INSTITUTO POLITÉCNICO NACIONAL

ESCUELA SUPERIOR DE INGENIERÍA MECÁNICA Y ELÉCTRICA

UNIDAD CULHUACÁN

INGENIERÍA EN COMPUTACIÓN

ELECTRÓNICA ANALÓGICA

TRABAJO:

“Implementación del transistor BJT”

PROFESOR: Vargas Reyes Orlando

INTEGRANTES: Guzmán Reyes Néstor Josué

SEMESTRE: 4º GRUPO: 4CV24

A 14 de diciembre del 2021

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 INDICE
INTRODUCCION……………………………………………. 3
ESTUDIO………………………………………………...…... 4
TRANSISTOR FET………………………………….……… 5
FUNDAMENTO DE TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO………………………………………………………. 6
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de
campo (FET)………………………………………………… 7
Transistor BJT……………………………………………… 8
Señal de entrada…………………………………………… 9
Señal de salida…………………………………………….. 10
AMPLIFICACIÓN…………………………………………… 11
INTERRUPCIÓN……………………………………………. 12
CONTROL DE LA SALIDA……………………………….. 13
EFECTO DE LA TEMPERATURA O FRECUENCIA….. 14
RECTIFICACIÓN……………………………………………15
VENTAJA O DESVENTAJA………………………………16
CONCLUSION………………………………………………17

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 INTRODUCCION
El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material
semiconductor. En la Figura Ase muestra una representación física de la
estructura básica de dos tipos de transistor bipolar: NPN y PNP, en dicha figura
también se ilustran sus respectivos símbolos eléctricos. El transistor bipolar NPN
contiene una delgada región p entre dos regiones n. Mientras que el transistor
bipolar PNP contiene una delgada región n entre dos regiones p. La capa
intermedia de material semiconductor se conoce como región de la base, mientras
que las capas externas conforman las regiones de colector y de emisor. Estas
están asociadas a las terminales de base, colector y emisor respectivamente .

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 ESTUDIO
Los transistores están construidos por cristales semiconductores que dependiendo
de su estructura interna pueden ser denominados material N o material P. En
todos los transistores siempre se colocan dos cristales de un material y uno del
otro, por ejemplo: NPN o PNP y cada cristal corresponde a una terminal que son:
emisor, base y colector.

El emisor se encarga de proporcionar las cargas eléctricas, la base controla el flujo

de corriente y por último el colector recoge las cargas proporcionadas por el
emisor. La diferencia de usos entre transistores es que los NPN se utilizan para
voltajes positivos y los PNP con voltajes negativos.

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 TRANSISTOR FET
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de
material p ó n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del
otro tipo de material que forma con el canal una unión p-n.

En los extremos del canal se hacen sendas conexiones óhmicas llamadas

respectivamente sumidero (d-drain) y fuente (s-source), más una conexión
llamada puerta (g-gate) en el collar.

La figura muestra el croquis de un FET con canal N

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 FUNDAMENTO DE TRANSISTORES DE EFECTO DE
CAMPO
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente
con purezas donadoras o aceptadoras de electrones.

Su estructura y representación se muestran en la imagen.

Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de

tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.

La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión

afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y
depende de la tensión inversa (tensión de puerta).

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 Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de
campo (FET):
ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una
resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y
distintos valores de VGS.

ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se

comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS

ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0)

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I
(se trata de un dispositivo simétrico).

La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un

FET de CANAL N, lo que significa que todos los voltajes y corrientes
son de sentido contrario.

Transistor BJT

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Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy
cercanas entre sí, que permite aumentar la corriente y disminuir el voltaje, además
de controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación
de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de
gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes,
entre ellos su impedancia de entrada bastante baja.

Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y se usan

generalmente en electrónica analógica aunque también en algunas aplicaciones
de electrónica digital, como la tecnología TTL o BiCMOS.

Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones PN en un solo cristal
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan
formadas tres regiones:

Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.

Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.

Colector: de extensión mucho mayor.

SEÑAL DE ENTRADA

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La señal de entrada en el osciloscopio es el canal A o el color amarillo. En la señal
de entrada dimos una potencia de 50 mV lo cual nos da como resultado que la
onda sea corta lo cual coincide con los datos que le hemos dado

Es la señal de entrada

SEÑAL DE SALIDA

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La señal de salida en el osciloscopio es el canal B o el color azul. En la señal de
salida dimos el resulto que nos dio fue de apenas 2mV lo cual nos genero una
onda mas grande que la señal de entrada.

Es la señal de salida

AMPLIFICACIÓN

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Para que los transistores BJT funcionen como amplificadores de corriente se debe
aplicar una pequeña señal de corriente en la terminal base para controlar una
corriente de salida mayor en las terminales colector y emisor. Para el uso de los
transistores BJT como amplificadores, tienes que tener en cuenta que hay
distintos tipos de transistores BJT los cuales tienen diferentes características
técnicas, cada uno de ellos tiene una ganancia de corriente conocida como beta
del transistor, dependiendo del tipo de amplificación que requieras verificar la beta
del transistor para obtener la amplificación de corriente deseada. Para este tipo de
transistores bipolares, la amplificación concierne de la corriente. La corriente del
colector “Ic” es proporcional a la corriente en la base multiplicada por la «beta» del
transistor.

