MEMOIRE - Etude Et Réalisation D'un Hacheur Boost

Edited by Foxit Reader
Copyright(C) by Foxit Corporation,2005-2009

For Evaluation Only.
UNIVERSITE LARBI BEN M’HIDI DE OUM EL BOUAGHI

FACULTE DES SCIENCES ET SCIENCES APPLIQUEES
DEPERTEMENT DU GENIE ELECTRIQUE
MEMOIRE DE FIN D’ETUDES

en vue de l’obtention du
DIPLOME DE MASTER
Spécialité: Energie et Réseaux Electrique (ERE)
Titre du mémoire
Mémoire de fin d’études soutenu publiquement à Oum El Bouaghi
Juin 2016
Par :
HANOUN Brahim
Dirigé par :
Dr. Belkacem Faraheddine
Année universitaire : 2015/2016

DEDICACE
Je dédie se modeste travail aux être

A mes très chère et charmante famille
A ma chers, ma mere
A mes chers et biens aimes ,mes parents
Qui ont partage mes foi et mes soucis ,et qui
ont tout sacrifié pour ma réussite.
A mon chère grande père.
A mon frère et mes soeurs ,mes cousins
et tout mes Amis sans exception.
Et
A tout mes collègues de la promotion
M2 ERE 2016
HANOUN Brahim
Remerciements
Je remercie, en premier lieu, ALLAH qui m’a donné ce

bien là pour que je vive ce jour, ALLAH qui m’a donné la force
et la patience pour terminer ce travail .
Je tiens à exprimer ma profonde reconnaissance et ma

gratitude à mon encadreur, le Dr Belkacem Faraheddine qui a
proposé et dirigé ce travail .
Mes remerciements vont aussi à messieurs les membres

du jury pour avoir accepté d’évaluer mon travail .
Je tiens à remercier les responsables et tout le personnel

du département de L’électrotechnique pour les facilités qu’ils
m’ont accordé pour parfaire ce travail .
Ce travail de mémoire que j’ai effectué doit beaucoup à

certaines personnes que je tiens à remercier sincèrement .
Enfin, je remercie tous ceux qui ont contribué, de près ou

de loin, à ma formation et à l’élaboration de ce modeste
mémoire.
Sommaire
Sommaire
Introduction générale ........................................................................ 1

Chapitre I: Etat de l'art des hacheurs
I.1 Introduction................................................................................................... 2
I.2 Généralité sur Les hacheurs .......................................................................... 2
I.3 Domaine d'utilisation des hacheurs .............................................................. 3
I.4 Différents types d'hacheurs .......................................................................... 3
I.4.1 Les Hacheurs réversibles........................................................................................... 3
I.4.2 Les Hacheurs non réversibles ..................................................................................... 5
I .5 Eléments constitutifs d’un hacheur .............................................................. 7
I.5.1 Générateur ................................................................................................................. 7
I.5.2 Interrupteur commandable ......................................................................................... 7
 Transistor à effet de champ MOSFET ............................................................ 8
 Thyristor SCR ................................................................................................ 9
 Transistor bipolaire BJT .............................................................................. 10
 Transistor bipolaire à grille isolée IGBT « Insulated Gate Bipolar
Transistor » ................................................................................................. 10
I.5 Conclusion .................................................................................................. 11
Chapitre II: Modélisation et dimensionnement

II.1 Introduction ............................................................................................... 12
II.2 Description et hypothèses simplificatrices ................................................ 12
II.2.1 Description de la structure ...................................................................................... 12
II.2.2 Hypothèses simplification....................................................................................... 13
II.2.3 Principe de fonctionnement .................................................................................... 14
II.3 Modélisation du hacheur survolteur BOOST ............................................. 15
II.3.1 Expression généralisée d'une charge continue ......................................................... 15
II.3.2 Modélisation par analyse séquentielle ..................................................................... 16
II.3.3 Performances statiques et dynamiques .................................................................... 19
Sommaire
a) Points de fonctionnement généralisé ............................................................ 20

b) Performances dynamiques ........................................................................... 21
c) Rendement .................................................................................................... 23
II.4 Dimensionnement du hacheur ................................................................... 24
II.4.1 Détermination de la valeur d'inductance L .............................................................. 24
II.4.2 Détermination de la valeur de capacité C ................................................................ 25
II.5 Eléments constitutifs d'un hacheur avec prise en compte des
imperfections physiques ................................................................................................ 26
II.5.1 Générateur ............................................................................................................. 26
II.5.2 Interrupteur commandable « MOSFET » ................................................................ 26
a) Paramétrage du MOSFET ........................................................................... 28
b) Protection du MOSFET et son environnement ............................................. 29
c) Pilotage du MOSFET .................................................................................. 30
 Principe ...................................................................................................... 30
 Fonctionnement séquentiel de pilotage ........................................................ 31
II.5. 3 Diode de roue libre "continuité de service" ............................................................ 31
II.5.4 Bobine d’accumulation inductive............................................................................ 33
II.5.5 Condensateur d’accumulation capacitive ............................................................... 33
II.6 Bilan énergétique ....................................................................................... 34

II.6.1 Coté MOSFET ....................................................................................................... 34
a) Pertes statiques ........................................................................................... 34
b) Pertes Dynamique ....................................................................................... 35
II.6.2 Coté diode ............................................................................................................. 36
a) Pertes statiques ........................................................................................... 36
b) Pertes Dynamique ....................................................................................... 37
II.6.3 Coté bobine ........................................................................................................... 38
II.6.4 Coté codensateur ................................................................................................... 38
II.6.5 Rendement ............................................................................................................ 38
II.7 Conclusion ................................................................................................ 40

Chapitre III: Simulation et réalisation
III.1 Introduction .............................................................................................. 41
III.2 Schéma du montage complet avec ses valeurs .......................................... 41
Sommaire
III.2.1 Description de la structure .................................................................................... 41

III.2.2 Contraintes du calcul ............................................................................................ 41
III.2.3 Interrupteur commandable « MOSFET » .............................................................. 42
a) Circuit de commande du MOSFET ............................................................... 42
b) Protection du MOSFET ................................................................................ 43
III.2.4 Diode de continuité de service .............................................................................. 43
III.2.5 Bobine d’accumulation inductive .......................................................................... 44
III.2.6 Condensateur d’accumulation capacitive .............................................................. 44
III.3 Calcul des grandeurs et des paramètres résultantes (théoriques) ............... 44
III.3.1 Performances statiques .......................................................................................... 44
a) Point de fonctionnement ............................................................................... 44
b) Rendement .................................................................................................... 45
c) Performances dynamiques ............................................................................ 45
III.4 Simulation et réalisation ........................................................................... 46
III.4.1 Simulation ............................................................................................................ 46
III.4.2 Réalisation ........................................................................................................... 46
III.4.3 Valeurs, allures et interprétations ......................................................................... 47
III.5 Conclusion .............................................................................................. 50
Conclusion générale ........................................................................ 51

Liste des figures
Liste des figures
Figure I.1 : Schéma de principe du hacheur [2] ................................................................. 2

Figure I.2 : Schéma de principe d'un hacheur réversible en tension ................................... 4
Figure I.3 : Schéma de principe d'un hacheur réversible en courant ................................... 4
Figure I.4 : Schéma de principe d'un hacheur réversible en courant et en tension .............. 5
Figure I.5 : Schéma de principe d'un hacheur Buck ........................................................... 5
Figure I.6 : Schéma de principe d'un hacheur Boost. ......................................................... 5
Figure I.7 : Schéma de principe d'un hacheur Buck-Boost ................................................. 6
Figure I.8 : Schéma de principe d'un hacheur Çuk ............................................................. 6
Figure I.9: Représentation générale des hacheurs non réversibles ..................................... 7
Figure I.10: Zones approximatives (Courant/fréquence, tension/fréquence) d’utilisation des
principaux semi-conducteurs de puissance. ....................................................................... 8
Figure I.11 : Symbole d’un Transistor MOSFET ............................................................... 8
Figure I.12 : Symbole d’un Thyristor SCR ........................................................................ 9
Figure I.13 : Symbole des Transistor bipolaire BJT de type NPN et PNP ........................ 10
Figure I.14 : Symbole d’un Transistor bipolaire à grille isolée IGBT .............................. 10
Figure II.1 :Schéma de base d’un hacheur de type BOOST ............................................. 13
Figure II.2 : La : Allures des différents signaux du hacheur selon le mode de conduction 14
Figure II.3 : La tension de sortie liée au mode de conduction ........................................... 15
Figure .II.4 : Allure simplifiée du courant inductif pour chacun des montages élévateurs 24
Figure II.5 : Le schéma équivalent simplifié d'un MOSFET de puissance avec ses signaux
en commutation ON et OFF............................................................................................. 28
Figure II.6 : Schéma du pilotage de MOSFET ................................................................ 30
Figure II.7: Les formes d'onde de perte de commutation instantanée .............................. 35
Figure II.8 :Les formes d'onde de perte statique instantanée........................................... 37
Figure III.1: Schéma détaillé à simuler et à réaliser.......................................................... 41
Figure III.2:Schéma de circuit de commande .................................................................. 43
Figure III.3: Le schéma utilise par la simulation ............................................................. 46
Figure III.4: Photographie du banc d’essai ...................................................................... 47
Figure III.5: Allures issues de la simulation .................................................................... 48
Figure III.6: Allures issues de l’expérimental.................................................................. 49
Liste des symbole
LISTE DES SYMBOLES :

LES InDIcES
Xin : Grandeur d’entrée.
Xout : Grandeur de sortie.
XL : Grandeur de la bobine.
XD : Grandeur de la diode.
XC : Grandeur de condensateur.
Xs : Grandeur de l’interrupteur.
X̅ : Grandeur moyen.
GranDEurS ET paraMèTrES
d : Rapport cyclique.
u: Etat logique de l’interrupteur (Ouvert/Fermé).
fsw : Fréquence de commutation.
ton : Temps ce conduction de l’interrupteur.
toff : Temps ce blocage de l’interrupteur.
T : Période de commutation.
tri : Temps de monté de courant.
trv : Temps de monté de tension.
tfi : Temps de descente de courant.
tfv : Temps de descente de tension.
ON : Etat de conduction.
OFF : Etat de blocage.
Vq : Chute de tension directe de l’interrupteur commandable à l’état passant.
VF : Chute de tension directe « intrinsèque » de la diode à l’état passant.

Liste des symbole
RD : Résistance directe à l’état passant.

