Fundamento (2)

“Año del bicentenario de la consolidación de nuestra independencia y de la
conmemoración de las heroicas batallas de Junín y Ayacucho”
UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELÉCTRICA
Informe del laboratorio de dispositivos y elementos electrónicos

JFET
Grupo: 3
Docente:
BALUARTE MATICORENA JAIME ARMANDO
Integrantes:
 Villanueva Hernandez Rodrigo Alhexander Cód.2223120357
 Garibay Barzola Renzo Sebastian Cód.2223120197
 Tiliria Mory Fred Cód. 2223120606
 Matzumura Anaya Dylan Satoshi Cód. 2223120134
2024
I. Introducción
El JFET (transistor de efecto de campo de unión) es un dispositivo
semiconductor controlado por corriente unipolar con tres terminales:
fuente (source), drenador (drain) y puerta (gate). Los JFET son
comúnmente utilizados como interruptores y amplificadores.
Estos dispositivos son transistores controlados por voltaje, lo que

significa que la corriente que fluye a través del dispositivo es
controlada por un voltaje aplicado. En un JFET, hay una unión PN
entre la puerta y la fuente que normalmente está polarizada
inversamente para el control de la corriente entre fuente y drenador.
Los JFET son dispositivos normalmente encendidos (normalmente
saturados).
II. Objetivo:
Obtener los parámetros y curva de transconductancia del JFET así
como comprobar la auto polarización del mismo.
III. Materiales:
Fet 2n5457 Resistencias
Fuentes variables Capacitores

Generador de Señal Multímetros
IV. FUNDAMENTO TEÓRICO
Estructura Básica
Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:
 JFET de canal n
 JFET de canal p
En la figura se ha representado la construcción básica de un JEFT de canal n. Podemos

observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado
formando un canal con contactos óhmicos en ambos extremos (terminales de Drenador
y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+
(material tipo p fuertemente dopado) con sendos contactos óhmicos que constituyen los
terminales de puerta. En algunos casos los dos terminales de puerta están accesibles
(JFET de doble puerta) aunque lo más habitual es que ambos terminales estén
cortocircuitados teniendo un único terminal de puerta (dispositivo de tres terminales).
En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen están sin polarizar.
El resultado es una región de vaciamiento o zona de deplexión (región carente de
portadores libres) de forma similar a la que se vio en su día al analizar en el diodo la
unión p-n en ausencia de polarización.
- D
=
Drenador: (Del inglés Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los
electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)
-S = Fuente: (Del inglés Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
-G = Puerta: (Del inglés Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a través del canal.
Símbolos
Como ya se ha comentado con anterioridad se trata, en cualquier caso, de dispositivos con tres
terminales cuyos símbolos aparecen representados en la figura.
Polarización del JFET
Principio de Funcionamiento.
-Influencia de V DS.
En primer lugar, vamos a estudiar el efecto que sobre el dispositivo tiene la variación de la
tensión VDS aplicada entre los extremos del canal. Para ello vamos a suponer que inicialmente
la tensión VGS = 0 y vamos a ir aumentando el valor de VDS desde 0.
Carácterísticas I D −¿V DS con V GS=0 ¿

-Influencia de V GS .
Una vez establecida la variación de la corriente ID por el dispositivo en función de la tensión

VDS cuando VGS = 0, para completar el análisis, tenemos que estudiar el comportamiento del
JFET para tensiones VGS aplicadas menores que cero (por ser JFET de canal n). El
funcionamiento del JFET para valores de VGS < 0 es muy similar al que tiene con VGS = 0, con
alguna pequeña modificación.
Características ideales de un JFET de canal n
V. PROCEDIMIENTO
1er circuito
SIMULADO:
2do circuito
SIMULADO:
3er circuito
SIMULADO:
GENERADOR DE SEÑALES Y OSCILOSCOPIO DIGITAL
VI. CONCLUSIONES
En conclusión, el transistor JFET 2N5459 demostró, a través de

nuestros experimentos, una alta impedancia de entrada y una baja
corriente de fuga. Estos resultados validan su eficacia en
aplicaciones de amplificación de bajo ruido y conmutación eficiente,
destacando su relevancia en circuitos electrónicos que requieren
estabilidad y rendimiento confiable.
VII. REFERENCIAS
1- Millman, J., & Halkias, C. (1972). Electronic Devices and Circuits.

McGraw-Hill.
2- On Semiconductor. 2N5459: JFET General Purpose Amplifier.
Disponible en: On Semiconductor
3- JFET Characteristics and Parameters. All About Circuits.

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Una vez establecida la variación de la corriente ID por el dispositivo en función de la tensión

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1- Millman, J., & Halkias, C. (1972). Electronic Devices and Circuits.

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