenerada, la amplificación de la señal
es la primera forma de regeneración ya que le da a la señal la potencia suficiente para poder
ser transmitida a una mayor distancia
Al ser el amplificador óptico una parte fundamental, se han creado dos dispositivos con
diferente tecnología, el SOA y el OFA en este caso hablando del amplidficador óptico
semicondictor podemos decir que el SOA tiene un atractivo interés para ser utilizado como el
amplificador por preferencia y es que aparte de poder amplificar en todo el espectro de las
comunicaciones ópticas en anchos de banda de 30nm aproximadamente y ganancias de 25dB
también tiene aplicaciones funcionales en la redes de comunicación ópticas y puede ser usado
como dispositivo de procesamiento de señal en el dominio óptico, esto hace que el SOA tenga
unas características de amplificación similares a la de los EDFA y permita la regeneración de los
pulsos de información
3.1 Breve Historia del Amplificador Óptico de Semiconductor
Los primeros estudios sobre SOA se realizaron en la década de 1960 con la invención del láser
semiconductor. Este dispositivo fue construido con juntas homogéneas de arseniuro de galio ()
y tuvo que funcionar a bajas temperaturas. Con la construcción de dispositivos de doble
heteroestructura, se generó interés e investigación en el uso de SOA en sistemas de
comunicación óptica. En 1970 y 1980, SOA comenzó a considerarse como un área de
investigación y se hicieron importantes avances en el diseño del dispositivo físico y su
modelado. Los primeros estudios se centraron en SOA que operaba en la región de 820 nm
porque era la región utilizada en ese momento y no había láseres ni receptores ópticos que
permitieran mostrar los sistemas de comunicación en la segunda y tercera ventana, aun así en
los estudios de SOA que comenzaron en finales de los 80 que fueron diseñados para operar en
las regiones de 1300nm y 1550nm
El desarrollo en tecnología de coberturas anti-reflexión y otras técnicas permitieron la

fabricación de un SOA que tenía bajas pérdidas en sus caras con lo cual se dio una mejora
considerable al dispositivo. En 1989, la estructura del SOA usaba coberturas anti- reflexión de
los diodos láser de semiconductor. Estos dispositivos presentan una estructura de guía de
onda asimétrica y esto hace que el dispositivo tenga una muy alta sensibilidad a la polarización
3.2 Principios Básicos del SOA
Un SOA es un dispositivo optoelectrónico que, en condiciones de funcionamiento específicas,

es capaz de amplificar una señal fotónica a través de él. Su estructura es en forma de guía de
onda, la señal fotónica pasa de la fibra óptica a la guía de onda semiconductora y luego regresa
a la fibra óptica pero ya amplificada, siempre y cuando el SOA esté en la región activa y esté
debidamente polarizado para hacer esta tarea.
Para que el SOA pueda funcionar como amplificador es necesario que tenga una corriente
eléctrica que lo polarice de forma correcta, este dispositivo se puede ver como una guía de
onda que no tiene un confinamiento fuerte sino que permite que la señal se escape, por esto
tiene altas pérdidas de inserción y es uno de sus defectos, ha sido bastante difícil el acople
entre la fibra óptica y el tramo de semiconductor lo cual también afecta los niveles de
amplificación que puede proporcionar el dispositivo Otro problema que ocurre con SOA es el
nivel de ruido que tiene la señal fotónica en la salida del dispositivo. Este ruido es generado
por el SOA y no puede evitarse por completo.
TIPOS DE AMPLIFICADOR SEMICONDUCTOR
Existen dos tipos de SOAs, Amplificador óptico de semiconductor de caras reflectantes (Fabry
Perot SOA, FP-SOA por sus siglas en inglés) y el amplificador óptico de semiconductor de onda
viajante (Travelling wave SOA, TW-SOA por sus siglas en inglés).
La gran diferencia entre estos dos amplificadores es que el FP-SOA tiene reflexiones en sus
caras que son bastante significativas y variantes, el TW-SOA no tiene este problema, la
reflexión es despreciable, las coberturas anti-reflexión pueden ser usados para fabricar SOAs
en los cuales la reflectividad de sus caras es menor a Además el TW-SOA no es tan sensible a
las fluctuaciones de corriente de polarización, temperatura y polarización de la señal como lo
es el FP-SOA
Principios de amplificación
En un SOA los electrones son inyectados por una fuente de corriente externa lo cual lleva al
SOA a una región activa. Al energizar el SOA los electrones pasan a ocupar la BC ( banda de
conducción ) que tiene un nivel de energía y deja una serie de huecos en la BV (banda de
valencia ), es decir átomos sin electrones en el orbital de valencia. En un semiconductor son
posibles tres mecanismos de radiación. La absorción estimulada, la emisión estimulada y la
emisión espontánea
Modelo atómico simplificado: (a) Los electrones se encuentran girando alrededor del núcleo en órbitas
discretas; (b) Diagrama de niveles discretos de energía para un átomo
La absorción estimulada ocurre cuando un fotón que incide en el semiconductor provoca una
recombinación estimulada al mover un electrón del BV al BC, y este proceso hace que el fotón
se elimine. Este fenómeno no se puede eliminar y se considera una pérdida.
La emisión estimulada sucede cuando un fotón que incide en el
semiconductor provoca una recombinación estimulada llevando un
electrón de la banda de conducción a la banda de valencia , Este
proceso crea un nuevo fotón que tiene la misma frecuencia y fase
que el fotón que inicia el proceso, y el fotón que inicia el proceso no
se elimina. Este es el proceso por el cual se puede realizar la
amplificación ya que la señal fotónica puede causar este efecto en el
semiconductor.
La emisión espontánea es un proceso de pérdida y el ruido generado
por el propio dispositivo. En este proceso, los electrones excitados
que se encuentran en el BC pierden energía y alcanzan el BV,
liberando una frecuencia aleatoria y un fotón de fase para estimular
otros electrones y generar más fotones aleatorios de fase y
frecuencia. Es probable que este proceso se modele en unidades de
tiempo y, por lo tanto, se tenga en cuenta su impacto en la
amplificación de la señal.
3.3.1 Estructura básica del SOA
Las estructuras de construcción SOA buscan que el dispositivo tenga varias características,
tales como: alta ganancia, gran ancho de banda, baja sensibilidad a la polarización, niveles de
ruido cercanos a los teóricos, operación correcta para cualquier tipo de modulación,
amplificación multicanal sin perturbación entre canales y disminución -linealidad. Además de
acentuar o disminuir algunas de estas características debido a aplicaciones particulares que
usan SOA
Este dispositivo tiene una región activa sin dopaje (Intrínseca) y está entre dos
regiones de semiconductor dopado (Extrínsecos), uno tipo N y otro tipo P, teniendo así una
pila de hetero-junturas fijas. Mediante esto se crean dos regiones, una activa y otra de
revestimiento, la región de revestimiento tiene una diferencia de energía de GAP entre la BV y
la BC más grande y tiene un índice de refracción ligeramente menor respecto a la región activa

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