RL : Résistance interne de la bobine.
η: Rendement.
IL : Taux d'ondulation du courant.
Ea : Force Contre électromotrice du moteur charge
Tem : Couple électromagnétique
K : Constante de conversion électromécanique liée au couple électromagnétique.
K’ : Constante de conversion électromécanique liée au couple de charge.
Ω : Vitesse angulaire du moteur à courant continu.
J : Moment d’inertie.
f : Coefficient de frottement.
Tu : Couple utile du moteur à courant continu.
Ciss : Capacité d’entrée.
Coss : Capacité de sortie.
Crss : Capacité de transfert inverse.
CGS : Capacité parasite entre Grille et Source.
CGD : Capacité parasite entre Grille et Drain.
CDS : Capacité parasite entre Drain et Source.
Vgs : Tension entre la grille et la source.
Vcc : Tension d’alimentation de circuit de pilotage.
R : Résistance fictive englobant la partie électrique et mécanique du moteur

Introduction générale
Introduction générale
L’utilisation des convertisseurs de puissance pour des différentes applications devient
de plus en plus importante. Les domaines sont principalement les applications domestiques
(téléphone mobile, ordinateurs, électroménager), l’industrie automobile (avec l’apparition de
véhicules hybrides et électriques), l’aéronautique (l’avion électrique), le domaine ferroviaire,
les énergies renouvelables (panneaux solaires photovoltaïques, éoliennes), les réseaux de
transport d’énergie électrique (les liaisons à courant continu), etc.
Les hacheurs sont des convertisseurs statiques continu-continu, permettant de générer

une source de tension continue variable à partir d’une source de tension continue fixe. Ils se
composent de condensateurs, d’inductance et d’interrupteurs statiques. Ils consomment
moins de puissance. C’est pour cette raison que les hacheurs ont de très bons rendements.
Ce travail de mémoire est dédié a l’étude et a la réalisation d’un convertisseur DC-DC

de type Boost subi a une commande MLI.
 Le premier chapitre, nous allons présenter généralité et les différents types des
convertisseurs DC-DC .
 Dans le deuxième chapitre, nous allons présenter le principe de fonctionnement, la

modélisation et la dimensionnement du hacheur BOOST avec une étude théorique.
 Le dernier chapitre, nous l’avons consacré à la présentation des résultats de cette

expérience avec des interprétations et comparaison des courbes entre le résultat de simulation
et expérimental.
 Enfin, ce travail sera clôturé par une conclusion générale à travers laquelle on expose
les principaux résultats obtenus.
Page 1
Chapitre I Etat de l’art des hacheurs
I.1 Introduction :
Les convertisseurs continu-continu ont pour fonction de fournir une tension continue à
partir d'une autre continue. La tension continue de départ peut être un réseau alternatif
redressé et filtré, une batterie d'accumulateurs, une alimentation stabilisée,…etc.
On distingue deux types de convertisseurs continu-continu. Ceux qui sont non isolés,
que l'on appellera simplement « les hacheurs », qu'ils soient abaisseurs ou élévateurs
(dévolteurs ou survolteurs), qui correspondent aux applications moyennes et fortes
puissances, et ceux qui contiennent un transformateur assurant l'isolation galvanique, que l'on
appelle « alimentations à découpage », qui correspondent aux applications petites puissances
de la conversion DC/DC (cas des alimentations du PC…). [1]
Dans notre cas, nous nous intéressons aux convertisseurs DC-DC non isolés.
I .2 Généralité sur les hacheurs :

Un hacheur ou "chopper" est un convertisseur statique qui permet de transformer une
tension continue de valeur fixe en une autre continue réglable. C’est l’équivalent du
transformateur en alternatif.
La figure I.1 montre le schéma de principe du hacheur :
Figure I.1 : schéma de principe du hacheur.

Le hacheur permet la modulation de l’énergie entre une source et une charge continues.
Cette source et cette charge peuvent être soit de nature capacitive (source de tension), soit de
nature inductive (source de courant).
Il est constitué d'un interrupteur commandable qui peut être un transistor (pour des faibles
puissances) ou un thyristor (pour grande puissance).
Page 2
Le rapport entre la durée ton de fermeture de l’interrupteur et la période de commutation T

s’appelle le rapport cyclique « Duty Cycle ».
d=ton/T ou bien : ton=d.T d’où : toff=(1-d).T
Pour des raisons expérimentales, on donne toujours la fréquence de commutation fs
« switching frequency » au lieu de la période de commutation.
Un hacheur est un abaisseur (dévolteur ou Buck) lorsque la tension de sortie est inférieure à
celle d’entrée. L’inverse est un hacheur élévateur (survolteur ou Boost).
Selon le procédé de hachage (découpage), on peut faire varier la valeur moyenne de la tension
de sortie de 3 manières:
1. Hacheur à fréquence fixe et à largeur d'impulsion variable PWM.

2. Hacheur à fréquence variable et à largeur d'impulsion fixe PFM.
3. Hacheur à fréquence et à largeur d'impulsion variable.
I .3 Domaine d’utilisation des hacheurs:

Un des gros domaines d'utilisation des hacheurs est la variation de vitesse du moteur à
courant continu (MCC), Ils équipent par exemple la majorité des engins de moyenne traction,
tels que ceux utilisés pour le métro. La première génération de TGV (TGV Sud Est) est
équipée d'ensembles hacheurs-moteurs à courant continu [3].
On trouve aussi des hacheurs dans tous les équipements destinés à l'utilisation de
l'énergie éolienne ou solaire. Ils permettent de rendre constante une tension d'entrée très
versatile. Les hacheurs sont également utilisés dans l'alimentation des moteurs pas à pas.
I .4 Types des hacheurs :

Du point de vue réversibilité des grandeurs de sortie, on distingue deux catégories des
hacheurs : Réversibles et irréversibles. La réversibilité permet d’apporter certains avantages
aux hacheurs. On cite par exemple, l’inversion du sens de rotation des moteurs électriques, le
freinage par récupération, rechargement des batteries par récupération,…etc.
I.4.1 Les hacheurs réversibles : Les hacheurs réversibles permet l’inversion du courant ou
de la tension. Ce type de comportement se rencontre usuellement dans les systèmes
d’entraînements électriques. Ainsi, un moteur en sortie d’un hacheur représente une charge.
Page 3
Cependant, si on veut réaliser un freinage, le moteur va devenir une génératrice, ce qui va

entraîner un renvoi d’énergie à la source (mieux qu’un simple freinage mécanique).
Dans cette catégorie, on distingue trois types :
 hacheur réversible en tension (deux quadrants). C’est uniquement la tension appliquée
à la charge qui peut prendre des valeurs positives ou négatives.
Figure I.2 : Schéma de principe d'un hacheur réversible en tension
 hacheur réversible en courant (deux quadrants). C’est uniquement le courant de charge

qui peut prendre des valeurs positives ou négatives.
Figure I.3 : Schéma de principe d'un hacheur réversible en courant
 hacheur réversible en courant et en tension (quatre quadrants). Grâce à la structure

quatre quadrants, la tension et le courant de charge peuvent les deux avoir des allures
positives ou négatives.
Page 4
Figure I.4 : Schéma de principe d'un hacheur réversible en courant et en tension
I.4.2 Les hacheurs non réversibles : Les hacheurs non réversibles permet un transfert
unidirectionnel de l’énergie électrique (uniquement de la source vers la charge). Dans cette
catégorie et selon le type des sources de l’entrée et de la sortie, on distingue deux sous-
catégories : [2]
 Les hacheurs à liaison directe qui associent deux sources de nature différentes :
- Le hacheur série (dévolteur ou Buck).
Figure I.5 : Schéma de principe d'un hacheur Buck.

- Le hacheur parallèle (survolteur ou Boost).
Figure I.6 : Schéma de principe d'un hacheur Boost.
Page 5
 Les hacheurs à liaison indirecte ou à accumulation qui associent deux sources de

même nature :
- Le hacheur à stockage inductif ou série-parallèle (Buck-Boost).
Figure I.7 : Schéma de principe d'un hacheur Buck-Boost
- Le hacheur à stockage capacitif (Çuk).
Figure I.8 : Schéma de principe d'un hacheur Çuk
Le schéma synoptique qui résume les liaisons entre une source entrée (alimentation) et une
source de sortie (charge) que se soient des sources de courant ou de tension est représenté
dans la igure ci-dessous.
Figure I.9: Représentation générale des hacheurs non réversibles
Page 6
I .7 Eléments constitutifs d’un hacheur :

I.7.1 Générateur :
Le générateur d’entrée présente une source de tension dont la tension est supposée
constante quel que soit le courant débité. Les sources qui peuvent porter cette nature sont :
 Pile ou batterie d’accumulateurs bien chargées
 Source de courant (machine ou transformateur) avec condensateur suffisamment
grande mise en parallèle
 Alimentation stabilisée
I.7.2 Interrupteur commandable :
L’interrupteur commandable peut être l’une des semi-conducteurs à borne de commande
servant à rendre conducteur ou à bloquer l’élément commutateur. Le choix de ce dernier varie
selon plusieurs critères :
 La tension maximale pouvant être bloquée en permanence et accidentellement,
 Le courant direct maximal pouvant conduire en permanence et accidentellement,
 La fréquence de commutation entre les états de fermeture et d’ouverture,
 Chute de tension directe lors de fermeture ON,
 Procédé d’application de la commande (Commande par tension ou par courant),
 Commandabilité à la fermeture et/ou à l’ouverture.
Figure I.10: zones approximatives (Courant/fréquence, tension/fréquence) d’utilisation

des principaux semi-conducteurs de puissance.
Page 7
Dans l’industrie, on trouve plusieurs semi-conducteurs de puissance conçus. On cite par

exemple :
 Transistor à effet de champ MOSFET « Metal Oxyd Silicon – Filed Effect

Transistor » :
Figure I.11 : Symbole d’un Transistor MOSFET
C’est un interrupteur commandable à la fermeture et à l’ouverture par une tension entre sa

grille et sa source. Il est caractérisé par :
 Pouvoir commuter des puissances faibles et moyennement faibles,
 Etre très rapide du point de vue fréquence de commutation,
 Isolation de la partie commande Grille « Gate » de la partie puissance Drain-Source,
 Très faibles dimensions (technologie submicronique).
 Très faible consommation.
 Impédance d’entrée élevée.
 Comportement électrothermique positif (augmentation de la résistance à l’état passant

lorsque la température augmente) qui empêche l’emballement thermique.
 Présence dans des applications du domaine de télécommunication et de conversion à

faible puissance et haute fréquence.
Page 8
 Thyristor SCR « Silicon Controlled Rectifier » :
Figure I.12 : Symbole d’un Thyristor SCR
C’est un interrupteur commandable seulement à la fermeture par un courant à la

gâchette. Il supporte des grandes puissances et des fréquences relativement faibles de
commutation. On le trouve spécialement dans les modules de conversion et de transfert de
puissance liées à la filiale production, transport et distribution d’énergie électrique ainsi
que les tractions. Son avantage réside dans sa capacité de commuter de très grandes
puissances. Or, son inconvénient majeur consiste en son processus de blocage OFF qui est
réalisé par un dispositif plus coûteux et plus complexe.
 Transistor bipolaire BJT « Bipolar Junction Transistor » :
Figure I.13 : Symbole des Transistor bipolaire BJT de type NPN et PNP
C’est un interrupteur commandable à la fermeture et à l’ouverture par un courant à la

base. Il supporte des moyennes puissances et des moyennes fréquences de commutation. On
Page 9
le trouve spécialement dans les modules domotiques et de petits commerces tels que les
chargeurs, les connecteurs et les interfaces.
 Transistor bipolaire à grille isolée IGBT « Insulated Gate Bipolar Transistor » :
Figure I.14 : Symbole d’un Transistor bipolaire à grille isolée IGBT
C’est un interrupteur commandable à la fermeture et à l’ouverture par une tension entre sa

grille et son émetteur. Il supporte des grandes puissances et des fréquences de commutation
moyennement grandes. On le trouve spécialement dans le domaine de traction
électromécanique. Il combine entre les avantages du BJT et MOSFET pour donner un bon
compromis.
 Il y a aussi d’autres semi-conducteurs non cités tels que :
 Thyristor à grille contrôlable à la fermeture GTO (Gate-Turn-Off thyristor),
 Thyristor contrôlable par grille intégrée IGCT (Integrated-Gate-Controlled

