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  • Caracteristicas Cmos

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    Las características comunes a todos los dispositivos CMOS incluyen: (1) baja disipación de potencia cuando están en estado dc, (2) disipación de potencia que crece en proporción a la frecuencia a medida que los circuitos cambian de estado, y (3) mayor inmunidad al ruido que otras familias lógicas a bajas frecuencias pero menor ventaja a altas frecuencias.

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    Título original

    CARACTERISTICAS CMOS

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    Las características comunes a todos los dispositivos CMOS incluyen: (1) baja disipación de potencia cuando están en estado dc, (2) disipación de potencia que crece en proporción a la frecuencia a medida que los circuitos cambian de estado, y (3) mayor inmunidad al ruido que otras familias lógicas a bajas frecuencias pero menor ventaja a altas frecuencias.

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    Las características comunes a todos los dispositivos CMOS incluyen: (1) baja disipación de potencia cuando están en estado dc, (2) disipación de potencia que crece en proporción a la frecuencia a medida que los circuitos cambian de estado, y (3) mayor inmunidad al ruido que otras familias lógicas a bajas frecuencias pero menor ventaja a altas frecuencias.

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    Características comunes a todos los

    dispositivos CMOS

    • VOLTAJE DE
    ALIMENTACIÓN

    • NIVELES DE VOLTAJE
    • INMUNIDAD AL RUIDO

    • INMUNIDAD AL RUIDO
    PD AUMENTA CON LA FRECUENCIA
    PD AUMENTA CON LA FRECUENCIA

    • La disipación de potencia de un CI CMOS será muy baja mientras esté


    en una condición dc. Desafortunadamente
    • PD siempre crecerá en proporción a la frecuencia en la cual los circuitos
    cambian de estado.
    • Cada vez que una salida CMOS pasa de BAJO a ALTO, tiene que suministrarse
    una corriente de carga con oscilación momentánea a la capacitancia de
    carga.
    • En frecuencias más altas, CMOS comienza a perder algunas de sus ventajas
    sobre otras familias lógicas. Como regla general, una compuerta CMOS
    tendrá el mismo PD en promedio que una compuerta 74LS en frecuencias
    alrededor de cerca dc 2 a 3 MHz.
    FACTOR DE CARGA

    • Compartiendo con los N-MOS y P-MOS, los CMOS tienen una


    resistencia de entrada extremadamente grande de alrededor de 1
    tera ohmio que casi no consume corriente de la fuente de
    señales
    • Por su capacitancia de entrada se limita el número de
    entradas CMOS que se pueden manejar con una sola salida CMOS.
    • el factor de carga de CMOS depende del máximo retardo permisible
    en la propagación. Comúnmente este factor de carga es de 50 para
    bajas frecuencias (<1 MHz). Por supuesto para altas frecuencias , el
    factor de carga disminuye. Así podemos llegar a la conclusión de
    que el factor de carga de CMOS depende del máximo retardo
    permisible en la propagación
    VELOCIDAD DE CONMUTACIÓN

    • Los valores de velocidad de conmutación dependen del


    voltaje de alimentación que se emplee.
    • En una a compuerta NAND de la serie 4000 el tiempo de
    propagación es de 50 ns para VDD = 5 V y 25ns para VDD = 10 V.
    Como podemos ver, mientras VDD sea mayor podemos operar en
    frecuencias más elevadas.
    • Mientras más grande sea VDD se producirá una mayor disipación
    de potencia. Una compuerta NAND de las series 74HC o 7411CT
    tiene un tpd promedio alrededor de 8 ns cuando funciona con un
    VDD = 5V. Esta velocidad es comparable con la de la serie 74LS.
    ENTRADAS CMOS

    • Las entradas CMOS nunca deben dejarse


    desconectadas, ya que son muy sensibles a la
    electricidad estática y al ruido, los cuales pueden
    fácilmente activar los canales MOSFET P y N en
    el estado conductor, produciendo una mayor
    disipación de potencia y posible sobrecalentamiento.
    Tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje
    alto o bajo (0 V o VDD) o bien a otra entrada. Esta
    regla se aplica aún a las entradas de otras compuertas
    lógicas que no se utilizan en el mismo encapsulado.
    SUSCEPTIVILIDAD A CARGAS
    ELECTROESTATICAS
    • Las familias lógicas MOS son especialmente susceptibles a daños por
    carga electrostática. Esto es consecuencia directa de la alta impedancia de
    entrada de estos CI. Una pequeña carga electrostática que circule por estas
    altas impedancias puede dar origen a voltajes peligrosos. Los CMOS están
    protegidos contra daño por carga estática mediante la inclusión en sus
    entradas de diodos zéner de protección. Diseñados para conducir y
    limitar la magnitud del voltaje de entrada a niveles muy inferiores a
    los necesarios para provocar daño. Si bien los zéner por lo general cumplen
    con su finalidad, algunas veces no comienzan a conducir con la rapidez
    necesaria para evitar que el CI sufra daños. Por consiguiente, sigue siendo
    buena idea observar las precauciones de manejo presentadas antes para
    todos los CI.

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