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  • Lab10 (S) 2162065 B02

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    john
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    Este documento analiza el comportamiento de circuitos con transistores MOSFET tipo N. Explica que estos transistores requieren una tensión negativa en la puerta y ocupan menos volumen que los BJT. Describe las actividades del laboratorio incluyendo curvas características del MOSFET, un circuito de polarización y un amplificador. Finalmente, concluye que se logró identificar las zonas de operación del MOSFET y que cuanto más negativa sea la tensión de puerta, mayor será la corriente de saturación.

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    Lab10(S)_2162065_B02

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    Laboratorio 10 Dispositivos Electrónicos

    TRANSISTORES MOSFET TIPO N


    Melissa Alvarez Anaya 2162065, B02

    INTRODUCCIÓN
    En el presente documento analizaremos el
    comportamiento de circuitos con transistores de efecto
    de campo Mosfet tipo N, este, se encuentra inserto en
    dos regiones de compuertas tipo p,estos transistores
    ocupan menos volumen que el BJT , su tensión
    aplicada debe ser negativa.

    ACTIVIDADES DEL LABORATORIO


    DATOS ASIGNADOS

    VDS=VD−VS
    a) Curva característica transistores Mosfet tipo N.
    VDS=9.874−(−2.338 )
    VDS=12.212
    VGS=VG−VS
    VGS=0−(−2.338 )
    VGS=2.338 V
    VDS ≫ VGS−VTh
    Vto=VTh=2.0
    VDS ≫ 2.338−2.0
    10.212V ≫ 0.338 V
    VGS >Vth
    2.338>2.0
    Ecuación de saturación :

    1
    ID= Kp∗( VGS−VTh )2∗( 1+lamda∗VDS )
    2
    ID=632.46 uA
    -----------------------------------------------------------------
    OBSERVACIONES Y ANÁLISIS DE ---
    RESULTADOS OBSERVACIONES Y ANÁLISIS DE RESULTADOS
    El voltaje de estrechamiento hará que el Mosfet opere
    en región de saturación y por lo tanto la corriente de Podemos observar a través del Bias Point las tensiones
    drenaje no aumentará dignificativamente de los terminales y a través de esto poder realizar los
    cálculos que el voltajes y con esto verificamos que
    b) Circuito polarización transistor Mosfet tipo N.
    Vds es mucho mayor que la diferencia de Vgs-Vth
    con una relación de 10.212>>0.338 y el Vgs mayor al
    Vth con 2.338>2
    Laboratorio 10 Dispositivos Electrónicos
    TRANSISTORES MOSFET TIPO N
    Melissa Alvarez Anaya 2162065, B02

    Se puede notar que la señal de salida es mayor


    que la señal de entrada podemos decir que el
    c) Circuito amplificador transistor Mosfet tipo N. circuito está amplificando de forma correcta.

    CONCLUSIONES
     Se logró conocer e identificar las curvas
    características de los transistores Mosfet tipo
    P.
     Se pudo determinar las zonas activas y la de
    saturación de los transistores Mosfet tipo P.
     Cuanto mas negativa sea la tensión de la
    puerta, mayor será la corriente.
     La corriente de saturación es muy pequeña.

    Figura 3
    Realizamos un dominio del tiempo y tenemos como
    resultado la siguiente grafica

    3.1) Resultados simulación:

    Vout
    Gv=
    Vs
    1.70 V
    Gv=
    1.99 mV
    Gv=854.27

    Vout
    Av=
    Vi
    1.70 V
    Av=
    168.20 mV
    Av=10.1070

    -----------------------------------------------------------------
    ---

    OBSERVACIONES Y ANÁLISIS DE RESULTADOS

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