Thyristor),
 Transistor statique à induction SITs (Static Induction Transistor),
 Thyristor contrôlable à oxyde de silicium MCTs (MOS-Controlled Thyristor)
Page 10
Semi-conducteur Niveaux de puissance Vitesse de commutation

pouvant manipuler « fréquences »
BJT Moyen Moyen
MOSFET Faible Rapide
GTO Fort Lent
IGBT Moyen Moyen
MCT Moyen Moyen
Tableau .I.1: Niveaux de puissance et fréquence de commutation des semi conducteur
Conclusion :
Dans ce chapitre, nous avons présenté un état de l’art non exhaustif sur les
convertisseurs DC-DC nommés « hacheurs ». Des différentes structures et catégories des
hacheurs selon certains critères de classement ont été relativement explicitées.
Page 11
Chapitre II Modélisation et dimensionnement
II.1 Introduction :
Partant d'une autre continue, les convertisseurs continu-continu « hacheurs » ont pour
fonction de fournir une tension continue réglable en agissant généralement sur le rapport
cyclique comme degré de liberté relatif à l’organe de commande.
La structure concernée par cette étude est le hacheur élévateur de tension
« BOOST ». Il sert à alimenter une charge interchangeable (R, RL, RLE). Afin d’atteindre
la phase de réalisation, on aborde dans ce chapitre sa modélisation et son
dimensionnement. L’objectif du premier stade est de déduire les dynamiques des variables
d’état ainsi que les expressions d’un point de fonctionnement généralisé. Dans le deuxième
stade, on détermine les valeurs paramétriques des éléments passifs et actifs à utiliser dans
la structure du hacheur à réaliser.
II.2 Description et hypothèses simplificatrices :

II.2.1 Description de la structure
Le hacheur BOOST (élévateur, Survolteur ou step-Up) est un convertisseur DC–
DC à liaison directe entre une source d’entrée en tension (générateur) et une source de
sortie en courant (récepteur) [5].
Il comporte deux interrupteurs complémentaires positionnés de façon à former un
commutateur bi-positionnel « power-pole »:
- Le premier est un interrupteur commandable en tension ou en courant à l’amorçage
comme au blocage placé en parallèle avec la source d’alimentation et l'inductance . Cet
interrupteur peut être de type transistor bipolaire BJT, transistor à effet de champ MOSFET
ou transistor bipolaire à grille isolée IGBT, thyristor SCR, thyristor à grille bloquante
GTO,…etc.
- Le deuxième est un interrupteur unidirectionnel spontanément amorçable et blocable,
placé en antiparallèle avec la branche Alimentation-interrupteur commandable.
- Des éléments passifs L et C placé en ordre servant à accumulateurs inductif et capacitif
de l’entrée vers la sortie et formant un filtre pour le courant et la tension respectivement.
[11]
La figure (Figure II.1) suivante représente le schéma de principe d’un hacheur BOOST :
Page 12
Figure II.1 :Schéma de base d’un hacheur de type BOOST
Ce type de convertisseur est utilisé pour des applications que l'on peut classer en deux
catégories :
 Les applications visant à obtenir une tension continue fixe (et parfois régulée) à partir
d'un générateur de tension continue inférieure.
 Conversion des 12-24V fournis par une batterie d'ordinateur portable vers les
quelques centaines de volts nécessaires aux alimentations.
 Les applications permettant d'obtenir une tension réglable mais toujours supérieure à
celle présente à l'entrée.
 Variateur de tension continue destiné aux actionneurs électromécaniques. [11]
II.2.2 Hypothèses simplificatrices

Tout élément électrique présente des imperfections et des comportements lors de
son fonctionnement au sein d’un schéma électronique. Ces aspects portent des natures
électroniques, thermiques et électromagnétiques. C’est l’allure de certaines grandeurs qui
permet d’explorer tous ces phénomènes qui reflètent les réactions statiques et dynamiques
de ces composants.
Parmi les grandeurs considérées comme empreintes des phénomènes internes, on cite par
exemple : les tensions, les courants, les champs électriques/magnétiques, la chaleur,…etc.
Prendre en compte toutes ces imperfections rend la modélisation et le dimensionnement
très difficile voire impossible. Pour cela, le recours à des hypothèses simplificatrices autour
d’un régime de fonctionnement choisi devient une nécessité.
Page 13
Edited by Foxit Reader
Copyright(C) by Foxit Corporation,2005-2009
Chapitre II For Evaluation Only.
Modélisation et dimensionnement
Dans notre travail en cours, nous adoptons certaines hypothèses permettant de faciliter
l’étude. Sauf indication contraire, on suppose :
 Due à la commutation à fréquence élevée, les allures de rechargement et de

décharge des bobines et des condensateurs sont linéaires.
 Les composants du hacheur sont idéaux : Effets Joules, chutes de tension
intrinsèques, résistances internes, saturations et hystérésis inductives, retards
d’établissement ou d’extinction dans les interrupteurs sont négligés.
 La tension du générateur est considérée comme continue et parfaitement constante.
II.2.3 Principe de fonctionnement :

Selon le principe de découpage (commutation à fréquence élevée), le hacheur
permet de transférer de l’énergie d’une source vers une charge en rechargeant et
déchargeant des éléments accumulateurs L et C à la même cadence ON et OFF de
l’interrupteur.
Pendant la fermeture, la diode sera polarisée en inverse et elle se bloque spontanément. La
bobine se recharge par un courant d’un niveau minimal précédent vers un autre maximal.
Au bout de cette durée de fermeture ton, l’interrupteur s’ouvre à la demande d’une
commande extérieure appliquée sous forme d’un rapport cyclique entre la durée ton et la
période de commutation T. Au cours de cette ouverture OFF, la charge inductive acquise
sera transmise au condensateur de sortie C et à l’élément de charge (Résistance R par
exemple) à travers une maille de roue libre via la diode qui est polarisée en directe et
devient passante.
En fonction de la valeur minimale du courant inductif, on distingue deux modes de
conduction dans l’élément L à accumulation: Mode de Conduction Continue « CCM » et
Mode de Conduction Discontinue « DCM ».
Figure II.2 : Allures des différents signaux du hacheur selon le mode de conduction
Page 14
Lorsque le courant de l’inductance ne s’annule jamais, le convertisseur fonctionne

en mode de conduction continue (Figure II.2). Dans ce cas, la tension de charge dépend
seulement de la tension d’entrée et du rapport cyclique d=ton/T.
Dans le cas contraire, le courant de la bobine s’annule avant la fin de la durée OFF de
l’interrupteur. C’est l’extinction prématurée de la charge inductive. Cela mène à un
transfert incomplet de l’énergie de la source vers la charge. Par conséquent, on trouve une
double dépendance de la tension de sortie d’une part et le courant de charge et le rapport
cyclique d’autre part.
Cette dépendance de la tension de sortie liée au mode de conduction est représentée par la
figure (II.3) :
Figure II.3 : la tension de sortie liée au mode de conduction
II.3 Modélisation du hacheur élévateur « BOOST » :
En partant du principe de commutation entre deux séquences temporelles, le hacheur

présente une structure variable suivant l'état logique (0, 1) de l'interrupteur S. La diode D
n’est qu’un complément spontané de cet interrupteur commandable.
II.3.1 Expression généralisée d'une charge continue:
L’expression de la charge est supposée généralisée en un seul terme qui englobe les trois
types (R, RL et RLE). L’acronyme RLE représente un récepteur électromécanique (MCC)
Page 15
dont son expression peut être facilement ramenée à une charge purement résistive ou
même inductive.
Charge R Charge RL Charge RLE
 dI out
Vout  Rout .I out  Lout . dt  Ea

 Ea .I out  .Tem et Tem  K .I out 
 d
J .  Tem  f .  Tu
 dt
Modèle dI out
Vout  Rout .I out  Lout .
dynamique Vout  Rout .I out dt J .L d 2 I
out out  J .Rout f .Lout  dI out
.   .
K dt 2
 K K  dt
 f .Rout  J dV f
  K  .I out  . out  .Vout
 K  K dt K
 Tu
Point de f
I out  .Vout
fonctionneme f .Rout  K 2
1 K
nt moyen et I out  .Vout I  1 .V  .Tu
Rout out
Rout
out
f .Rout  K 2
permanent
1 1
t+  I out  .Vout  .Tu
R K
Tableau II.1: L’expression de la charge en modèle dynamique et point de

fonctionnement
Pour ramener une charge de type RLE à une autre purement résistive ou inductive,
on considère que le rotor est bloqué et sans couple utile càd : Tu=0 et f+.
II.3.2 Modélisation par analyse séquentielle:
La commutation entre les deux séquences ON et OFF est représentée dans le tableau ci-
dessous.
Page 16
Etat ON Etat OFF
0 t  d.T d.T  t <T
 diL  diL
vIN  L. dt  vin  L .
dt
 vout
 
iin  iL iin  iL
 
iS  iL …………………..(II.1) iS  0 …………………….(II.2)
i  0 i  i
D D L
 dvout  dvout
0  iout  c. dt iL  c. dt  iout
Tableau II.2: Les circuits La commutation entre les deux séquences ON et OFF
En combinant les deux équations différentielles par une variable logique discrète u qui
représente l’état de l’interrupteur S,
 diL 1 1 iin  iL
 dt   L . 1  u  .vout  L .vin 
 et iD  1  u  .iL …………………..(II.3)
 dv 1 1 1 i  u.i
out
 . 1  u  .iL  .vout  .Tu S
 dt c R.c c.K  L
Soit pour un modèle avec prise en compte des imperfections internes des composants:
 vIN  d .vq  1  d  .vF

iL  2 iin  iL
 RL  d .RON  1  d  .RD  1  d  .Rout 
 iD  1  d  .iL …………..(II.4)
v  R . 1  d . vIN  d .vq  1  d  .vF i  d .i
 out out   2 S L
 RL  d .RON  1  d  .RD  1  d  .Rout
Page 17
C’est un modèle dynamique mais discret et non linéaire. On doit lever l’aspect discret de
toute variable booléenne afin de déduire un modèle possédant le rapport cyclique d comme
degré de liberté.
En régime permanent, on peut recourir au principe de transformation en modèle moyen

continu énonçant : « Sur une période de commutation, la moyenne d’un produit des
variables commutées est rapprochée à un produit des moyennes de ces mêmes variables ».
Le modèle devient alors,
dI L 1 1 I in  I L
 dt  .1d  V
. out  .Vin
L L 
 et I D  1d  .I L ……………………..(II.5)
dVout  1.1d  .I  1 .V  1 .T I  d.I
 dt c L
Rc.
out
c.K 
u S L
Les variables en minuscule sont des grandeurs instantanées « réelles » et celles en

majuscule sont des grandeurs moyennes. Pour la variable de commande booléenne
(logique) u=(1,0), sa valeur moyenne est le rapport cyclique : d=[0…1].
La représentation d’état de ce modèle est :
 Iin 
I 
 X  A. X  B.U I
 L V
 in   S 
 Avec: X    , U    , Y   I D 
Y  C . X  DU
. Vout   Tu   
Vout 
 I out 
 1 0 
 d 0 0
0  0
 1  1    0
0  . 1  d   0  1  d 0   
 L L 0 0
A , B   , C   
1 , D   
 1 . 1  d  .I 1 1   0
L   0   1 d  0 0
 c R.c    c.K    1
 1 
 0  0 
 K
 R 
Le nouveau modèle obtenu est dynamique et continu mais il est toujours non linéaire. Les
variables de sortie choisies pour être explicitées représentent les coordonnées du point de
fonctionnement à expression généralisée.
Page 18
II.3.3 Performances statiques et dynamiques: [12]
Les performances d'un système représenté par un modèle mathématique approché

sont des qualités fonctionnelles liées au comportements et aux réactions de ce système
physique suite aux excitations et aux influences externes. On cite par exemple, la rapidité,
la stabilité et la précision de sa réponse, sa robustesse envers des altérations physiques
internes, sa fiabilité, son rendement,...etc.
Chaque performance est traduite par une ou plusieurs variables ou paramètres dont leurs
valeurs numériques évaluent le degré de la performance correspondante.
On distingue des performances statiques et dynamiques. Les performances dynamiques

