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  • Transistores MOSFET

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    Moises Morales
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    El documento describe el transistor MOSFET. Explica que el MOSFET es un transistor de efecto de campo que usa un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. Describe cómo se crea un canal entre el drenador y la fuente cuando se aplica una tensión de puerta, y cómo la corriente entre el drenador y la fuente puede controlarse variando la tensión de puerta. También explica cómo el MOSFET puede usarse como un amplificador variando pequeñas señales de entrada en la tensión de puerta.

    Descripción original:

    Presentación sobre los transistores MOSFET

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    El documento describe el transistor MOSFET. Explica que el MOSFET es un transistor de efecto de campo que usa un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. Describe cómo se crea un canal entre el drenador y la fuente cuando se aplica una tensión de puerta, y cómo la corriente entre el drenador y la fuente puede controlarse variando la tensión de puerta. También explica cómo el MOSFET puede usarse como un amplificador variando pequeñas señales de entrada en la tensión de puerta.

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    Transistores MOSFET

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    El documento describe el transistor MOSFET. Explica que el MOSFET es un transistor de efecto de campo que usa un campo eléctrico para controlar el flujo de corriente. Describe cómo se crea un canal entre el drenador y la fuente cuando se aplica una tensión de puerta, y cómo la corriente entre el drenador y la fuente puede controlarse variando la tensión de puerta. También explica cómo el MOSFET puede usarse como un amplificador variando pequeñas señales de entrada en la tensión de puerta.

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    Transistores MOSFET

    © 2021 Oswaldo B. González Hernández, Universidad de La Laguna. Todas las imágenes son de creación propia
    salvo que se especifique lo contrario, en cuyo caso se proporciona la información de acceso a la fuente original.
    El transistor de efecto de campo de
    metal-óxido-semiconductor (MOSFET)
    MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor

    MOSFET de canal n
    (n-channel MOSFET)

    Fuente: SEDRA/SMITH Microelectronics Circuits, Oxford University Press, 2020.


    El MOSFET de enriquecimiento
    (enhancement-type MOSFET)

    MOSFET de canal n
    (n-channel MOSFET)

    El MOSFET de enriquecimiento (enhancement-type MOSFET) carece de canal cuando no se ha


    3
    llevado a cabo la polarización de puerta.
    Creación del canal en el MOSFET

    MOSFET de canal n
    (n-channel MOSFET)

    Para una polarización nula de fuente (S), drenador (D) y sustrato (B), tenemos dos diodos no
    polarizados: diodo B-S y diodo B-D. Por tanto, se creará una región de deplexión (vaciamiento)
    entre las uniones p del sustrato y las regiones n+ de la fuente y el drenador. La polarización entre 4

    la puerta y la fuente (VGS) atrae electrones a las inmediaciones de la puerta. Si dicha polarización
    supera un determinado umbral (threshold), VGS ≥ Vt, se induce la creación de un canal n.
    Inducción de corriente en el MOSFET

    MOSFET de canal n
    (n-channel MOSFET)

    Debido al óxido de silicio (aislante), no existe corriente de puerta (IG = 0) aunque VGS > 0. Si se
    aplica una pequeña polarización entre drenador y fuente, VDS > 0, empezará a fluir una corriente
    ID entre el drenador (D) y la fuente (S) a través del canal n creado. Inicialmente, a medida que 5

    aumentamos dicha polarización VDS la corriente ID lo hará de manera proporcional: ID = k’VDS.


    Además, k’ es proporcional a VOV = VGS − Vt (overdrive voltage). Luego: ID = k(VGS − Vt)VDS
    Estrangulamiento (saturación) del
    MOSFET
    MOSFET de canal n
    (n-channel MOSFET)

    A medida que VDS aumenta, la tensión VGD = VGS + VSD = VGS − VDS se hace cada vez menor. Esto hace
    que el canal se haga cada vez más estrecho por el extremo del drenador, hasta que se alcanza la
    tensión VDS = VOV, en cuyo momento: VGD = VGS − (VGS − Vt) = Vt. Una tensión VGD < Vt (lo que ocurre 6

    para VDS > VOV) en teoría cerraría el canal por el lado del drenador, pero lo que ocurre es que se
    produce un estrangulamiento (pinch-off) del canal y la corriente ID no crece más (saturación).
    Características I-V del MOSFET

    Para VDS ≤ VOV = VGS − Vt (región del triodo), inicialmente la corriente ID crece linealmente con la
    tensión VDS hasta que se va alcanzando VDS = VOV, momento en el cual el transistor se satura y la
    corriente ID se mantiene ya constante (región de saturación). Además, ID será mayor cuanto mayor 7

    sea la tensión de puerta VGS. Así, en la región de saturación se tiene que: ID  ½k·VOV2. Si VGS ≤ Vt,
    el transistor está en corte (cutoff) y no conduce (ID = 0) independientemente del valor de VDS.
    El MOSFET como amplificador

    La característica iD vs vGS en las inmediaciones del punto de operación Q (ID, VGS) es cuasi-lineal,
    con pendiente gm = (diD/dvGS)|Q, que tiene unidades de conductancia (A/V = S). Si se aplica una
    pequeña señal de alterna vgs en torno a VGS, la componente en alterna de la corriente de salida es: 8

    id = gm·vgs , donde la corriente total por el drenador es iD = ID + id.