Ic = (hFE)*(Ib)

Donde:

Ic = Corriente de colector

hFE = Beta del transistor

Ib = Corriente en la base

Este factor de ganancia depende de la corriente del colector y en ocasiones puede

variar, es por eso que no es recomendable el uso de transistores como
amplificadores electrónicos, te recomiendo el uso de amplificadores operacionales.

INTERRUPCIÓN

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los transistores necesitan una tensión mínima que permita que la corriente fluya a
través de la unión PN. La tensión mínima para iniciar el flujo de corriente es 0,7
Por lo tanto, un transistor se puede utilizar como un mecanismo de conmutación.

En esencia, cuando la tensión aplicada al conector de la base en un transistor es

0,7V o mayor encenderá, cuando la tensión aplicada al conector de la base cae
por debajo de 0,7 V, el circuito eléctrico se apagará.

INTERRUPCIÓN

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El transistor bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor) es el más común de los
transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. En ambos casos
el dispositivo tiene 3 patillas y son: el emisor, la base y el colector.

El nombre transistor se obtiene de la combinación de las palabras “transfer” y

“resistor”. El motivo del nombre se debe a que es un “resistor” que puede
amplificar una señal eléctrica mientras es “transferida” de su terminal de entrada al
terminal de salida.

Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la

corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de
transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres:
base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla
que tiene la flecha en el gráfico de transistor.

NPN

El control se produce mediante este terminal de base porque, si se corta la

corriente por la base ya no existe polarización de un diodo en inversa y otro en
directa, y por tanto no circula corriente. Para el análisis de las distintas corrientes
que aparecen en un transistor se considerara un PNP. Este tipo de polarización
será el usado cuando el transistor trabaje en región activa, como se verá en los
siguientes apartados. La unión emisor-base queda polarizada como una unión en
directa, y la unión colector-base como una unión en inversa.

EFECTO DE LA TEMPERATURA O FRECUENCIA

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El transistor es afectado por la temperatura y es muy importante tener todas estas
variaciones en cuenta durante el diseño. Las corrientes de pérdidas ICBO e ICEO
aumentan con la temperatura.

Las ganancias βDC y αDC también aumentan con la temperatura, mientras que la
tensión de polarización directa de la unión base emisor para una determinada
corriente de colector disminuye con la temperatura. El coeficiente de temperatura
de la unión base-emisor es igual al de cualquier otra unión p-n polarizada
directamente.

La tensión de polarización directa de la unión base-emisor para una determinada

corriente de colector disminuye 2,2 mV por cada grado de incremento de la
temperatura. La variación de la corriente de pérdidas de colector varía de forma
parecida a la corriente inversa del diodo, doblándose cada 8º de aumento de la
temperatura.

Efectos de la temperatura en diferentes curvas del transistor en emisor común .

(a) caída de tensión en el diodo (b) corriente de colector

base-emisor en función de la
corriente de base

RECTIFICACION

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La mayoría de los circuitos electrónicos necesitan una tensión de alimentación
continua para su funcionamiento, dado que el suministro de tensión tanto para uso
domestico como para uso industrial se realiza en corriente alterna, será necesario
transformar esta señal en corriente continua. Por consiguiente, cualquier circuito
lleva siempre asociada al mismo una fuente de alimentación que realiza la
necesaria transformación.

Rectificar una señal alterna consiste en obtener una tensión unidireccional de valor
no nulo. Este valor puede ser positivo o negativo, según las necesidades
requeridas por el circuito al que se le aplica la alimentación. El componente más
adecuado y más empleado para rectificar es el diodo semiconductor, también
existen bloques que integran varios diodos, llamados puentes de diodos,
eliminándose interconexiones en el circuito.

Para definir la recta de carga, se hallan dos puntos de intersección de la recta con
los ejes. La señal de salida puede no ser exactamente igual a la señal de entrada
(senoidal), debido a la no linealidad del transistor. La señal es pues distorsionada,
el punto de trabajo se desplaza hacia Ic=0, el transistor se ha llevado al corte.

La amplificación será razonablemente lineal si la oscilación de la señal se limita a

la zona activa, pues no hay distorsión, sin embargo, en conmutación se trabaja de
corte a saturación.

VENTAJA O DESVENTAJA DE UN TRANSISTOR BJT

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Desventajas.

Generan un nivel de ruido muy alto con respecto a los FET

Generan gran temperatura a comparación de los FET

Son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten
integrar más dispositivos en un CI

Los BJT tiene una baja impedancia de entrada a comparación con los FET que
tienen una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012) MΩ

El BJT no soporta tensiones en el sentido opuesto por que la elevada

concentración de impurezas del emisor provoca la ruptura de J1 en tensiones (5 a
10) V

Ventajas

Ofrecen una buena ganancia de amplificación

Los FET presentan una linealidad muy pobre y en general son menos lineales que
los BJT

Los BJT son resistentitas a la energía estática los FET se pueden dañar debido a
esto

Los BJT presentan una respuesta en frecuencia alta debido a la baja capacidad de
entrada respecto a los FET

Conclusión

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Se concluye que los transistores operacionales tienen diferentes formas de operar
según se ajuste la base del transistor, para así obtener los valores deseados en
colector

Con este reporte se da por bien entendido que la parte teórica es demasiado
importante, ya que sin los conceptos visto en clase hubiese sido muy difícil operar
los circuitos teóricamente

La parte de la simulación fue muy importante para comparar la parte teórica. Y así
comprender mejor el funcionamiento de los transistores en los circuitos

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