sont des qualités relatives au régime transitoire de démarrage ou du changement de point
de fonctionnement.
Les performances statiques sont qualités liées à un point de fonctionnement stable et final.
Ci-dessous un tableau résumant certaines performances d'un système physique associées à
des variables/paramètres.
la rapidité, la stabilité et la précision de sa réponse, sa robustesse envers des altérations

physiques internes, sa fiabilité, son rendement,
Type de
Performance Variable(s)/Paramètre(s) associés
performance
Précision de la réponse de
Erreur statique
rapprocher à la forme voulue
Stabilité de la réponse à une

forme stationnaire
Statique Lissage ou Taux d'ondulation
Degré de rapprochement du signal Facteur d'ondulation
à la forme continue idéale Facteur de forme
Existence d'un point de Variables de sortie au régime

fonctionnement permanent
Page 19
Rendement ou
Efficacité énergétique de Rapport de puissance entre entrée et
conversion d'une valeur/d'une sortie
forme à une autre
Fiabilité ou
Fonction de densité de probabilité de
Capacité du système d'accomplir
défaillance
correctement ses taches
prédéfinies sans défaillance totale PDF
ni partielle
Robustesse ou
Capacité de fonctionnement d'un Variation acceptable en % des
système dans un intervalle variables de sortie en fonction d'une
acceptable de ses valeurs lorsque autre variation en % d'un paramètre
la valeur de l'un des composants a d'un composant
été altérée
Mode de conduction Annulation ou non du courant

continue/discontinue inductif
Rapidité d'atteindre la réponse Temps de réponse

Dynamique
finale Temps de montée
Tableau II.3: Les performances statique d'un système
Parmi toutes ces performances, nous examinons seulement certaines qui sont plus
important dans l'évaluation de l'acceptabilité de notre structure de conçue.
a) Points de fonctionnement généralisé:
On peut déduire directement du modèle moyen les expressions des valeurs finales
moyennes déterminant le point de fonctionnement généralisé. Les valeurs finales sont
obtenues en régime permanent en mettant toutes les dérivées à zéro.
Page 20

Vout  d .Vin

 I  1 .d .V  1 .T
 L R in
K
u

 d2 d
 I in  .Vin  .Tu ……………………………………………(II.6)
 R K
 1  d  .d 1  d 
ID  .Vin  .Tu
 R K 
 1 1
 I out  R .d .Vin  K  .Tu
b) Performances dynamiques:
Pour les performances dynamiques, nous pouvons déduire les temps de réponse, les
dépassements transitoires, les temps de montée, les décréments logarithmiques et les
pulsations propres du courant inductif et la tension capacitive. Pour se faire, il est
nécessaire de linéariser le modèle autour d’un point de fonctionnement.
Pour sa linéarisation, on considère que les variables d'état convergent vers un point de
fonctionnement nominal et reste oscillante "à petits dépassements" autour de ce point.
On suppose que les réponses des états du modèle oscillent de (IL, Vout) autour d’un
point fixe (d0, IL0, Vout0) respectivement lorsqu’on applique une petite variation d du
rapport cyclique autour d’une valeur d0.
 Vin 1
d  d 0  d  I L0  2

K . 1  d 0 
  R. 1  d0 
I
 L  I L0  I L Dont:  …………………………(II.7)
V  V  V V  Vin
 out out 0 out
 out 0 1  d 0
En remplaçant dans le modèle moyen, continu et non linéaire, la linéarisation conduit à:
 d I L 1 Vin 1
 dt   L . V .Vout  L .Vout 0 .d
 out 0
 ………………………………………..(II.8)
 d  Vout 1 Vin 1 1
 . .I L  .I L 0 .d  .Vout
 dt c Vout 0 c R.c
La fonction de transfert pour des conditions initiales nulles de ce modèle linéaire sera:
Page 21
 Vin
s
 Vout I L 0 L.I L 0
 d  . 2
 c 2 1
s  .s 
1  d0 
 R.c L.c
 …………………………………..(II.9)
Vin  R.I L 0 . 1  d 0  2 

 I L s 
Vin R.cV
. in
  . 2
 d L. 1  d 0  s2 
1
.s 
1  d0 
 R.c L.c
Les performances dynamiques du modèle sont facilement déduites des fonctions de

transfert de chaque variable d’état.
D'après les deux fonctions de transfert, on remarque que le courant et la tension sont plus
oscillants vu le zéro présent pour chaque allure. Le tableau ci-dessous résume quelques
paramètres déduits du modèle de commande:
Paramètre de performance Expression
Vout  Vin .d


Valeurs finales  Vin
I L  R .d
L
1 
R
Constantes de temps et les zéros
 2  R.c
oscillants de la tension et du courant
1
z
R.c
1  d0
Pulsation propre commune 0 
L.c
1 L
Facteur d’amortissement commun  . 2
2 1  d 0  R .c
4.R 2 .L.c 2  1 L 
trise ,Vout    ArcCos  . 2  
4.R 2 .c  L   2 R .c  
Temps de montée de la tension
0,33. 4.R 2 .L.c 2  1 L 
trise , IL    ArcCos  . 2  
4.R 2 .c  L   2 R .c  
Page 22

  0, 7  t  5,9914.R.c
rép

Temps de réponse à 5 % de la valeur  L.c
  0, 7  trép  3.
finale de la tension  1  d0
 L
  0, 7  trép  2.9957. 2
 R 1  d 0 

t pic1,Vout 
1 1
 2 2
L.c 4 R .c
Instant du premier pic de la tension

t pic1, IL 
1 1
1,74.  2 2
L.c 4 R .c
2
Tp 
Pseudo période commune 1 1
 2 2
L.c 4 R .c
 
Pourcentage commun du premier
1 2
dépassement de la tension Dp (%)  100e
2
 IL %  100.
L L2

R 2 .c 4 R 4 .c 2
Décrément logarithmique
2
Vo %  100.
R 2 .c 2 1

L.c 4
Tableau II.4: Les performances d'un système représenté par un modèle mathématique
c) Rendement:
Depuis le début de l'étude, nous avons considéré que le convertisseur est idéal dans
ses composants (pertes nulles). Or, dans la réalité, tout composant présente des
imperfections lors de son fonctionnement telles que: échauffements, retards, chutes de
tension,...etc.
Dans la rubrique qui suit, nous étudions ces imperfections afin d'analyser le bilan
énergétique et déduire l'expression du rendement.
Page 23
II.4 Dimensionnement du hacheur : [8]
Un dimensionnement « sizing » d’un système est la procédure de trouver les

expressions donnant les valeurs des paramètres associés aux composants physiques
constituant ce système et cela pour un cahier des charges bien déterminé.
Pour un certain régime de fonctionnement et un certain point de fonctionnement, les
valeurs numériques de ces paramètres seront déduites autour d’un cas d’application bien
déterminée.
Par sécurité de dimensionnement, on applique un coefficient de sécurité (de 1,2 à 2) aux
valeurs calculées des paramètres. C’est avec ces valeurs que le choix du composant soit
réalisé.
II.4.1 Détermination de la valeur d'inductance L:[13]
Vu la fréquence de commutation élevée, l’allure du courant de rechargement et de

décharge de la bobine est presque linéaire. Le long d'une période et en régime permanent,
l’ondulation iL est la valeur moyenne IL sont constante(Fig. II.7).
Figure .II.4: Allure simplifiée du courant inductif pour chacun des montages élévateurs
A l'état ON, l'équation différentielle d'entrée devient:
diL i V V V (1  d )
Vin  L.  VO  L  in O  iLon  o ……………………………..(II.10)
dt ton L f .L
Si on veut imposer un taux d’ondulation fixe: IL=iL/IL pour un point de fonctionnement

nominal (d, IL, Vo), on peut déduire l’inductance correspondante comme suit:
Page 24
V o (1  d ) V (1  d ) V o (1  d )
i L  .T  L  o  .......................................................(II .11)
L f .IL .I L f .IL .I o
Cette inductance est calculée dans le cas d'un hacheur idéal et elle ne correspond qu'au
point de fonctionnement nominal. Pour un point flottant, un intervalle de cette inductance
doit être trouvé.
Pour assurer un mode de conduction continue CCM, il faut que :
I L
IL   0  I L  2 I L
2
En remplaçant dans l'équation d'ondulation,
 V 
V o . 1  o 
L  V in  ..............................................................................................................(II .12)
2.I o .f
L’intervalle des points de fonctionnement du hacheur est déterminé par les bornes limites
des intervalles de la tension et du courant de charge Vo et Io respectivement. L’intervalle
de l’inductance minimale sera déduit comme suit :
  Vo 
V o . 1  
 V in   L  V in
L min  Max    min ......................................................(II .13)
 2.I o .f  8.I o min .f min
 
La taille de l'inductance diminue avec l'augmentation de la fréquence de commutation.

II.4.2 Détermination de la valeur de capacité C:
L'équation différentielle décrivant le rechargement de condensateur C est la même qui

décrit sa décharge.
dvout
iL  c.  iout
dt
Par conséquent, une simple valeur de la capacité suffit pour garder la tension de sortie Vo
parfaitement lisse voire constante. La détermination de la capacité du condensateur devient
plus difficile. Pour cela, on utilise des méthodes autres que celle relative à l'inductance L.
La plus simple est de fixer une capacité C de valeur assez grande et connue pour les
montages de type "hacheurs de base". Elle peut prendre comme capacité entre 100F et
4700F. Cette valeur imposée est utilisée comme base de calcul pour l'analyse et le
dimensionnement du reste des composants.
Page 25
Une deuxième méthode consiste à considérer la tension de sortie comme alternative avec
une composante continue qui est sa valeur moyenne. Ce signal composé est issu de
l'oscillateur RLC.
La capacité sera exceptionnellement donnée en fonction de l'inductance L.
d . 1  d 
C  .......................................................................................................(II .14)
2 V out
8.L .f .
V out
Pour un mode de conduction continue, la capacité doit dépasser un certain minimum Cmin;
V out d . 1  d  d . 1  d 
V out  C  2
 C min  ......................................................(II .15)
2 16.L .f 16.L .f 2
II.5 Eléments constitutifs d'un hacheur avec prise en compte des

imperfections physiques:
II.5.1 Générateur :
Le générateur est une source de puissance ayant une tension moyenne fixe Vin qui
peut fluctuer de Vin. Il possède aussi une résistance interne Rin qui concrétise l’effet
Joule dans l’alimentation.
La grande contrainte du générateur c’est qu’il ne délivre qu’un courant maximale

Iinmax à prendre en considération lors de la conception. Du point de vue réaliste, la
tension délivrée par le générateur présente des fluctuations dues à plusieurs facteurs. Pour
cette raison, il est préférable de mettre un condensateur en parallèle avec la source pour
compenser ces fluctuations.
II.5.2 Interrupteur commandable « MOSFET »:
Pour choisir le bon semi-conducteur destiné à commuter la puissance d’entrée à
une certaine cadence, on recourt au réseau des courbes concernant la région du bon
fonctionnement de ce composant. Cette région est en fonction de la puissance manipulée et
de la fréquence de commutation ou bien le courant et la tension au lieu de la puissance.
Page 26
Dans notre application, le hacheur BOOST sert à alimenter en tension des

dispositifs domotiques de petites puissances allant jusqu’à 25W sous 5V à 12V. Ces
dispositifs peuvent être des lecteurs et baladeurs USB +5V, téléphonie et tablette, routeur
et commutateur,…etc. La qualité des signaux (tension de sortie surtout) requise pour ces
applications doit être optimale. Pour cela, on opte pour une commutation à une fréquence
élevée de ce hacheur.
Le meilleur semi-conducteur commandabe pour cette application est le transistor

MOSFET qui combine l’avantage de commuter des faibles puissances à des fréquences
pouvant aller jusqu’aux centaines de Hertz. En outre, il ne demande qu’une faible énergie
sous forme de tension VGS pour fermer et ouvrir cet interrupteur [8].
L’insertion d’un MOSFET plus réaliste comme interrupteur de commutation mène à

prendre en compte ses comportements électroniques internes révélés par certaines allures
de ces propres tensions et courants. Ces allures peuvent être des retards d’établissement ou
d’extinction inattendus, des pics de courants et de tensions qui surgissent, des oscillations
résonantes ou stationnaires,…etc.
En explorant les allures de tension et de courant dans chaque partie du MOSFET (Grille,
Drain, Source), cet interrupteur peut être modélisé par un schéma interne équivalent (Voir
Fig.).
Les comportements électroniques internes peuvent être classés en dynamiques et statiques.