    El MOSFET como amplificador

    La ecuación de la etapa de salida es: VDD = iD·RD + vDS  iD = (VDD − vDS)/RD (recta de carga)

    La oscilación de id debe ser tal que se evite que vds entre en la región del triodo (zona no lineal) y que 9
    tampoco se acerque a la región de corte (iD = 0), luego la ubicación del punto Q es vital. Una idéntica
    polarización VGS puede llevar a puntos Q localizados en lugares muy diferentes en dos MOSFET distintos.
    Los problemas de la polarización fija

    Supongamos un transistor con tensión umbral Vth = 1 V, que genera una corriente ID = 10 mA cuando
    VGS = 2,5 V, y queremos polarizarlo a VDS = 5 V cuando lo alimentamos a VDD = 10 V. Esto implica que
    el punto de polarización Q cae en el centro de las curvas I-V (figura de la derecha). Para ello 10

    requerimos que en la resistencia RD caigan VRd = ID·RD = VDD − VDS = 5 V. Luego RD = 500 W.
    Los problemas de la polarización fija

    Si ocurre que el transistor real utilizado tiene una tensión umbral Vth = 1,4 V, y genera una corriente
    ID = 10 mA cuando VGS = 3 V (ligeras modificaciones respecto a lo supuesto anteriormente),
    manteniendo los parámetros calculados para la polarización (VDD = 10 V, VGS = 2,5 V y RD = 500 W), se 11

    tiene que en este nuevo transistor ID = 4,7 mA cuando VGS = 2,5 V, y el punto Q obtenido finalmente
    es: ID = 4,7 mA y VDS = 7,6 V (ver figura). Esto se aleja con mucho de los cálculos.
    Circuito de autopolarización

    Supongamos un transistor con tensión umbral Vth = 1 V, que genera una corriente ID = 10 mA cuando
    VGS = 2,5 V, y queremos polarizarlo a VDS = 5 V cuando lo alimentamos a VDD = 10 V. Esto implica que el
    punto de polarización Q cae en el centro de las curvas I-V (figura de la derecha). Por simplicidad 12

    hacemos RD = RS. En ese caso, VDD = ID(RD + RS) + VDS = 2IDRD + VDS  RD = RS = (VDD − VDS)/2ID = 250 W.
    Como VS = ID·RS = 2,5 V, para conseguir VGS = 2,5 V requerimos VG = 5 V.
    Circuito de autopolarización

    Si ocurre que el transistor real utilizado tiene una tensión umbral Vth = 1,4 V, y genera una corriente
    ID = 10 mA cuando VGS = 3 V (ligeras modificaciones respecto a lo supuesto anteriormente),
    manteniendo los parámetros calculados para la polarización (VDD = 10 V, VG = 5 V y RD = RS = 250 W), 13

    se tiene que para este nuevo transistor el punto Q es ID = 8,5 mA y VDS = 5,8 V (ver figura), lo que
    se produce para VGS = 2,9 V. Este nuevo punto Q cae cerca de lo previsto por los cálculos.
    El amplificador en fuente común

    Circuito en continua

    Los condensadores C1 y C2, denominados de acoplo (coupling capacitors), sólo permiten el paso de la
    señal de alterna y bloquean las componentes de continua. Luego, RG1 y RG2 permiten establecer la
    polarización de puerta en continua a un valor fijo: VG = VDD·RG2/(RG1 + RG2)
    14

    Ahora, si ID tiende a aumentar, VS = ID·RS aumentará, con lo que VGS disminuye (VG es fija), lo que hace
    que ID tienda otra vez a disminuir. Así ID se estabiliza a un valor concreto.
    El amplificador en fuente común

    Circuito en alterna

    Los condensadores C1 y C2, y CS, este último denominado de desacoplo (bypass capacitor) se convierten
    en cortocircuitos a las frecuencias de trabajo de la señal de alterna, por lo que RS desaparece en el
    análisis de alterna. Igualmente la componente de VDD en alterna es cero voltios y RD y RG1 se van a
    15
    tierra. Para pequeña señal, id = gm·vgs, donde gm se conoce como transconductancia y tiene unidades
    de Siemens (S = A/V = -1). En el circuito: vgs = vIN y vOUT = −id(RD||RL) = −gmvIN RDRL/(RD + RL)

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