Un comportement dynamique décrit l’allure d’une grandeur électrique (Tension, courant,
charge) pendant la transition bidirectionnelle ON-OFF. Or, celui statique est relatif à un
état stable ON ou OFF.
Ci-dessous le schéma équivalent simplifié d'un MOSFET de puissance avec ses signaux en
commutation ON et OFF. La majorité des MOSFET en marché dispose d’une diode en
antiparallèle interne destinée à des applications de roue libre, de récupération et de
protection.
Page 27
Figure II. 5 : le schéma équivalent simplifié d'un MOSFET de puissance avec ses signaux
en commutation ON et OFF.
a) Paramétrage du MOSFET: [9][10]
 Paramètres dimensionnant un comportement dynamique :
 td « Delay Time »: Retard d’établissement du courant à conduire ou de la tension à

bloquer pour passer de 0 à 10% du courant ou de tension finaux,
 tr « Rise Time » : Temps de montée du courant à conduire ou de la tension à
bloquer pour passer de 10% à 90% du courant ou de tension finaux,
 tf « Fall Time » : Temps de descente du courant à éteindre ou de la tension à chuter
pour passer de 90% à 10% du courant ou de tension finaux,
 Qrr « Recovery Charge » : Charge de recouvrement emmagasinée dans le
condensateur interne de la partie commande juste avant le blocage du semi-
conducteur.
 Paramètres dimensionnant un comportement statique :
 Rds(on) : Résistance directe à l’état ON
Page 28
 VF : Chute de tension intrinsèque directe à l’état ON
b) Protection du MOSFET et son environnement:
Ils existent des paramètres internes liés à la sécurité du semi-conducteur et de son

entourage (montage + ambiance). La sécurité du semi-conducteur concerne sa protection
contre la destruction ou contre tout dysfonctionnement menant le composant à des états
indésirables. Pour la sécurité du montage et de l'ambiance, il faut prendre connaissance des
comportements imprévus issus du semi-conducteur pouvant nuire au montage ou à son
environnement. On cite par exemple, les courants de fuites, les rayonnements thermiques
et électromagnétiques,…etc.
 Pour la sécurité du semi-conducteur lui-même, on cite par exemple :
 VDSS : Tension maximale à l’état bloqué,

 IDM : Courant maximale à l’état de conduction,
 VGDM : Tension maximale de commande Vgs,
 dVds/dt et dId/dt : Pente maximale de tension et du courant lors de transition
bidirectionnel ON-OFF,
 RTh : Résistance thermique contraignant la conduction thermique entre le
composant et le milieu externe pour dégager la chaleur du composant.
 Tj: Température de fonctionnement
 Pour la sécurité du montage et de l'environnement, on cite :
 IL : Courant de fuite inverse à l’état bloqué

 EMI : Degré d’interférence électromagnétique avec le milieu ambiant
Pour la sécurité du semi-conducteur et du montage, on opte pour des éléments

électroniques à ajouter au alentour de cet interrupteur afin de maintenir son fonctionnement
à l'intérieur d'un certain intervalle sécurisé. Les circuits autour de ces éléments s'appelle
Circuit d'Aide à La Commutation "SNUBBER".
Page 29
c) Pilotage du MOSFET: [9][10]

 Principes:
La procédure de commander correctement un MOSFET (ou même un IGBT) entre
un état de conduction et de blocage s'appelle: pilotage "Driving". Le dispositif chargé de
cette tâche s'appelle ainsi un pilote "Driver".
Avant d'aborder le problème de pilotage, on doit savoir la position du MOSFET par
rapport au montage. Selon cette position, on distingue des MOSFET en coté haut "Low
Side" et d'autres en coté bas "High Side". Si la borne Source du MOSFET est connectée à
la masse du circuit (0V), on dit que le MOSFET est en coté bas "Low side". Par contre, si
elle est connectée à un élément électrique à potentiel élevé (bien différent de zéro), on dit
que le MOSFET est en coté haut "High side".
Figure II.6 : schéma du pilotage de MOSFET

Piloter un MOSFET "Low side" diffère du pilotage "High side". Pour notre
montage du hacheur BOOST, le MOSFET est en Low side. Les conditions générales à
fournir pour piloter la grille d'un MOSFET en " Low side" sont:
 La tension Vgs entre la grille et la source doit être majorée de 10 à 15V.
 Il faut bien un circuit logique ayant une référence à la masse pour contrôler cette
tension Vgs en "Tout Ou Rien".
 La puissance absorbée par le circuit de pilotage de la grille ne doit pas affecter
beaucoup le rendement total.
Parmi les solutions les plus convenables pour piloter un MOSFET, on trouve un circuit à
base de transistor bipolaire associé à des résistances servant à limiter les courants et vers la
grille du MOSFET et protéger son propre circuit. On trouve par exemple:
 Résistance Rg de faible valeur en série avec la grille pour limiter son courant Ig,
Page 30
 Diode Dg inversée mise en parallèle avec la résistance série Rg pour accélérer le

blocage du MOSFET en vidant rapidement le condensateur Cgs.
 Résistance Rp de grande valeur et/ou diode zener Dz en parallèle avec la grille pour
limiter sa tension Vgs,
 Fonctionnement séquentiel de pilotage:

A l'action de passage en état ON, la tension VCC s'applique sur le condensateur
d'entrée Cgs du MOSFET à travers les éléments Rg, Rp. Dès que cette tension atteint un
seuil Vgs(th), le courant du drain Is commence à circuler. Plus la tension Vgs augmente,
plus le courant du drain linéairement augmente. A l'atteinte d'un niveau Vgs(sat), la
conduction du MOSFET d'établit en mode de saturation. Càd, même on augmente Vgs, le
courant du drain ne sera dépend que de la charge.
La durée de rechargement de Cgs vers Vgs(sat) est: tg,on. La commande du MOSFET peut
étaler un temps de conduction facultatif et supplémentaire tcom,on dès la fin de la durée
tg,on. Le temps total entre l'instant d'application de l'action ON et la fin commandable de
la conduction parfaite est: ton=tg,on+tdelay+trise+tcom,on.
A l'action de passage en état OFF, le condensateur Cgs commence à décharger son
ancienne tension Vgs(sat) à travers la diode Dg et la résistance Rp. Dès que la tension Vgs
descend au dessous d'un seuil Vgs(th), le MOSFET se bloque. La durée nécessaire pour
avoir un blocage effectif en déchargeant Cgs est tg,off. La commande du MOSFET peut
étaler un temps de blocage facultatif et supplémentaire tcom,off dès la fin de la durée
minimale d'extinction tg,off. Le temps total entre l'instant d'application de l'action OFF et
la fin commandable du blocage parfait est: toff=tg,off+tdelay+tfall+tcom,off.
II.5.3 Diode de roue libre "continuité de service":
Comme le MOSFET, une diode réelle présente aussi des comportements

électroniques internes.
Page 31
 Paramètres dimensionnant un comportement dynamique :
 td « Delay Time »: Retard d’établissement du courant à conduire ou de la tension à

bloquer pour passer de 0 à 10% du courant ou de tension finaux,
 tr « Rise Time » : Temps de montée du courant à conduire ou de la tension à
bloquer pour passer de 10% à 90% du courant ou de tension finaux,
 tf « Fall Time » : Temps de descente du courant à éteindre ou de la tension à chuter
pour passer de 90% à 10% du courant ou de tension finaux,
 Qrr « Recovery Charge » : Charge de recouvrement emmagasinée dans le
condensateur interne du semi-conducteur juste avant son blocage.
 Paramètres dimensionnant un comportement statique :
 Rd : Résistance directe à l’état passant,

 VF : Chute de tension intrinsèque directe à l’état passant,
Les paramètres internes liés à la sécurité de la diode et à la sécurité du milieu de montage

pouvant être :
 VRRM : Tension maximale à l’état bloqué,

 IFM : Courant maximale à l’état de conduction,
 dVF/dt et dIF/dt : Pente maximale de tension et du courant lors de transition
bidirectionnel ON-OFF
 RTh : Résistance thermique contraignant la conduction thermique entre le composant
et le milieu externe pour dégager la chaleur du composant.
Pour la sécurité du montage, on cite :
 IL : Courant de fuite inverse à l’état bloqué

 EMI : Degré d’interférence électromagnétique avec le milieu ambiant
Ci-dessous le schéma équivalent simplifié d'une diode de puissance commutée à

des faibles et moyennes fréquences. Il représente l'effet Joule à la conduction (Rd), la chute
de tension intrinsèque (Vf) et la capacité de diffusion thermique interne (Cd).
Page 32
II.5.4 Bobine d’accumulation inductive:

La bobine agit comme intermédiaire accumulatif pour l’énergie à transmettre de la
source vers la charge. Elle sert aussi comme filtre passe bas pour le courant inductif.
Du point de vue réaliste et pour des fréquences ne dépassant pas les centaines de
Hertz, elle est considérée comme une inductance L avec sa résistance interne en série RL.
Pour les paramètres internes liés à sa sécurité et à la sécurité du milieu, on trouve un seul
paramètre plus influant. C’est le courant maximale supporté avant destruction ILM,
II.5.5 Condensateur d’accumulation capacitive :
Le condensateur agit comme compensateur de l’énergie manquante pour la charge

lors de l’état OFF. Il sert comme filtre passe bas pour la tension de charge.
Du point de vue réaliste, pour des fréquences ne dépassant pas les dizaines de Hertz
et de faibles puissances, le condensateur peut être modélisé tout seul sans sa résistance
interne en série ESR ni son inductance interne en série ESL.
Le type de condensateur le plus stable en valeur de capacité C est le condensateur

électrolytique. Il présente une basse fréquence de résonance lorsqu’on adopte les
imperfections ESR et ESL en considération. Ces caractéristiques sont inversées pour les
condensateurs en polypropylène métallique.
Pour les paramètres internes liés à sa sécurité et à la sécurité du milieu, on

trouve un seul paramètre plus influant. C’est la tension maximale supportée avant
destruction VCM,
Page 33
II.6 Bilan énergétique:

Le générateur fournit une puissance continue Pin traduite par une tension continue
supposée constante Vin et un courant positif allant de zéro à un certain maximum Iinmax
Pinmax=VinIinmax
Le hacheur permet de moduler cette puissance en assumant des pertes P de tout type.
Elles dépendent des imperfections internes des composants (effet Jule, chutes de
ension,…etc), de la fréquence de commutation et du rapport cyclique.
Selon le niveau de la charge qui peut s'étaler de Poutmin à Poutmax, les grandeurs
électriques de sortie peuvent être ajustées comme suit:
Pout min  Pout  Pout max  Vout min .Iout min  Pout  Vout max .I out max
Dans le cas d'une charge résistive à résistance équivalente Ro,
Vout V V
Rout   out min  Rout  out max
I out I out max Iout min
Le hacheur dispose d'un point de fonctionnement nominal dont ses coordonnées sont
(Vout0, Iout0) atteint en mettant le rapport cyclique à un certain réglage d0. A ce point, le
rendement du hacheur est maximal.
En prenant en compte un hacheur plus réaliste avec ses imperfections internes, on cite les
pertes de puissance suivantes:
II.6.1 Coté MOSFET:
a) Pertes statiques:
Ce sont des pertes à l'état stable de conduction et de blocage dues aux effets Joule
et aux chutes de tension intrinsèque. Pour simplifier le calcul, l'état de blocage est
considéré comme parfait. Cela veut dire que le MOSFET est parfaitement ouvert et que
Page 34
tout courant de fuite stable à cet état n'engendre qu'une perte de puissance négligeable par
rapport aux autres pertes.
A l'état de conduction, le MOSFET présente dans son schéma équivalent une résistance
série Rds(on) et une chute de tension intrinsèque Vq. Alors, pour un courant Drain-Source
Is, les pertes de conduction dans un MOSFET seront:
2
PS  d .R DS (ON ) .I out V Q .d .I out ....................................................................................(II .16)
L'effet de la diode en antiparallèle est écarté en mettant une diode directe en série avec le
générateur.
b) Pertes dynamiques:
Ce sont des pertes créées pendant la transition entre les états de conduction et de
blocage. Elles sont dues au blocage provisoire de la puissance électrique écoulée pendant
un temps court où la tension et le courant dans le semi-conducteur ne sont pas nulles
simultanément (Voir Fig ci-après).
Figure II.7: Les formes d'onde de perte de commutation instantanée
Page 35
En vu de calcul des pertes par commutation "dynamiques", on utilise les temps de

transitions cités dans le paragraphe (II.3.2).
En fonction de la fréquence de commutation, de la tension et du courant à commuter par le

semi-conducteur et les retards d'établissement les pertes par commutation dynamiques
s'évaluent comme suit:
1
PS ,SW  V. DS .d .I out .(t c ,on  t c ,off ).f ..........................................................................(II .17)
2
dont les temps transitaires sont donnés par:
tc,on  tri  t fv

tc,off  trv  t fi
On trouve aussi d'autres pertes du coté commande de MOSFET. On cite par exemple:
 Pertes dues à la charge de la grille du MOSFET "Gate drive losses"
 Pertes dues au courant au repos du driver "Controller quiescent current"
L'effet de la diode en antiparallèle est éliminé en mettant une diode directe en série avec le
générateur.
II.6.2 Coté diode:
a) Pertes statiques:
A l'état de conduction, la diode présente dans son schéma équivalent une résistance
série Rd et une chute de tension intrinsèque Vf. Alors, pour un courant anodique Id, les
pertes de conduction dans une diode seront:
2
PD,ON  1  d  .RD .I out  1  d  .VF .I D ………………………………………………..(II.18)
Page 36
b) Pertes dynamiques:
Figure II.8 :Les formes d'onde de perte statique instantanée
En fonction de la fréquence de commutation, de la tension et du courant à commuter par la

diode et la charge électrostatique de recouvrement, les pertes par commutation dynamiques
s'évaluent comme suit:
1
PD ,SW ,MAX  Q rr V
. rrm .f  .t rr I rm V
. rm .f .....................................................................(II .19)
2
Pour des diodes de commutation rapide, Schottky et d'autres, ces pertes sont négligeables
par rapport au total des pertes.
Page 37
II.6.3 Coté bobine:
Selon le niveau de fréquence de commutation et de la puissance manipulée par la bobine,

l'expression des pertes peuvent prendre changer. Dans notre application, les seules pertes
de puissance à prendre en considération sont les pertes Joule matérialisées par une
résistance RL en série. Les autres pertes sont négligeables par rapport aux autres pertes du
hacheur.
2
PL  d .RL .I out ………………………………………………………………………(II.20)
II.6.4 Coté condensateur:
Comme la bobine, les pertes de puissance dans un condensateur varient selon la fréquence
et la puissance ainsi que la nature de l'isolant (électrolytique, céramique, Tantale,…etc).
Dans notre hacheur, le condensateur de sortie présentent des pertes négligeables par
rapport aux autres pertes du hacheur.
II.6.5 Rendement:
Le rendement du hacheur est le rapport entre la puissance moyenne de sortie

(charge) et la puissance moyenne d'entrée (alimentation). On peut considérer que la charge
est une puissance du générateur subie à une soustraction d'un certain taux de pertes.
Pout Pout Vout .I out

   ………………………………………………….(II.21)
Pin Pout  P Vout .I out  P
En sommant toutes les pertes en fonction du courant de charge Iout,
1 
P  d .RDS (ON )  1d  .RD  RL  .I out
2
 V . Q  1d  V
. in .(t ri t fv t rv  t fi ).f dV . F .I out ...(II .22)
2 
Pour un hacheur quasi-réel, les courants des différents éléments ainsi que la tension de
sortie ont comme expression:
Page 38

 I
 I in  I L  out
 1 d
 d
IS  .I out
 1 d ……………………….(II.23)
 DI  I out
 v IN  d .v q  1  d  .v F
I 
L 2
 R L  d .R O N  1  d  .R D  1  d  . R out

 v IN  d .v q  1  d  .v F
V out  R out . 1  d  . 2
 R L  d .R O N  1  d  .R D  1  d  . R out
Pour une tension de sortie préalablement fixée, le rapport cyclique correspondant est:
Vout   RL  RD  .I out  V f
d ……………………………………………….(II.24)
Vin   RD  RON  .I out  V f  Vq
Le rendement sera donné en fonction du courant de charge et du rapport cyclique.
d . Vin  Vq   1  d  .V f  1  d  .RD  d .RON  RL .I out

 ………………….(II.25)
1
.Vin .(tri  t fv  trv  t fi ). f  d .Vin
2
Le point de fonctionnement nominal correspond au rendement maximal à une certaine

valeur du courant de charge Iout. L'annulation de la dérivée de l'expression ci-dessus par
rapport au courant de charge permet de trouver quel valeur de Iout qui donne lieu à un
maximum de .

Vin  Vq  V f  .d   RD  RON  .d .I out   RD  RL  .I out  V f 

1 
.Vin .(tri  t fv  trv  t fi ). f  Vin .d
2 
 b.I out  c
et    ….(II.26)
 g .I out  h
Vout  V f   RL  RD  .I out
d 
Vin  V f  Vq   RD  RON  .I out 


b   RD  RON  .Vout

c  Vin  Vq  V f  .Vout

 g  1 .V .(t  t  t  t ). f .  R  R   V .  R  R  ……………………(II.27)
in ri fv rv fi D ON in L D
 2

h  1 .Vin .(tri  t fv  trv  t fi ). f . Vin  V f  Vq   Vin . Vout  V f 
 2
Page 39
Pour calculer numériquement le point de fonctionnement nominal, on fixe la

tension de sortie voulue et on trace l'allure du rendement par rapport à Iout. Le maximum
sera choisi comme point nominal. Dans l'annexe de ce mémoire, se trouve un programme
en m-file de Matlab® qui effectue cette tâche.
II.7 Conclusion :
Dans ce chapitre, nous avons procédé à une modélisation et un dimensionnement du

hacheur en déduisant les indices de performances statiques et dynamiques d'une part et les
valeurs des composants à employer en simulation et en réalisation d'autre part. Ainsi, nous
avons relativement explicité le circuit de pilotage du MOSFET utilisé comme interrupteur
commandable.
Le prochain chapitre sera consacré à la simulation et à la réalisation du hacheur conçu.
Page 40
Chapitre III Simulation et réalisation
III.1 Introduction :
Dans les chapitres précédents, nous avons analysé et développé les outils de
dimensionnement du convertisseur DC-DC "hacheur". Pour la source du convertisseur,
nous allons utiliser une alimentation continue stabilisée lors des essais.
La validation du dimensionnement se fera d’abord en simulation sous PSIM® avant de

passer à la réalisation expérimentale.
III.2 Schéma du montage complet avec ses valeurs:

III.2.1 Description de la structure
Figure III.1: Schéma détaillé à simuler et à réaliser

III.2.2 Contraintes du calcul
Les données extraites du cahier des charges permettent d’étudier le dimensionnement
des composants soumis aux contraintes suivantes :
 Bloc d’alimentation qui développe un courant continu jusqu’à 5A sous une tension
de 5V
 Une fréquence de commutation de 1kHz et qui peut aller jusqu’à 15kHz.
 Une tension désirée comme continue nominale à la sortie du hacheur 121V.
 Un rendement minimal de 70% pour la structure de puissance globale
 Un courant nominal à la sortie du hacheur de 0.360,1A.
Page 41
 La charge peut être purement résistive, inductive ou même active (moteur à CC).
A partir de ce cahier des charges, les composants optimaux judicieusement satisfaisant

sont:
 Un MOSFET IRF840,
 Une diode KBPC50.
 L'inductance calculée à partir des ondulations de courant et de la fréquence de

commutation est L=100µH dont sa résistance série est égale à RL =0,04Ω.
 La capacité minimale satisfaisant un bon filtrage de la tension de sortie sans

beaucoup diminuer son temps de réponse ni perturber le fonctionnement du
circuit de commande est: 100µF.
Néanmoins, lors de la réalisation expérimentale, nous avons pris les composants

disponibles au marché qui étaient relativement surdimensionnés mais qui permettaient
de faire les premières validations des calculs théoriques effectués.
III.2.3 Interrupteur commandable « MOSFET »:

C'est un MOSFET IRF840 de la société. Il a comme tension maximale directe de 500V,
une résistance à l’état passant de 0,58Ω, un courant direct maximal de 8A et une chute
de tension directe de 1.4V. Ses caractéristiques statiques et dynamiques issues de la
fiche technique "Datasheet" sont indiquées dans l'annexe à ce mémoire.
a) Circuit de commande du MOSFET

Dans notre application, nous avons utilisé un circuit de commande rapproché à
base des deux transistors (BC448 et BC458) associé à certains éléments passif et actif.
Vu la faible protection associé aux transistors bipolaires (commande par courant), nous
avons recouru à un optocoupleur 4N35 pour isoler la commande TTL fragile de la
commande MOS male protégée. Le schéma est indiqué dans la figure qui suit.
Page 42
Figure III.2:schéma de circuit de commande
Pour les valeurs calculées des éléments associés au circuit de commande;
 Vcc=12V,
 R1 = R4 = 10 KΩ
 R2 = R3 = R6 =10 KΩ
 R5 = 10 Ω
b) Protection du MOSFET :
Pour la protection du MOSFET contre une pente excessive de montée ou de

descente dV/dt ou dI/dt qui peut engendrer sa destruction, on met en parallèle aux
bornes D-S un circuit d'aide à la commutation "Snubber" composé d'une résistance
Rs=22 en série avec une capacité céramique de C=680pF.
III.2.4 Diode de continuité de service:

C'est une diode issue d'un pont KBPC40 de la société WTE. Elle a une
résistance à l’état passant de 0,1Ω, un courant direct maximal de 400A et une chute de
Page 43
tension directe de 1.2 V. Ses caractéristiques statiques et dynamiques issues de la fiche

technique "Datasheet" sont indiquées dans l'annexe à ce mémoire.
III.2.5 Bobine d’accumulation inductive:

Une bobine à noyau ferromagnétique d’inductance de 100µH. Elle possède une
résistance interne maximale de 0.04Ω et supporte un courant maximal de 7.8A et une
fréquence maximale de 100kHz.
III.2.6 Condensateur d’accumulation capacitive :
C'est un condensateur électrolytique de capacité 100µF. Il a comme tension

d’isolation 450V.
III.3 Calcul des grandeurs et des paramètres résultantes

(théoriques):
III.3.1 Performances statiques:
a) Point de fonctionnement:
On veut obtenir une tension de sortie continue moyenne de 12V. Le rapport

cyclique correspondant doit être égal ou supérieur à 1-5/12. Théoriquement, ce rapport
est égale à d= 0.58. Il faut rattraper les chutes de tension dues aux effets Joule et aux
tensions résiduelles des interrupteurs de puissance par un ajustement de ce rapport
cyclique.
Pour la charge, vue la valeur largement suffisante de la capacité de sortie, le calcul du

courant de charge et d'autres courants liés reste approximativement valable si on utilise
uniquement la résistance Rout à la place de tout autre type de charge. Cette supposition
est citée à partie modélisation au chapitre précédent.
Les autres valeurs finales moyennes déterminant le point de fonctionnement nominal

sont:
Page 44
Vout  5V

 I L  2 A
 Iin  0,81A
 I  1,16 A
 D
 I out  2 A
b) Rendement:
La puissance d'entrée nominale: Pin=5W et de sortie (charge) nominale:

Pout=4.32W. Le rendement nominal: =86.4%
C) Performances dynamiques:
Paramètre de performance Expression
 1  1, 2ms
Constantes de temps et les zéros oscillants de la tension et du
 2  5,5ms
courant
z  181,8s 1
Pulsation propre commune 0  389.25Hz
Facteur d’amortissement commun   0.23s 1
trise ,Vout  0.0038s

Temps de montée de la tension
trise , IL  0.0012
Temps de réponse à 5 % de la valeur finale de la tension trép  0.033s
t pic1,Vout  0,0083s
Instant du premier pic de la tension
t pic1, IL  0,0048s
Pseudo période commune Tp  0,0166s
Pourcentage commun du premier dépassement de la tension Dp %Vout  46, 63%
Tableau III.1: Les performances d'un système représenté
Page 45
III.4 Simulation et réalisation:
III.4.1 Simulation:
Après la phase de modélisation et de dimensionnement, nous avons procédé aux

calculs numériques des grandeurs et des paramètres de la partie du système de
puissance. Ensuite, nous avons assemblé la partie puissance avec celle de puissance
pour être simulées sous PSIM ® .
Figure III.3: le schéma utilise par la simulation
III.4.2 Réalisation:
Le développement du banc d’essai a eu lieu au Laboratoire du Génie Electrique

et d'Automatique. Il a permis de concevoir le convertisseur DC-DC tel qu’il est
représenté sur la figure III.4. On distingue les deux parties: hacheur et son circuit de
commande.
Page 46
Grâce à un module DSP nommé Unitrain de Lucas-Nuelle connecté à l'ordinateur, un

contrôle en temps réel de la tension de sortie est possible. La commande peut être aussi
implémentée sous Matlab-Simulink® et chargée dans un module DSP de type
DSPACE-DS1104.
Figure III.4 Photographie du banc d’essai
III.4.3 Valeurs, allures et interprétations:
Les allures des tensions et des courants qui nous ont permis de valider la
structure conçue sont représentées dans la figure III.5. Elles sont caractérisées par un
régime établi stable à valeurs moyennes quasi-constantes avec des taux d'ondulation
légèrement différents entre les courants et les tensions. Cette légère différence nous
permet d'assurer une validation de notre calcul théorique.
Page 47
Figure III.5 Allures issues de la simulation
En imposant un rapport cyclique de 53%, une tension d'alimentation de 5V et

une résistance de charge de 25, la tension de sortie atteint une valeur moyenne quasi-
constante de 12V dans un temps de réponse 3.6ms.
Le courant d'entrée effectue un pic de valeur 4.1A pour un temps de montée de 0.50ms
et un temps de réponse de 1.8ms. Ensuit, il se stabilise a une valeur moyenne de 1.51A.
Le rendement de ce hacheur pour le courant de charge impose 0.47A atteint la valeur

de 72.34%.
C’est donc ce point de fonctionnement (nominal) qui a été choisi pour la simulation
numérique. On peut noter le bon temps de réponse de la tension de sortie (3.6ms). On
notera également les quelques oscillations de la tension de sortie avant de s'établir à une
stationnarité.
Page 48
III.6 Allures issues de l’expérimental
Page 49
Les résultats expérimentaux (Fig. III.6 pour le courant d’entrée et la tension de sortie)
ont été obtenus avec une alimentation dont la tension est fixée à 5V.
On peut voir dans une première phase un courant d’alimentation qui converge à 2,2A
avec des oscillations assez grandes par rapport à celles de la simulation. La tension de
sortie prend le régime permanent avec une valeur finale de 11.5V et un taux
d’ondulation plus élevé par rapport a la simulation.
On obtient pour ce point de fonctionnement un rendement de l’ordre de 48%. Ce

rendement est plus faible que celui que nous avions calculé (72.34%) parce que les
composants déterminés par le dimensionnement relativement diffèrent par rapport à
ceux utilisés sur le banc d’essais.
C’est le problème majeur de notre manipulation de ne trouver dans le marché que des
valeurs surdimensionnées des composants.
III.5 Conclusion :
Dans ce chapitre, nous avons présenté le calcul numérique des paramètres et des
grandeurs lié au hacheur étudié. Une simulation sous PSIM® a été effectuée en
imposant un certain rapport cyclique, une certaine tension d'alimentation et une certaine
charge nominale. Une suite expérimentale a été engagée en appliquant la commande à
partir d'un module DSP de type Unitrain de Lucas-Nuelle.
Au vu de ces premiers résultats, les performances statiques et dynamiques de la
tension et du courant convergent vers les valeurs désirées avec ondulations relativement
acceptables..
Les premiers résultats expérimentaux sont encourageants et nous incitent à poursuivre la
validation en testant les performances au sein de l'une des contrôles classiques ou même
avancées. D'autres validations sont espérées vis à vis des variations paramétriques du
convertisseur et vis à vis des variations de la pcharge ou de tension d’alimentation.
Une autre étape perspective serait de relier effectivement le convertisseur au panneau
solaire pour le tester dans des conditions qui seraient proches de la situation réelle dans
un environnement rural par exemple.
Page 50
Conclusion générale:
Conclusion générale :
Le travail qu’on a présenté est consacré à l’étude du hacheur de type Boost. Cette
étude est commencée par un état de l’art sur les convertisseurs continu-continu et le
hacheur Boost en particulier, suivi par la modélisation de ce type ainsi le
dimensionnement des éléments constituant le montage Boost, nous avons aussi simulé
et réalisé notre modèle et présenté les résultats de simulation et expérimentaux.
Pour la modélisation, nous avons pris un modèle idéal qui ne tient pas compte les
chutes de tension et les résistances internes des composants. Nous avons obtenu des
relations de tension de sortie, du courant de l’inductance, du courant d’entrée et du
courant dans la diode. Nous avons aussi obtenu une relation entre le rapport cyclique et
le rendement.
Nous avons dimensionné la bobine et le condensateur, puis on fait le choix des
composants exigé dans notre montage pour un cahier des charges défini. Donc la
conception d'un convertisseur d'électronique de puissance passe par un
dimensionnement adapté au cahier des charges pour lequel il est réalisé. Cela implique
une étude nouvelle pour chaque application qui conduira à une structure et à un choix de
composants spécifique à ce cahier des charges.
Afin de mener à bien ce travail, notre étude contient des modèles des pertes des
principaux composants de convertisseur à savoir : les inductances, les semi conducteurs.
Enfin, on a simulé notre modèle sous le programme PSIM et réalisé là en prenant ses
résultats expérimentaux.
Malgré les problèmes rencontrées dans l’expérimental, on aboutit sur un bon point de
fonctionnement, mais ce n’est pas le meilleur point. Le problème majeur dans notre
expérimental est le non disponibilité des composants dans laboratoire, ainsi le
dimensionnement de la capacité de charge du driver commandé notre interrupteur.
Finalement, on va dire que le convertisseur Boost a un domaine d’application très
vaste dans l’électronique de puissance.
Comme perspective, nous souhaitons concevoir un hacheur à rendement au alentour de
90% en calculant précisément la majorité des pertes significatives.
Page 51
Annexes
Annexes
clear,clc,close
Vq=1.4; Ron=0.85; Rd=0.1; Vf=1.2; RL=0.04; %Rout=33;
tri=35e-9; tfi=20e-9; tfv=40e-9; trv=80e-9; f=1000; dd=-

f*max([tri,tfi,tfv,trv]);
Vout=12; Vin=5; Ioutmin=0.1; Ioutmax=20; dIout=0.001; %d=0.66;
OP=[];N=0;
for Vout=7:0.5:350
for Rout=Vout/Ioutmin:Vout/(Ioutmin+dIout)-Vout/Ioutmin:Vout/Ioutmax
d1=1/2*(Ron*Vout-2*Rout*Vf-Vout*Rd+Rout*Vq-2*Vout*Rout+Rout*Vin+(-
2*Ron*Vout^2*Rd-4*Ron*Vout^2*Rout-
4*Vout^2*Rout*RL+Ron^2*Vout^2+Vout^2*Rd^2-4*Ron*Vout*Rout*Vf-
2*Rout^2*Vq*Vin+2*Ron*Vout*Rout*Vq+2*Ron*Vout*Rout*Vin+2*Vout*Rd*Rout*
Vq-2*Vout*Rd*Rout*Vin+4*Rout*Vq*Vout*RL-
4*Rout*Vf*Vout*RL+Rout^2*Vq^2+Rout^2*Vin^2)^(1/2))/Rout/(-Vout+Vq-Vf);
d2=1/2*(Ron*Vout-2*Rout*Vf-Vout*Rd+Rout*Vq-2*Vout*Rout+Rout*Vin-(-
2*Ron*Vout^2*Rd-4*Ron*Vout^2*Rout-
4*Vout^2*Rout*RL+Ron^2*Vout^2+Vout^2*Rd^2-4*Ron*Vout*Rout*Vf-
2*Rout^2*Vq*Vin+2*Ron*Vout*Rout*Vq+2*Ron*Vout*Rout*Vin+2*Vout*Rd*Rout*
Vq-2*Vout*Rd*Rout*Vin+4*Rout*Vq*Vout*RL-
4*Rout*Vf*Vout*RL+Rout^2*Vq^2+Rout^2*Vin^2)^(1/2))/Rout/(-Vout+Vq-Vf);
N1=Vout*Vout/Rout/(Vout/Rout/(1-d1)*Vin);
N2=Vout*Vout/Rout/(Vout/Rout/(1-d2)*Vin);
if isreal(d1) && d1<1 && d1>0 && isreal(N1) && N1>0.7 && N1<1
OP=[OP;Vin d1 Vout Vout/Rout N1];
if N1>N && Vout>Vin
N=N1;
OPnom=[Vin d1 Vout Vout/Rout N1];
end;
elseif isreal(d2) && d2<1 && d2>0 && isreal(N2) && N2>0.7 && N2<1
OP=[OP;Vin d2 Vout Vout/Rout N2];
if N2>N && Vout>Vin
N=N2;
OPnom=[Vin d2 Vout Vout/Rout N2];

Annexes
end;
end;
end;
end;
if Rout==Vout/Ioutmax
disp('Pas de point nominal');
end;
disp(['Vin d Vout Iout N1']);
if size(OP)~=0
disp(num2str(OP));
plot(OP(:,4),OP(:,5)),grid
end;
disp(['Le point nominal est:']);
disp(['[Vin d Vout Iout N1]=' num2str(OPnom)]);

Annexes
Annexes
Annexes
Les trois pages sont data schet de MOSFET IRF840

Annexes
Annexes
Les deux pages sont data schet de diode KPBC50A

Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Annexes
Références bibliographiques:
RéféRences bibliogRaphiques
[1] Guy Séguier, "Électronique de puissance", 7th Edition, Dunod, Paris 1999,
[2] Hansruedi Bühler, "Convertisseurs statiques", Presses polytechniques et

universitaires romandes, 1991,
[3] Henri FOCH et autres, "Electronique de Puissance", Vol. D3000 à D3233, Ed.
Techniques de l'Ingénieur, 1989,
[4] Keng Chih Wu, "Pulse Width Modulated DC-DC Converters", Ed. Chapman, 1997,
[5] Fang Lin Luo, Hong Ye, "Advanced DC/DC Converters", Ed. CRC Press, 2003,
[6] "Etude d’un Hacheur à Stockage Capacitif", Mémoire de Master, 2014, Université
Larbi Ben M’hidi-Oum El Bouaghi, Département de Génie Electrique,
[7] "Etude sur la Commande du Hacheur Quatre Quadrants", Mémoire de Master,

2013, Université Larbi Ben M’hidi-Oum El Bouaghi, Département Sciences &
Technologie,
[8] B. W. Williams, "Power Electronics: Devices, Drivers, Applications and Passive

Components", 2 Sub-Ed, Mcgraw-Hill, 1992,
[9] International Rectifier®, "HV Floating MOS-Gate Driver ICs", Application Note,
AN-978, Rev-D,
[10] Jonathan Adams, "Bootstrap Component Selection For Control IC’s", DESIGN
TIP, DT98-2a, International Rectifier,
[11] Robert W. Erickson (Auteur), Dragan Maksimovic, "Fundamentals of Power

Electronics", 2nd Ed. Kluwer Academic Publishers, 2001.
[12] Christophe Sueur, Philippe Vanheeghe, Pierre Borne, "Automatique des systèmes
continus", Ed. Technip, 1997
Références bibliographiques:
[13] Mr. Faraheddine BELKACEM, THÈSE de Docteur << CONTRIBUTION À LA

COMMANDE DES CONVERTISSEURS DC-AC ALIMENTES PAR UN PANNEAU
PHOTOVOLTAÏQUE>> Université de Picardie Jules Verne, Spécialité : Génie
Électrique ,2006.
Résumé
:‫ﺍﳌﻠﺨﺺ‬
‫ﺗﺮﺻﺪ ﻫﺬﻩ ﺍﳌﺬﻛﺮﺓ ﺩﺭﺍﺳﺔ ﳕﻮﺫﺟﻴﺔ ﶈﻮﻻﺕ ﺍﻟﺘﻴﺎﺭ ﺍﳌﺴﺘﻤﺮ ﺇﱃ ﺗﻴﺎﺭ ﻣﺴﺘﻤﺮ ﻛﺘﻠﻤﻴﺤﺎﺕ ﺃﻭﻟﻴﺔ ﻟﺒﻌﺾ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻫﺬﺍ‬
‫ﺍﻟﻨﻮﻉ ﻣﻦ ﺍﶈﻮﻻﺕ ﻭﻣﻦ ﺛﻢ ﲣﺘﺺ ﰲ ﻛﻴﻔﻴﺔ ﺭﻓﻊ ﺗﻮﺗﺮ ﻣﺴﺘﻤﺮ ﰲ ﻧﻈﺎﻡ ﳛﺘﻮﻱ ﻋﻠﻰ ﻣﺮﺩﻭﺩ ﺟﻴﺪ ﺑﺎﻻﻋﺘﻤﺎﺩ ﻋﻠﻰ ﺩﺍﺭﺓ ﻛﻬﺮﺑﺎﺋﻴﺔ‬
‫ﻳﻄﻠﻖ ﻋﻠﻴﻬﺎ ﻣﻬﺸﺮ ﺭﺍﻓﻊ ﺍﻭ ﻋﻠﻰ ﺍﻟﺘﻔﺮﻉ ﺣﻴﺚ ﻳﻘﻮﻡ ﻫﺬﺍ ﺍﻷﺧﲑ ﰲ ﺭﻓﻊ ﺍﻟﺘﻮﺗﺮ ﺍﳌﺴﺘﻤﺮ ﺍﱃ ﺍﻱ ﻗﻴﻤﺔ ﻋﻠﻰ ﺣﺴﺐ ﻣﺎﻳﺮﻳﺪﻩ ﺩﻓﱰ‬
‫ ﺗﺴﻠﻚ ﻫﺬﻩ ﺍﻟﺪﺭﺍﺳﺔ ﳏﺎﻛﺎﺕ ﻟﻌﻤﻞ ﻣﻬﺸﺮ ﺍﻟﺮﺍﻓﻊ ﻣﺘﻨﺎﻭﻟﺔ ﻛﻞ ﺍﻟﻘﻴﻢ ﺍﻟﱵ ﻳﺎﺧﺬﻫﺎ ﻛﻞ ﻋﻨﺼﺮ ﻣﻦ ﻋﻨﺎﺻﺮ ﻫﺬﺍ ﺍﻟﻨﻮﻉ‬، ‫ﺍﻟﺸﺮﻭﻁ‬
‫ﻣﻦ ﺍﶈﻮﻻﺕ ﺍﳌﺆﺧﻮﺫﺓ ﻣﻦ ﺍﻟﻌﻤﻠﻴﺔ ﺍﻟﺘﺤﻠﻴﻠﻴﺔ ﻟﻠﻤﻌﺎﺩﻻﺕ ﺍﳌﺴﺘﻨﺒﻄﺔ ﻣﻦ ﻫﺬﺍ ﺍﻟﻨﻈﺎﻡ ﺍﻟﻜﻬﺮﺑﺎﺋﻲ ﻻﳚﺎﺩ ﺍﺣﺴﻦ ﻧﻘﻄﺔ ﺍﺷﺘﻐﺎﻟﻴﺔ‬
‫ﲢﺘﻮﻱ ﻣﺮﺩﻭﺩﻳﺔ ﺣﺴﻨﺔ ﻗﺼﺪ ﺗﺮﻛﻴﺐ ﻣﻬﺸﺮ ﺍﻟﺮﺍﻓﻊ ﻭﺍﳌﻘﺎﺭﻧﺔ ﺑﲔ ﺍﻟﻨﻮﺍﺗﺞ ﺍﶈﺼﻞ ﻋﻠﻴﻬﺎ ﻣﻦ ﺍﶈﺎﻛﺎﺕ ﻣﻦ ﺟﻬﺔ ﻭﺍﻟﻨﻮﺍﺗﺞ ﺍﶈﺼﻞ‬
‫ﻓﻤﻦ ﺧﻼﻝ ﻫﺬﺍ ﺍﻟﱰﻛﻴﺐ ﻧﻜﻮﻥ ﻗﺪ ﺟﺴﺪﻧﺎ ﺍﻟﺸﻜﻞ ﺍﳊﻘﻴﻘﻲ ﻟﻠﻤﻬﺸﺮ ﺍﻟﺮﺍﻓﻊ ﺍﻟﺬﻱ ﻻﻳﻜﺎﺩ‬. ‫ﻋﻠﻴﻬﺎ ﻣﻦ ﺍﻟﱰﻛﻴﺐ ﻣﻦ ﺟﻬﺔ ﺍﺧﺮﻯ‬
. ‫ﺍﻱ ﳕﻮﺫﺝ ﻣﻦ ﺍﻟﻄﺎﻗﺎﺕ ﺍﳌﺘﺠﺪﺩﺓ ﺍﻻﺳﺘﻐﻨﺎﺀ ﻋﻨﻪ‬
Abstract :
The present of this note, a pilot study of DC-DC converters as a First study
glimpses of some elements of this type of converter, and specializes in how to raise the
voltage in the system is used a good performance, this system is based on a circuit
called hachure parallel or boost when it to raise the constant voltage to any value by the
tender specifications. this practical study on simulation behaves at work hachure boost
to treat all values are applied to each element of this type of converter that takes
analytical modeling equations derived from the electrical system to find the best point
operating with good efficiency for installed a hachure boost and compares the results
obtained from simulation and outputs obtained from the other experimental .so from
across this system, we have our real flesh form that hachure boost is essential in many
forms of renewable energy
Keywords :
English : Chopper, Boost, synthesis, dimensioning, sizing, design, control, switching,
duty cycle, analysis, DC-DC converter.

MEMOIRE - Etude Et Réalisation D'un Hacheur Boost

Transféré par

Informations du document

Titre original

Copyright

Formats disponibles

Partager ce document

Partager ou intégrer le document

Options de partage

Avez-vous trouvé ce document utile ?

Ce contenu est-il inapproprié ?

Droits d'auteur :

Formats disponibles

MEMOIRE - Etude Et Réalisation D'un Hacheur Boost

Transféré par

Droits d'auteur :

Formats disponibles

Edited by Foxit Reader

Copyright(C) by Foxit Corporation,2005-2009

UNIVERSITE LARBI BEN M’HIDI DE OUM EL BOUAGHI

MEMOIRE DE FIN D’ETUDES

Spécialité: Energie et Réseaux Electrique (ERE)

Mémoire de fin d’études soutenu publiquement à Oum El Bouaghi

Dr. Belkacem Faraheddine

Année universitaire : 2015/2016

Je dédie se modeste travail aux être

Je remercie, en premier lieu, ALLAH qui m’a donné ce

Je tiens à exprimer ma profonde reconnaissance et ma

Mes remerciements vont aussi à messieurs les membres

Je tiens à remercier les responsables et tout le personnel

Ce travail de mémoire que j’ai effectué doit beaucoup à

Enfin, je remercie tous ceux qui ont contribué, de près ou

Introduction générale ........................................................................ 1

Chapitre II: Modélisation et dimensionnement

a) Points de fonctionnement généralisé ............................................................ 20

II.6 Bilan énergétique ....................................................................................... 34

II.7 Conclusion ................................................................................................ 40

III.2.1 Description de la structure .................................................................................... 41

III.5 Conclusion .............................................................................................. 50

Conclusion générale ........................................................................ 51

Liste des figures

Figure I.1 : Schéma de principe du hacheur [2] ................................................................. 2

LISTE DES SYMBOLES :

Xin : Grandeur d’entrée.

Xout : Grandeur de sortie.

u: Etat logique de l’interrupteur (Ouvert/Fermé).

fsw : Fréquence de commutation.

ton : Temps ce conduction de l’interrupteur.

toff : Temps ce blocage de l’interrupteur.

tri : Temps de monté de courant.

trv : Temps de monté de tension.

tfi : Temps de descente de courant.

tfv : Temps de descente de tension.

OFF : Etat de blocage.

Vq : Chute de tension directe de l’interrupteur commandable à l’état passant.

VF : Chute de tension directe « intrinsèque » de la diode à l’état passant.

RD : Résistance directe à l’état passant.

IL : Taux d'ondulation du courant.

Ea : Force Contre électromotrice du moteur charge

Tem : Couple électromagnétique

K : Constante de conversion électromécanique liée au couple électromagnétique.

K’ : Constante de conversion électromécanique liée au couple de charge.

Ω : Vitesse angulaire du moteur à courant continu.

Tu : Couple utile du moteur à courant continu.

Ciss : Capacité d’entrée.

Coss : Capacité de sortie.

Crss : Capacité de transfert inverse.

CGS : Capacité parasite entre Grille et Source.

CGD : Capacité parasite entre Grille et Drain.

CDS : Capacité parasite entre Drain et Source.

Vgs : Tension entre la grille et la source.

Vcc : Tension d’alimentation de circuit de pilotage.

R : Résistance fictive englobant la partie électrique et mécanique du moteur

Les hacheurs sont des convertisseurs statiques continu-continu, permettant de générer

Ce travail de mémoire est dédié a l’étude et a la réalisation d’un convertisseur DC-DC

 Dans le deuxième chapitre, nous allons présenter le principe de fonctionnement, la

 Le dernier chapitre, nous l’avons consacré à la présentation des résultats de cette

I .2 Généralité sur les hacheurs :

Figure I.1 : schéma de principe du hacheur.

Le rapport entre la durée ton de fermeture de l’interrupteur et la période de commutation T